1、聚焦離子束技術(shù)（FIB）

聚焦離子束技術(shù)（Focused Ion beam，F(xiàn)IB）是利用電透鏡將離子束聚焦成非常小尺寸的離子束轟擊材料表面，實(shí)現(xiàn)材料的剝離、沉積、注入、切割和改性。隨著納米科技的發(fā)展，納米尺度制造業(yè)發(fā)展迅速，而納米加工就是納米制造業(yè)的核心部分，納米加工的代表性方法就是聚焦離子束。近年來發(fā)展起來的聚焦離子束技術(shù)（FIB）利用高強(qiáng)度聚焦離子束對材料進(jìn)行納米加工，配合掃描電鏡（SEM）等高倍數(shù)電子顯微鏡實(shí)時(shí)觀察，成為了納米級分析、制造的主要方法。目前已廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體集成電路修改、離子注入、切割和故障分析等。

2. 聚焦離子束技術(shù)（FIB）可為客戶解決的產(chǎn)品質(zhì)量問題

（1）在IC生產(chǎn)工藝中，發(fā)現(xiàn)微區(qū)電路蝕刻有錯(cuò)誤，可利用FIB的切割，斷開原來的電路，再使用定區(qū)域噴金，搭接到其他電路上，實(shí)現(xiàn)電路修改，最高精度可達(dá)5nm。

（2）產(chǎn)品表面存在微納米級缺陷，如異物、腐蝕、氧化等問題，需觀察缺陷與基材的界面情況，利用FIB就可以準(zhǔn)確定位切割，制備缺陷位置截面樣品，再利用SEM觀察界面情況。

（3）微米級尺寸的樣品，經(jīng)過表面處理形成薄膜，需要觀察薄膜的結(jié)構(gòu)、與基材的結(jié)合程度，可利用FIB切割制樣，再使用SEM觀察。

3. 聚焦離子束技術(shù)（FIB）注意事項(xiàng)

（1）樣品大小5×5×1cm，當(dāng)樣品過大需切割取樣。

（2）樣品需導(dǎo)電，不導(dǎo)電樣品必須能噴金增加導(dǎo)電性。

（3）切割深度必須小于50微米。

4.應(yīng)用實(shí)例

（1）微米級缺陷樣品截面制備

（2）PCB電路斷裂位置，利用離子成像觀察銅箔金相。

編輯：lyn