芯片制作的過(guò)程大體包括沙子原料的提純、拉晶（硅錠）、切片（晶圓）、光刻，蝕刻、離子注入、金屬沉積、金屬層、互連、晶圓測(cè)試與切割、核心封裝、等級(jí)測(cè)試等諸多步驟，而且每一步里邊又包含更多細(xì)致的過(guò)程。

在一個(gè)芯片中，需要分別制作出n型MOS晶體管與p型MOS晶體管。在各自的晶體管制作區(qū)域，以適當(dāng)?shù)臐舛鹊淖⑷敫鱾€(gè)晶體管所需的雜質(zhì)（n型MOS： p井，n溝道； p型MOS： n井，p溝道）。 另外，可通過(guò)追加摻入不同的雜質(zhì)及不同濃度的劑量來(lái)分別制作不同電壓/特征的晶體管。由于閘形成的尺寸也會(huì)對(duì)晶體管的性能產(chǎn)生重要影響，因此有必要對(duì)光刻膠形成以及柵極蝕刻進(jìn)行嚴(yán)格的尺寸管理。 并且，利用CVD法來(lái)沉積多晶硅可形成柵電極。

晶體管級(jí)別，六個(gè)晶體管的組合，大約500納米。在不同晶體管之間形成復(fù)合互連金屬層，具體布局取決于相應(yīng)處理器所需要的不同功能性。芯片表面看起來(lái)異常平滑，但事實(shí)上可能包含20多層復(fù)雜的電路，放大之后可以看到極其復(fù)雜的電路網(wǎng)絡(luò)，形如未來(lái)派的多層高速公路系統(tǒng)。

經(jīng)過(guò)一道道工藝之后，晶圓上就形成了一個(gè)個(gè)格狀的晶粒。通過(guò)針測(cè)的方式對(duì)每個(gè)晶粒進(jìn)行電氣特性檢測(cè)。一般每個(gè)芯片的擁有的晶粒數(shù)量是龐大的，組織一次針測(cè)試模式是非常復(fù)雜的過(guò)程，這要求了在生產(chǎn)的時(shí)候盡量是同等芯片規(guī)格構(gòu)造的型號(hào)的大批量的生產(chǎn)。

本文整合自：半導(dǎo)體行業(yè)觀察、雪球網(wǎng)

審核編輯：符乾江