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發(fā)表于 05-13 15:49
MOSFET講解-05(可下載)
上面是一個(gè)正常情況下,電容兩端電壓的充電波形。但事實(shí)上,MOSFET 除 了在 GS 端存在電容之外,它還有 GD 電容,DS 電容。那么,GD 之間的
發(fā)表于 04-17 13:25
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RK3588 EVB開(kāi)發(fā)板原理圖講解【六】
)接口復(fù)用,在eMMC接口設(shè)計(jì)時(shí),eMMC信號(hào)接法請(qǐng)按參考原理圖,包含各路電源去耦電容。
使用eMMC時(shí),引導(dǎo)代碼放置在eMMC里。
eMMC 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)與匹配方式設(shè)計(jì)
eMMC連接示意圖
發(fā)表于 02-26 11:07
RK3588 EVB開(kāi)發(fā)板原理圖講解【五】
的路徑都足夠。
2、VCC_DDR的電源在外圍換層時(shí),要盡可能的多打電源過(guò)孔(9個(gè)以上0.5*0.3mm的過(guò)孔),降低換層過(guò)孔帶來(lái)的壓降;去耦電容的GND過(guò)孔要跟它的電源過(guò)孔數(shù)量保持一致,否則會(huì)大大降低
發(fā)表于 02-20 16:04
有極性電容怎么變成無(wú)極性電容
將有極性電容轉(zhuǎn)變?yōu)闊o(wú)極性電容是一個(gè)涉及電路設(shè)計(jì)和電容器使用策略的復(fù)雜過(guò)程。由于有極性電容和無(wú)極性電容在結(jié)構(gòu)、特性和使用場(chǎng)合上存在顯著差異,直
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發(fā)表于 09-06 02:07
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