大家好，我是記得誠。

最近逛論壇，看到一個帖子，如下：

電路圖如下，是個低功耗電池電壓采集方案，多次通電后，Q1無情的冒煙了。

VDD是低功耗外設(shè)電壓，低功耗下VDD=0V，喚醒后VDD=3.3V。

電路的工作原理是這樣的，低功耗下VDD=0V，Q2和Q1關(guān)閉；喚醒后VDD=3.3V，Q2和Q1導通，VBAT通過R1和R9分壓，進行ADC檢測。 Q1 PMOS用的型號為：AO3401，Q2 NMOS用的是：AO3400。 我們看一下網(wǎng)友是咋說的。 ANDY-張：邏輯是對的，檢查元器件封裝和元器件屬性。 ifc315：VBAT端存在高壓或者靜電，Q1的G-S間被擊穿了。 智能diy：感覺是Q2導通不完全，導致Q1也導通不完全，排除靜電擊穿，一般靜電擊穿不冒煙，感覺R8應(yīng)該去除。

bendn：會不會AO3401的G極沒有串接電阻，下管對AO3401的控制信號直連的G極，如果下管打開特別快的話，因為AO3401的G、S之間存在寄生電容，就會形成這樣一個瞬時的大電流通路，是不是就可能引起G極的絕緣層損傷，多次沖擊過后就可能引起絕緣層擊穿徹底短路，進而導致MOS管冒煙。

而且因為米勒電容的存在，Q1在導通的過程中，還會出現(xiàn)這樣一個電流通路，也就是Q1的D、S之間電流剛剛達到最大時，此時D、S之間電壓還是6V沒變，電流是從S極通過導電溝道流到D極，然后再經(jīng)過G、D之間的寄生的這個米勒電容到達G極，最終通過Q2導通到地。 我又仔細分析了一下，感覺更可能是Q2控制著Q1，使得Q1導通過快，MOS管的導通電流變化過快，進而在MOS管的寄生電感上面產(chǎn)生很大的感抗，形成振蕩電路，最后出現(xiàn)高壓擊穿MOS，改進的措施還是在Q1的G極上面串接一個小電阻，或者在Q1的G極和S極接上一個小電容，使得MOS開啟緩慢一些減弱振蕩。

因為你這個電路沒有高負載的地方，所以應(yīng)該不是發(fā)熱引起的損壞，更像是產(chǎn)生的高壓損壞，高壓損壞在你這個電路這里只能是振蕩引起。

然后你這個Q1打開慢一些無所謂，交叉損耗很小，不像是電源的開關(guān)控制，那種的電流很大，打開太慢的話，開關(guān)交叉損耗就會很大，會出現(xiàn)熱損壞。 825cow：這個不應(yīng)該燒MOS的，后面負載都是10K級的。 ifc315：不知道都是怎么計算的，導通太快引起損壞都出來了；R7是10k，開關(guān)速度能快到哪里去哦。

責任編輯：haq