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欠壓保護(hù)的作用是什么

電子設(shè)計(jì) ? 來源:電子設(shè)計(jì) ? 作者:電子設(shè)計(jì) ? 2022-01-13 15:25 ? 次閱讀
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IGBT/MOSFET等全控型開關(guān)器件在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的應(yīng)用日趨廣泛,相應(yīng)的驅(qū)動芯片集成度也越來越高,其中欠壓保護(hù)功能由于可以防止開關(guān)管在門極電壓較低時(shí)飽和導(dǎo)通,被各大驅(qū)動芯片公司集成到了自家的驅(qū)動芯片上。本文以TI的UCC5320驅(qū)動芯片為例,介紹欠壓保護(hù)的作用。另外,在雙電源供電時(shí)欠壓保護(hù)功能可能會失效,而UCC5320E在雙電源供電時(shí)依然可以實(shí)現(xiàn)欠壓保護(hù)。

一、欠壓保護(hù)的重要性

圖1顯示了在一個(gè)固定Vds下,門極電壓Vgs會如何影響MOSFET。虛線的右邊是飽和區(qū),在這個(gè)區(qū)域里漏極電流不受漏源電壓Vds的影響,只取決于門極電壓Vgs。MOSFET工作在飽和區(qū)域時(shí)功耗較大,因?yàn)榇藭r(shí)它同時(shí)流過大電流承受大電壓。虛線的左邊是線性區(qū),此時(shí)MOSFET相當(dāng)于一個(gè)小電阻,可以流過大電流而不在漏源兩端產(chǎn)生大的電壓差。對于大電流的應(yīng)用場合,讓MOSFET工作在飽和區(qū)是非常危險(xiǎn)的,因?yàn)榇藭r(shí)其功耗會非常大。帶欠壓保護(hù)UVLO功能的驅(qū)動芯片可以防止MOSFET/IGBT飽和導(dǎo)通,保證其工作在安全區(qū)域。

圖2是由BJT三極管構(gòu)成的MOSFET的驅(qū)動電路,這個(gè)電路沒有欠壓保護(hù)功能,由于供電只有3.3V,當(dāng)上部的三極管導(dǎo)通時(shí),MOSFET的門極只有3.3V電壓,其很容易進(jìn)入飽和區(qū),MOSFET發(fā)熱嚴(yán)重。

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圖2. BJT驅(qū)動電路

UCC5320是TI推出的單通道隔離驅(qū)動,有兩個(gè)版本UCC5320SC和UCC5320EC,見圖3。他們都有欠壓保護(hù)功能,當(dāng)VCC2電壓低于12V時(shí),其內(nèi)部邏輯電路會使得輸出OUT始終為低,避免MOSFET/IGBT進(jìn)入飽和導(dǎo)通區(qū)域。

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圖3. UCC5320框圖

圖4是在3.3V供電情況下(原副邊都是3.3V),用UCC5320和BJT驅(qū)動電路驅(qū)動MOSFET的發(fā)熱情況。由于UCC5320在VCC2電壓低于12V時(shí)輸出始終為低,避免了MOSFET出現(xiàn)過熱(圖4左邊),右邊是BJT驅(qū)動電路驅(qū)動MOSFET,因?yàn)闆]有欠壓保護(hù),MOSFET發(fā)熱非常嚴(yán)重。

二、雙電源供電時(shí)欠壓保護(hù)電路的注意事項(xiàng)

UCC5320可以通過給VCC2供正電壓,VEE2供負(fù)電壓來實(shí)現(xiàn)雙電源供電,這個(gè)正負(fù)電壓是相對于被驅(qū)動IGBT的射極/MOSFET的源極而言的,當(dāng)關(guān)斷MOSFET時(shí),Vgs為負(fù)值,這樣可以避免MOSFET在米勒效應(yīng)下誤導(dǎo)通。IGBT常見的雙電源供電為+15V和-8V,SiCFET常見的雙電源供電為20V和-5V.

對于UCC5320S而言,其內(nèi)部UVLO電路的判斷標(biāo)準(zhǔn)是VCC2對VEE2的電壓,若其高于12V則不會觸發(fā)UVLO。當(dāng)VEE2為-8V時(shí),只要VCC2高于4V則不會觸發(fā)UVLO,此時(shí)MOSFET的驅(qū)動電壓Vgs只有4V,很容易進(jìn)入飽和導(dǎo)通從而導(dǎo)致?lián)p耗嚴(yán)重。也就是說雙電源供電時(shí)UCC5320S的欠壓保護(hù)功能(UVLO)是失效的。

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圖5. UCC5320S內(nèi)部電路示意圖

UCC5320E的內(nèi)部電路示意圖如下,其內(nèi)部UVLO電路的判斷標(biāo)準(zhǔn)是VCC2對GND2的電壓,一般會把GND2和被驅(qū)動的MOSFET的源極連到一起,這樣就可以保證只有在VCC2>12V即Vgs>12V時(shí)驅(qū)動MOSFET,避免了MOSFET飽和導(dǎo)通。

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圖6. UCC5320E內(nèi)部電路示意圖

三、結(jié)論

1. 欠壓保護(hù)功能可以避免MOSFET/IGBT進(jìn)入飽和導(dǎo)通區(qū)域,避免了大的損耗和發(fā)熱。

2. 在雙電源供電的情況下,很多類似于UCC5320S的驅(qū)動芯片的欠壓保護(hù)功能會失效,而TI的UCC5320E由于有專門的GND2可以直接連到MOSFET的源極,其欠壓保護(hù)功能依然能正常工作。

審核編輯:何安

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