專注ALD創(chuàng)新，助力超越摩爾

據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，2021年5月25日，思銳智能（SRII）與國家智能傳感器創(chuàng)新中心戰(zhàn)略合作簽約儀式暨SRII旗下BENEQ原子層沉積（ALD）產(chǎn)品技術(shù)路演在上海嘉定隆重舉行。思銳智能總經(jīng)理聶翔先生在戰(zhàn)略合作簽約儀式致辭中表示：“與國家智能傳感器創(chuàng)新中心的全面戰(zhàn)略合作是思銳智能深化在超越摩爾領(lǐng)域布局最重要的戰(zhàn)略舉措。雙方建立了聯(lián)合研發(fā)實(shí)驗(yàn)室，并已全面投入使用之中。未來雙方將重點(diǎn)開展面向MEMS和CMOS圖像傳感器等重要領(lǐng)域的聯(lián)合研發(fā)工作，以開放包容的機(jī)制為超越摩爾行業(yè)提供全面系統(tǒng)的技術(shù)解決方案！”

“國家智能傳感器創(chuàng)新中心和思銳智能都青睞‘智能’兩個(gè)字，都對(duì)超越摩爾產(chǎn)業(yè)情有獨(dú)鐘，雙方就以原子層沉積（ALD）設(shè)備及技術(shù)作為起點(diǎn)，建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，未來將在制造工藝設(shè)備的國產(chǎn)化，以及新材料、新工藝、新器件、新應(yīng)用等方面展開合作研究，非常值得期待?！眹抑悄軅鞲衅鲃?chuàng)新中心副總裁焦繼偉博士表示，“此次戰(zhàn)略合作協(xié)議的簽訂，標(biāo)志著我們雙方合作跨上了一個(gè)新的臺(tái)階！”

在SRII旗下BENEQ原子層沉積（ALD）產(chǎn)品技術(shù)路演環(huán)節(jié)，思銳智能聶總首先介紹公司情況：“思銳智能成立于2018年，對(duì)標(biāo)國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向，針對(duì)半導(dǎo)體裝備關(guān)鍵核心技術(shù)，全資收購了芬蘭的BENEQ公司——擁有近40年的ALD技術(shù)經(jīng)驗(yàn)?，F(xiàn)在，BENEQ公司是我們海外技術(shù)研發(fā)中心，同時(shí)正在組建國內(nèi)技術(shù)中心和產(chǎn)業(yè)化中心。思銳智能致力于成為世界一流的ALD設(shè)備和服務(wù)提供商?！?/p>

隨后，聶總闡述了思銳智能發(fā)展歷程、ALD技術(shù)特點(diǎn)、鍍膜工藝過程、業(yè)務(wù)布局（包括開發(fā)服務(wù)、ALD設(shè)備、鍍膜服務(wù)）等內(nèi)容，并推薦了Transform系列產(chǎn)品——面向超越摩爾、集成電路和泛半導(dǎo)體的系列化ALD解決方案，支持Thermal batch ALD和PE-ALD，適用于Al?O?、SiO?、HfO?、Ta?O?、TiO?、TiN、AlN、SiN等典型鍍膜工藝。目前，8英寸ALD設(shè)備獲得來自歐、美、日和國內(nèi)知名半導(dǎo)體客戶訂單，第二代12英寸ALD設(shè)備預(yù)計(jì)2021年底推出，已有多個(gè)高度意向訂單。

在產(chǎn)品技術(shù)詳解環(huán)節(jié)，兩位BENEQ芬蘭專家通過云端聯(lián)線方式作了主題為“BENEQ ALD和Semi ALD產(chǎn)品”和“ALD技術(shù)在功率氮化鎵和碳化硅、射頻和CMOS圖像傳感器等領(lǐng)域的應(yīng)用”兩個(gè)精彩報(bào)告。BENEQ半導(dǎo)體業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人Patrick Rabinzohn表示：“從研發(fā)階段到批量生產(chǎn)，BENEQ ALD設(shè)備都可提供靈活的解決方案。我們已將單片、批量、熱法及等離子體增強(qiáng)功能集成在同一平臺(tái)上，在工藝制備中可滿足最苛刻的薄膜沉積要求。在批量生產(chǎn)方面，BENEQ Transform系列憑借多功能性和靈活性，制造了全新的ALD集群工具設(shè)備，既能滿足特定的晶圓產(chǎn)能要求，也可為應(yīng)對(duì)不斷增長的產(chǎn)量或新的ALD應(yīng)用而進(jìn)行升級(jí)，因此可適用于廣泛的應(yīng)用場景。Transform系列擁有非常高的產(chǎn)能和性能，使得單片晶圓加工成本非常低?！?/p>

BENEQ半導(dǎo)體業(yè)務(wù)技術(shù)總監(jiān)Alexander Perros針對(duì)ALD技術(shù)的超越摩爾應(yīng)用案例進(jìn)行介紹：“在功率器件方面：ALD技術(shù)適用于氮化鎵、碳化硅以及傳統(tǒng)的IGBT，主要涉及高K電介質(zhì)的薄膜沉積，包括柵極絕緣層的沉積，旨在實(shí)現(xiàn)低界面態(tài)或高擊穿電壓。在射頻濾波器方面：ALD技術(shù)在改善壓電材料的性能的壓電系數(shù)和機(jī)電耦合系數(shù)方面發(fā)揮重要作用。在射頻IC方面：ALD表面鈍化方法和高介電柵極疊層對(duì)于III-V材料上的MOS是必不可少的。在MEMS方面, ALD技術(shù)可以形成抗粘連疏水膜和保形密封層。在圖像傳感器、LED、光電子方面，ALD是用于表面鈍化和防反射鍍膜的解決方案?！?/p>

BENEQ ALD技術(shù)的超越摩爾應(yīng)用矩陣

在最后的媒體專訪環(huán)節(jié)，思銳智能聶總就大家關(guān)心的產(chǎn)業(yè)熱點(diǎn)和公司布局進(jìn)行解答。聶總表示：“我們把BENEQ的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和思銳智能的整合能力結(jié)合在一起，實(shí)現(xiàn)芬蘭和中國兩邊協(xié)同研發(fā)，并讓工作變得更加高效。今年下半年也會(huì)打造國內(nèi)的產(chǎn)業(yè)化基地，加大技術(shù)的本地化，更好地服務(wù)中國大市場。在MEMS方面，我們已經(jīng)在MEMS加速度計(jì)、MEMS陀螺儀、MEMS麥克風(fēng)、射頻濾波器等領(lǐng)域有了成功經(jīng)驗(yàn)，下一步我們將針對(duì)集成電路加速12英寸ALD設(shè)備研發(fā)進(jìn)程，目前主流廠商已經(jīng)有了意向訂單?！?/p>

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