隨著電腦和智能手機(jī)的普及，人們的生活已經(jīng)離不開(kāi)電子產(chǎn)品。隨著大數(shù)據(jù)技術(shù)的不斷發(fā)展和新軟件的增多，以后人們對(duì)智能產(chǎn)品的使用還會(huì)增加。這么多信息是如何存儲(chǔ)的呢，平常用到的存儲(chǔ)設(shè)備有哪些呢？

現(xiàn)在所有數(shù)字產(chǎn)品都是通過(guò)電子信號(hào)0，1傳輸，并且存儲(chǔ)的也是0，1兩種信號(hào)。計(jì)算機(jī)通過(guò)數(shù)字串0，1的變化，來(lái)完成各種運(yùn)算。對(duì)于數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，常用到的有硬盤(pán)、光盤(pán)和U盤(pán)。

在電子產(chǎn)品不是很普及的年代，人們常常使用錄音機(jī)來(lái)播放音樂(lè)，以前常用磁帶來(lái)儲(chǔ)存聲音信息。因?yàn)榇艓嫌胁煌判詮?qiáng)弱的磁粉，在工作時(shí)使感應(yīng)線圈產(chǎn)生微弱的感應(yīng)電流，然后放大成聲音。磁帶的信號(hào)不是數(shù)字信號(hào)，但是原理和光盤(pán)是有些類似的。

光盤(pán)上有一圈圈螺旋排列的信息坑，信息坑有長(zhǎng)度和間隔的不同。光盤(pán)上的信息坑，原理上來(lái)說(shuō)就是對(duì)應(yīng)的數(shù)字信號(hào)0，1。實(shí)際的光盤(pán)為了提高信息密度，會(huì)把電平變化部分表示為“1”，電平不變化部分表示為“0”。光驅(qū)上的激光頭發(fā)射光束，然后檢測(cè)從光盤(pán)反射回來(lái)的激光束來(lái)拾取信息。拾取出來(lái)的信息經(jīng)過(guò)解碼電路和解碼器后輸出數(shù)字信號(hào)，實(shí)現(xiàn)關(guān)盤(pán)內(nèi)容的提取和轉(zhuǎn)變。

電腦的機(jī)械硬盤(pán)原理和光盤(pán)有些類似，硬盤(pán)的信息記錄在硬磁性材料制成的盤(pán)片上。記錄在硬盤(pán)盤(pán)片上的數(shù)據(jù)是以通信圓的軌道形式排列的，一般將這些同心圓軌道成為磁道。在磁盤(pán)盤(pán)面上，每個(gè)磁道按512字節(jié)為單位劃分，也就是一個(gè)磁道會(huì)分成若干個(gè)弧段，這些弧段稱為扇區(qū)。這些以同心圓排列的磁道，越是靠近圓心則半徑越小，所以外圍磁道的扇區(qū)會(huì)必內(nèi)部磁道劃分的扇區(qū)多。通常操作系統(tǒng)會(huì)將相鄰的扇區(qū)組合在一起，稱之為簇，然后對(duì)簇進(jìn)行管理。硬盤(pán)的盤(pán)面設(shè)有磁頭，對(duì)盤(pán)片上的信息讀取或記錄。實(shí)際的機(jī)械硬盤(pán)有兩個(gè)專門(mén)的磁頭進(jìn)行讀或?qū)?，磁頭纏繞的線圈中通過(guò)電流時(shí)便產(chǎn)生磁場(chǎng)，通過(guò)磁場(chǎng)的磁道被磁化，實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)讀寫(xiě)。

對(duì)于固態(tài)硬盤(pán)來(lái)說(shuō)，整體結(jié)構(gòu)并不復(fù)雜。固態(tài)硬盤(pán)內(nèi)部有一塊PCB板，在PCB板上有有控制芯片，緩存芯片和儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的閃存芯片?？刂菩酒梢哉{(diào)配數(shù)據(jù)在存儲(chǔ)芯片上的負(fù)荷，也起到中轉(zhuǎn)存儲(chǔ)芯片和外部接口數(shù)據(jù)的作用。緩存芯片用來(lái)輔助主控芯片處理數(shù)據(jù)。固態(tài)硬盤(pán)發(fā)揮存儲(chǔ)功用的是NAND型Flash閃存芯片，占據(jù)了PCB板上比較大的位置。

U盤(pán)和手機(jī)的存儲(chǔ)器和固態(tài)硬盤(pán)一樣，也是使用NAND型Flash閃存芯片來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。

U盤(pán)寫(xiě)入數(shù)據(jù)“0”時(shí)向柵電極和漏電極施加高電壓，電子進(jìn)入浮動(dòng)?xùn)拧Ｗx取數(shù)據(jù)時(shí)，向柵電極施加一定電壓，電流大和小為0和1.浮動(dòng)?xùn)庞须娮訒r(shí)，數(shù)據(jù)為0，溝道中傳輸?shù)碾娮訒?huì)減少。浮動(dòng)?xùn)艣](méi)有電子時(shí)，數(shù)據(jù)為1，向柵電極和漏極施加電壓，源極和漏極間會(huì)有電流。

紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)的3DNAND閃存芯片，將帶來(lái)更高的存儲(chǔ)密度以及更短的產(chǎn)品上市周期。

近年來(lái)我國(guó)在集成電路領(lǐng)域不斷進(jìn)步，在芯片研發(fā)和制造上不斷有新成果，與一流產(chǎn)品的差距逐漸縮小。在整個(gè)芯片行業(yè)會(huì)需要更多的人才，國(guó)產(chǎn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片也會(huì)占領(lǐng)部分國(guó)際市場(chǎng)。在不遠(yuǎn)的未來(lái)，也會(huì)有更多中國(guó)制造業(yè)的高端產(chǎn)品面向世界。