存儲(chǔ)器分為兩大類(lèi)：RAM和ROM，

RAM就不講了，主要討論ROM。

ROM最初是不能編程的，出廠什么內(nèi)容就永遠(yuǎn)什么內(nèi)容，不靈活。 后來(lái)出現(xiàn)了PROM，可以自己寫(xiě)入一次，要是寫(xiě)錯(cuò)了，只能換一片，自認(rèn)倒霉。人類(lèi)文明不斷進(jìn)步，終于出現(xiàn)了可多次擦除寫(xiě)入的EPROM，每次擦除要把芯片拿到紫外線上照一下，想一下你往單片機(jī)上下了一個(gè)程序之后發(fā)現(xiàn)有個(gè)地方需要加一句話，為此你要把單片機(jī)放紫外燈下照半小時(shí)，然后才能再下一次，這么折騰一天也改不了幾次。 歷史的車(chē)輪不斷前進(jìn)，偉大的EEPROM出現(xiàn)了，拯救了一大批程序員，終于可以隨意的修改ROM中的內(nèi)容了。

EEPROM的全稱(chēng)是“電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器”，即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。是相對(duì)于紫外擦除的ROM來(lái)講的。但是今天已經(jīng)存在多種EEPROM的變種，變成了一類(lèi)存儲(chǔ)器的統(tǒng)稱(chēng)。

狹義的EEPROM：

這種ROM的特點(diǎn)是可以隨機(jī)訪問(wèn)和修改任何一個(gè)字節(jié)，可以往每個(gè)bit中寫(xiě)入0或者1。這是最傳統(tǒng)的一種EEPROM，掉電后數(shù)據(jù)不丟失，可以保存100年，可以擦寫(xiě)100w次。具有較高的可靠性，但是電路復(fù)雜/成本也高。因此目前的EEPROM都是幾十千字節(jié)到幾百千字節(jié)的，絕少有超過(guò)512K的。 例如我們常見(jiàn)的24C02：

廣義的EEPROM：

FLASH屬于廣義的EEPROM，因?yàn)樗彩请姴脸腞OM。但是為了區(qū)別于一般的按字節(jié)為單位的擦寫(xiě)的EEPROM，我們都叫它flash。

flash做的改進(jìn)就是擦除時(shí)不再以字節(jié)為單位，而是以塊為單位，一次簡(jiǎn)化了電路，數(shù)據(jù)密度更高，降低了成本。上M的rom一般都是flash。如W25Q128JVSIQ：

flash分為nor flash和nand flash。

nor flash： nor flash數(shù)據(jù)線和地址線分開(kāi)，可以實(shí)現(xiàn)ram一樣的隨機(jī)尋址功能，可以讀取任何一個(gè)字節(jié)。但是擦除仍要按塊來(lái)擦。

依然W25Q128JVSIQ nand flash： nand flash同樣是按塊擦除，但是數(shù)據(jù)線和地址線復(fù)用，不能利用地址線隨機(jī)尋址。讀取只能按頁(yè)來(lái)讀取。（nandflash按塊來(lái)擦除，按頁(yè)來(lái)讀，nor flash沒(méi)有頁(yè)），例如：W29N01HVSINA

由于nand flash引腳上復(fù)用，因此讀取速度比nor flash慢一點(diǎn)，但是擦除和寫(xiě)入速度比nor flash快很多。nand flash內(nèi)部電路更簡(jiǎn)單，因此數(shù)據(jù)密度大，體積小，成本也低。因此大容量的flash都是nand型的。小容量的2～12M的flash多是nor型的。

使用壽命上，nand flash的擦除次數(shù)是nor的數(shù)倍。而且nand flash可以標(biāo)記壞塊，從而使軟件跳過(guò)壞塊。nor flash 一旦損壞便無(wú)法再用。

因?yàn)閚or flash可以進(jìn)行字節(jié)尋址，所以程序可以在nor flash中運(yùn)行。嵌入式系統(tǒng)多用一個(gè)小容量的nor flash存儲(chǔ)引導(dǎo)代碼，用一個(gè)大容量的nand flash存放文件系統(tǒng)和內(nèi)核。
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