關(guān)于作者--SiTime樣品中心

為了加速SiTime MEMS硅晶振產(chǎn)品的應(yīng)用普及，讓中國電子工程師能快速體驗MEMS硅晶振的高穩(wěn)定性、高可靠性、超小封裝、超低功耗、超低抖動等更多優(yōu)勢，SiTime公司聯(lián)合本土半導(dǎo)體分銷商北京晶圓電子有限公司共同建立SiTime樣品中心，為用戶提供免費樣品申請，小批量試產(chǎn)、現(xiàn)貨應(yīng)急、特價申請、技術(shù)支持等便捷服務(wù)，更多信息請訪問www.sitimechina.com，客戶服務(wù)熱線400-888-2483。

受到網(wǎng)絡(luò)密致化趨勢的影響，在地下室、路邊、屋頂及電線桿等不受控環(huán)境中必須部署的設(shè)備數(shù)量快速增加，并且這些系統(tǒng)中的時鐘元件必須能在高溫、熱震蕩、振動以及不可預(yù)期的氣流下持續(xù)運行。SiT9366低抖動差分晶振可解決石英晶振缺陷，滿足上述環(huán)境需求。

SiT9366低抖動差分晶振基于SiTime獨特的Elite Platform?，在存在常見環(huán)境危害（例如沖擊，振動，電源噪聲，EMI和電路板彎曲）的情況下，SiT9366具有0.23 ps抖動（典型值）和±10 ppm的出色動態(tài)性能：

- 0.23 ps 集成 RMS 相位抖動（12 kHz 至 20 MHz）

- 在 10G/40G/100G 以太網(wǎng)掩碼下，0.1 ps 集成 RMS 相位抖動

- -40℃ ~ +105℃溫度范圍頻率穩(wěn)定性為±10 ppm，使系統(tǒng)更為穩(wěn)定

- 堅固耐用、可靠且經(jīng)過驗證的 TempFlat MEMS? 能消除頻率擾動（activity dip），振動免疫力也比石英高出 30 倍

- 100%準確熱耦合的 DualMEMS 溫度檢測，因此溫度跟蹤快了 40 倍，可確保氣流與快速溫度變化條件下的最佳性能

- 高度集成的混合信號電路，搭配片上內(nèi)置穩(wěn)壓器、時間至數(shù)字轉(zhuǎn)換器（TDC）以及低噪聲鎖相環(huán)回路（PLL），對電源噪聲的免疫力提高了 5 倍，溫度分辨率達 30 uK，是石英 10 倍之多，且支持 1- 220 MHz 之間的任意頻率

新型電信基礎(chǔ)設(shè)施使用 4G/5G 小型基站和同步以太網(wǎng)絡(luò)來增加網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)容量；這些系統(tǒng)中使用大功率元件，會有很高和不斷變化的熱負載。當溫度快速變化時，高精度時鐘元件的動態(tài)性能就會成為這類型設(shè)備的關(guān)鍵要求。SIT9366在動態(tài)環(huán)境下原本表現(xiàn)就比較好，已成為石英技術(shù)一個相當有趣的替代方案。

SiT9366選型參數(shù)

振蕩器類型：差分振蕩器

頻率：1-220MHz之間任意頻率，可精確到小數(shù)點后6位

頻率穩(wěn)定性：±10ppm、±20ppm、±25ppm、±50ppm

相位抖動（rms）：0.23ps

輸出類型：LVPECL、LVDS、HCSL

工作溫度范圍：-20℃ ~ ＋70℃、-40℃ ~ ＋85℃、-40℃ ~ ＋90℃、-40℃ ~ ＋105℃

電源電壓：2.5V、2.8V、3.0V、3.3V

封裝類型：3.2mm x 2.5mm、5.0mm x 3.2mm、7.0mm x 5.0mm

SiT9366應(yīng)用

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