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設(shè)計(jì)晶體振蕩器回路時(shí)的注意事項(xiàng)

h1654155282.3538 ? 來(lái)源:揚(yáng)興晶振 ? 作者:揚(yáng)興晶振 ? 2021-03-27 10:36 ? 次閱讀
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在設(shè)計(jì)晶體振蕩器回路時(shí),我們可注意以下三點(diǎn):

1、激勵(lì)功率

激勵(lì)功率說(shuō)明振蕩晶體單元所需電功率,其計(jì)算公式如下:

激勵(lì)功率 ( P)= i 2 Re

其中 i 表示經(jīng)過(guò)晶體單元的電流,Re 表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R 1 (1+Co/C L ) 如果激勵(lì)功率 (P)超出指定范圍,振蕩頻率就會(huì)漂移。這是因?yàn)橐粋€(gè)超過(guò)指定范圍的輸入驅(qū)動(dòng)會(huì)在晶體上引發(fā)應(yīng)力,導(dǎo)致溫度上升。

如果在該晶體單元上施加過(guò)量的功率驅(qū)動(dòng)力,可能損壞或破壞產(chǎn)品的特性。

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2、振蕩補(bǔ)償

除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)電阻,否則可能增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請(qǐng)?jiān)?a target="_blank">電路設(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。

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3、負(fù)載電容

如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式

C L C G × C D / (C G +C D ) +C S 。

其中 CS 表示電路的浮游電容。

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責(zé)任編輯人:CC

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