為了加速SiTime MEMS硅晶振產品的應用普及,讓中國電子工程師能快速體驗MEMS硅晶振的高穩(wěn)定性、高可靠性、超小封裝、超低功耗、超低抖動等更多優(yōu)勢,SiTime公司聯(lián)合本土半導體分銷商北京晶圓電子有限公司共同建立SiTime樣品中心,為用戶提供免費樣品申請,小批量試產、現(xiàn)貨應急、特價申請、技術支持等便捷服務,更多信息請訪問www.sitimechina.com,客戶服務熱線400-888-2483。
SiT3808壓控晶振是在市場上靈活、兼容LVCMOS/ LVTTL的壓控振蕩器(VCXO)。SiT3808支持1-80MHz范圍內的任意頻率,牽引范圍從±25ppm到±1600ppmm和封裝形式從2520、3225,5032到7050,與石英壓控OSC管腳兼容。(需要注意的是3225/2520是 4-pin管腳;7050/5032是6-pin管腳)。
SiT3808提供了低于1ps的抖動性能、以及在牽引范圍及線性特性方面10倍優(yōu)于傳統(tǒng)石英VCXO的特性,從而簡化PLL和時鐘同步設計。SIT3808可透過編程改變驅動能力協(xié)助工作人員降低EMI,卓越的斜率(Kv)一致性,能將導因系統(tǒng)PLL效能所造成的差異性達到極小。SiT3808與傳統(tǒng)的石英器件封裝和控制電壓是100%兼容,因此可直接取代VCXO石英振蕩器,無需做任何設計變更。

SiT3808選型參數(shù)
振蕩器類型:壓控晶振或壓控振蕩器VCXO
頻率:1 - 80MHz之間任意頻率,可精確到小數(shù)點后6位
頻率穩(wěn)定性:±25ppm、±50ppm
相位抖動(rms):0.5ps(典型值)
工作溫度范圍:-20℃ ~ +70℃、-40℃ ~ +85℃
牽引范圍:±25ppm、±50ppm、±100ppm、±200ppm、±400ppm、±800ppm、±1600ppm
電源電壓:1.8V、2.5V、2.8V、3.3V
封裝類型:2.5mm x 2.0mm、3.2mm x 2.5mm、5.0mm x 3.2mm、7.0mm x 5.0mm

SiT3808特點
電源電壓 1.8 V 2.5V 2.8V 3.3V
頻率穩(wěn)定性從 ±25 ppm 至 ±50 ppm
牽引范圍從 ±50 ppm 至 ±200 ppm
定制規(guī)格以獲得最佳系統(tǒng)性能
在操作范圍內具有任何規(guī)格的現(xiàn)成產品
<1% 牽引范圍線性度
軟件控制的 PLL 中更簡單的環(huán)路控制
在工作范圍內更一致的 PLL 帶寬
更快的校準和鎖定時間
減少調制諧波
更嚴格的 PLL 帶寬和更簡單的系統(tǒng)設計
100% 替換石英 VCXO,無需任何設計更改
SiT3808應用
關于作者--SiTime樣品中心
為了加速SiTime MEMS硅晶振產品的應用普及,讓中國電子工程師能快速體驗MEMS硅晶振的高穩(wěn)定性、高可靠性、超小封裝、超低功耗、超低抖動等更多優(yōu)勢,SiTime公司聯(lián)合本土半導體分銷商北京晶圓電子有限公司共同建立SiTime樣品中心,為用戶提供免費樣品申請,小批量試產、現(xiàn)貨應急、特價申請、技術支持等便捷服務,更多信息請訪問www.sitimechina.com,客戶服務熱線400-888-2483。
-
SiTime
+關注
關注
4文章
96瀏覽量
59332 -
壓控振蕩器
+關注
關注
10文章
174瀏覽量
30365 -
VCXO
+關注
關注
0文章
55瀏覽量
9989
發(fā)布評論請先 登錄
MN724-0435.2000壓控SAW晶振:高性能VC-SAW振蕩器
差分輸出VCXO振蕩器 | FCom富士晶振 - 低抖動時鐘解決方案
差分晶體振蕩器和單端振蕩器在輸出模式有什么區(qū)別?
890-960 MHz 壓控振蕩器 skyworksinc
MG7050EAN存儲器6G應用晶振,X1M0004110020,EPSON差分晶振
X1G0054910008,VG7050EFN差分晶振,EPSON尋呼機6G晶振
晶振頻率測試儀 測晶振的方法有哪些 晶振測試儀
MAX2750AUA 2.4GHz單芯片壓控振蕩器技術手冊

SiT3808:1-80MHz任意頻率單端壓控晶振|單端壓控振蕩器 |VCXO
評論