今日，蘇州東微半導體股份有限公司發(fā)布了2021年年度報告摘要，內(nèi)容如下：

公司代碼：688261 公司簡稱：東微半導

蘇州東微半導體股份有限公司

2021年年度報告摘要

第一節(jié) 重要提示

1 本年度報告摘要來自年度報告全文，為全面了解本公司的經(jīng)營成果、財務狀況及未來發(fā)展規(guī)劃，投資者應當?shù)缴虾ＷC券交易所（www.sse.com.cn）網(wǎng)站仔細閱讀年度報告全文。

2 重大風險提示

公司已在本報告中描述可能存在的風險，敬請查閱“第三節(jié)管理層討論與分析”之“四、風險因素”部分，敬請投資者注意投資風險。

3 本公司董事會、監(jiān)事會及董事、監(jiān)事、高級管理人員保證年度報告內(nèi)容的真實性、準確性、完整性，不存在虛假記載、誤導性陳述或重大遺漏，并承擔個別和連帶的法律責任。

4 公司全體董事出席董事會會議。

5 天健會計師事務所（特殊普通合伙）為本公司出具了標準無保留意見的審計報告。

6 公司上市時未盈利且尚未實現(xiàn)盈利

□是 √否

7 董事會決議通過的本報告期利潤分配預案或公積金轉增股本預案

公司2021年度利潤分配預案為：

公司擬以實施權益分派股權登記日登記的總股本為基數(shù)，擬向全體股東每10股派發(fā)現(xiàn)金紅利3.30元（含稅）。截至2022年3月31日，公司總股本67，376，367股，以此計算合計擬派發(fā)現(xiàn)金紅利22，234，201.11元（含稅），本年度公司現(xiàn)金分紅金額占2021年度合并報表中歸屬于母公司股東的凈 利潤的比例為15.14%；公司不進行資本公積金轉增股本，不送紅股。

如在公司2021年年度利潤分配預案披露之日起至實施權益分派股權登記日期間公司總股本發(fā)生變動的，公司擬維持分配總額不變，相應調整每股分配比例。

以上利潤分配預案已經(jīng)公司第一屆董事會第九次會議審議通過，尚需公司2021年度股東大會審議通過。

8 是否存在公司治理特殊安排等重要事項

□適用 √不適用

第二節(jié) 公司基本情況

1 公司簡介

公司股票簡況

√適用 □不適用

公司存托憑證簡況

□適用 √不適用

聯(lián)系人和聯(lián)系方式

2 報告期公司主要業(yè)務簡介

（一） 主要業(yè)務、主要產(chǎn)品或服務情況

1、主要業(yè)務

公司是一家以高性能功率器件研發(fā)與銷售為主的技術驅動型半導體企業(yè)，產(chǎn)品專注于工業(yè)及汽車相關等中大功率應用領域。公司憑借優(yōu)秀的半導體器件與工藝創(chuàng)新能力，集中優(yōu)勢資源聚焦新型功率器件的開發(fā)，是國內(nèi)少數(shù)具備從專利到量產(chǎn)完整經(jīng)驗的高性能功率器件設計公司之一，并在應用于工業(yè)級及汽車級領域的高壓超級結MOSFET、中低壓功率器件等產(chǎn)品領域實現(xiàn)了國產(chǎn)化替代。此外，公司基于自主專利技術開發(fā)出650V、1200V及1350V等電壓平臺的多種TGBT器件，已批量進入光伏逆變、儲能、直流充電樁、電機驅動等應用領域的多個頭部客戶。

2、主要產(chǎn)品

公司的主要產(chǎn)品包括GreenMOS系列高壓超級結MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列中低壓屏蔽柵MOSFET、以及TGBT系列IGBT產(chǎn)品。公司的產(chǎn)品廣泛應用于以新能源汽車直流充電樁、車載充電機、5G基站電源及通信電源、數(shù)據(jù)中心服務器電源、儲能和光伏逆變器、UPS電源和工業(yè)照明電源為代表的工業(yè)級應用領域，以及以PC電源、適配器、TV電源板、手機快速充電器為代表的消費電子應用領域。

公司上述產(chǎn)品的具體介紹如下：

公司上述產(chǎn)品的具體介紹如下：

（1）高壓超級結MOSFET

公司的高壓超級結MOSFET產(chǎn)品主要為GreenMOS產(chǎn)品系列，全部采用超級結的技術原理，具有開關速度快、動態(tài)損耗低、可靠性高的特點及優(yōu)勢。

公司GreenMOS高壓超級結功率器件的各系列特點以及介紹如下表所示：

（2）中低壓屏蔽柵MOSFET

公司的中低壓MOSFET產(chǎn)品均采用屏蔽柵結構，主要包括SFGMOS產(chǎn)品系列以及FSMOS產(chǎn)品系列。其中，公司的SFGMOS產(chǎn)品系列采用自對準屏蔽柵結構，兼?zhèn)淞藗鹘y(tǒng)平面結構和屏蔽柵結構的優(yōu)點，并具有更高的工藝穩(wěn)定性、可靠性及更快的開關速度、更小的柵電荷和更高的應用效率等優(yōu)點。公司SFGMOS系列中低壓功率器件產(chǎn)品涵蓋25V-150V工作電壓，可廣泛應用于電機驅動、同步整流等領域。

公司的FSMOS產(chǎn)品系列采用基于硅基工藝與電荷平衡原理的新型屏蔽柵結構，兼?zhèn)淦胀╒DMOS與分裂柵器件的優(yōu)點，具有更高的工藝穩(wěn)定性、可靠性、較低的導通電阻與器件的優(yōu)值以及更高的應用效率與系統(tǒng)兼容性。

公司中低壓MOSFET功率器件各系列的具體介紹如下表所示：

（3）超級硅MOSFET

公司的超級硅MOSFET產(chǎn)品是公司自主研發(fā)、性能對標氮化鎵功率器件產(chǎn)品的高性能硅基MOSFET產(chǎn)品。公司的超級硅MOSFET產(chǎn)品通過調整器件結構、優(yōu)化制造工藝，突破了傳統(tǒng)硅基功率器件的速度瓶頸，在電源應用中達到了接近氮化鎵功率器件開關速度的水平。特別適用于各種高密度高效率電源，包括直流充電樁、通信電源、工業(yè)照明電源、快速充電器、模塊轉換器、快充超薄類PC適配器、TV電源板等。

（4）TGBT

公司的IGBT產(chǎn)品采用具有獨立知識產(chǎn)權的TGBT器件結構，區(qū)別于國際主流IGBT技術的創(chuàng)新型器件技術，通過對器件結構的創(chuàng)新實現(xiàn)了關鍵技術參數(shù)的大幅優(yōu)化，公司已有產(chǎn)品的工作電壓范圍覆蓋600V-1350V，工作電流覆蓋15A-120A。公司的TGBT系列IGBT功率器件已逐漸發(fā)展出低導通壓降、電機驅動、軟恢復二極管、逆導、高速和超高速等系列。其中，高速系列的開關頻率可達100kHz；低導通壓降系列的導通壓降可降低至1.5V及以下；超低導通壓降系列的導通壓降可達1.2V以下；軟恢復二極管系列則適用于變頻電路及逆變電路；650V及1350V的逆導系列在芯片內(nèi)部集成了續(xù)流二極管，同時實現(xiàn)了低導通壓降與快速開關的特點，適合在高壓諧振電路中使用。

公司的IGBT產(chǎn)品在不提高制造難度的前提下提升了功率密度，優(yōu)化了內(nèi)部載流子分布，調整了電場與電荷的分布，同時優(yōu)化了導通損耗與開關損耗，具有高功率密度、開關損耗低、可靠性高、自保護等特點，特別適用于直流充電樁、變頻器、儲能逆變器、UPS電源、電機驅動、電焊機、光伏逆變器等領域。

（二） 主要經(jīng)營模式

公司作為專業(yè)的半導體功率器件設計及研發(fā)企業(yè)，自成立以來始終采用Fabless的經(jīng)營模式。Fabless模式指無晶圓廠模式，采用該模式的企業(yè)專注于芯片的研發(fā)設計與銷售，將晶圓制造、封裝、測試等生產(chǎn)環(huán)節(jié)外包給第三方晶圓制造和封裝測試企業(yè)完成。

1、研發(fā)模式

公司產(chǎn)品的研發(fā)流程主要包括產(chǎn)品開發(fā)需求信息匯總、立項評估與可行性評估、項目設計開發(fā)、產(chǎn)品試制以及測試驗證等四個環(huán)節(jié)。該四項環(huán)節(jié)主要由研發(fā)部、運營部等合作完成，同時，研發(fā)部質量團隊會全程參與產(chǎn)品研發(fā)的所有環(huán)節(jié)，監(jiān)督各環(huán)節(jié)的執(zhí)行過程，以在全環(huán)節(jié)實現(xiàn)對產(chǎn)品質量的管控。公司已制定《產(chǎn)品開發(fā)管理程序》，產(chǎn)品研發(fā)流程嚴格遵守該制度約定流程，并通過產(chǎn)品生命周期管理系統(tǒng)進行產(chǎn)品開發(fā)管控。

公司的產(chǎn)品研發(fā)流程具體如下圖所示：

公司根據(jù)各產(chǎn)品類型的市場需求與技術發(fā)展方向制定技術路線圖，并結合晶圓代工和封裝廠商的實際制造能力、現(xiàn)有工藝和封測加工能力進行產(chǎn)品開發(fā)和設計工作。在產(chǎn)品研發(fā)設計過程中，公司同時關注并協(xié)助開發(fā)適合于晶圓廠和封裝廠的工藝流程。同時，公司具有深度定制開發(fā)的能力。在產(chǎn)品研發(fā)階段，公司與晶圓代工廠深度合作、共同研發(fā)，通過多次反復實驗調整，使代工廠的工藝能更好地實現(xiàn)公司所設計芯片的性能，最終推出極具性價比的產(chǎn)品，更好地貼合終端客戶的需求。通過對代工廠傳統(tǒng)工藝的優(yōu)化，公司有能力根據(jù)終端市場需求精確調整產(chǎn)品的設計。公司會與晶圓廠進行季度技術回顧與季度業(yè)務回顧，并陪同客戶定期到晶圓廠進行審核。同時，晶圓廠也會定期向公司提供制程能力管控數(shù)據(jù)及外觀檢測報告。同時，公司也會對封測廠進行定期稽核，召開QBR并要求提供CPK數(shù)據(jù)、封裝良率及測試良率的報告。公司也會定期對廠家的管控計劃提出意見，以保證產(chǎn)品質量。

2、采購與生產(chǎn)模式公司采購的內(nèi)容主要為定制化晶圓制造、封裝及測試服務，以及實驗室設備的采購。在Fabless模式中，公司主要進行功率器件產(chǎn)品的研發(fā)、銷售與質量管控，產(chǎn)品的生產(chǎn)采用委外加工的模式完成，即公司將自主研發(fā)設計的集成電路版圖交由晶圓廠進行晶圓制造，隨后將制造完成的晶圓交由封測廠進行封裝和測試。公司的晶圓代工廠商和封裝測試服務供應商均為行業(yè)知名企業(yè)。公司建立了以質量部為核心的質量管理體系，有效提高了公司產(chǎn)品和服務的整體質量。公司擁有研發(fā)部、運營部、銷售部等多個業(yè)務部門，且各部門職能相對獨立；同時，公司的質量部協(xié)助其他部門制定其操作規(guī)范、記錄和整理日常的工作文檔、監(jiān)督和指導各部門的工作和質量控制流程，其貫穿產(chǎn)品開發(fā)、生產(chǎn)、運營和銷售的整個過程。

3、銷售模式結合行業(yè)慣例和客戶需求情況，公司目前采用“經(jīng)銷加直銷”的銷售模式，即公司通過經(jīng)銷商銷售產(chǎn)品，也向終端系統(tǒng)廠商直接銷售產(chǎn)品。在經(jīng)銷模式下，公司與經(jīng)銷商的關系主要為買斷式銷售關系，公司將產(chǎn)品送至經(jīng)銷商或者經(jīng)銷商指定地點；在直銷模式下，公司直接將產(chǎn)品銷售給終端客戶，公司將產(chǎn)品送至客戶指定地點。

公司建立了完善的客戶管理制度，對于長期合作客戶，公司與其簽訂框架合作協(xié)議，并安排專員提供全方位服務；對于其他客戶，公司根據(jù)訂單向其供貨。半導體行業(yè)上下游之間粘性較強，公司產(chǎn)品需要通過較為嚴格的質量認證測試，一旦受到客戶的認可和規(guī)模化使用后，雙方將形成長期穩(wěn)定的合作關系。

4、管理模式自創(chuàng)立以來，公司匯聚了國內(nèi)外優(yōu)秀的技術和管理專家，積累了豐富的產(chǎn)品開發(fā)和營銷經(jīng)驗，經(jīng)過多年的摸索和融合，逐漸建立了符合自身發(fā)展的管理理念和管理體系。公司在日常管理中采用了關鍵績效指標管理和綜合評分制，會與每個員工明確各自的主要責任，并以此為基礎設立相應的業(yè)績衡量指標。從管理架構上，公司采取矩陣式管理。矩陣式管理既保持了產(chǎn)品開發(fā)及售后維護的專業(yè)性，不斷提高和積累技術能力，又能明確項目的責任人和各成員的分工和目標，以確保相應任務高質量完成。

（三）所處行業(yè)情況

1.行業(yè)的發(fā)展階段、基本特點、主要技術門檻

（1）所處行業(yè)公司是一家以高性能功率器件研發(fā)與銷售為主的技術驅動型半導體企業(yè)，根據(jù)中國證監(jiān)會《上

市公司行業(yè)分類指引》（2012年修訂），公司屬于“制造業(yè)”中的“計算機、通信和其他電子設備制造業(yè)”，行業(yè)代碼“C39”。根據(jù)中華人民共和國國家統(tǒng)計局發(fā)布的《國民經(jīng)濟行業(yè)分類（GB/T4754-2017）》，公司所處行業(yè)為“計算機、通信和其他電子設備制造業(yè)”（C39），所處行業(yè)屬于半導體行業(yè)中的功率半導體細分領域。

（2）行業(yè)發(fā)展概況

1.全球市場分析

在功率半導體發(fā)展過程中，20世紀50年代，功率二極管、功率三極管面世并應用于工業(yè)和電力系統(tǒng)。20世紀60至70年代，晶閘管等半導體功率器件快速發(fā)展。20世紀70年代末，平面型功率MOSFET發(fā)展起來。20世紀80年代后期，溝槽型功率MOSFET和IGBT逐步面世，半導體功率器件正式進入電子應用時代。20世紀90年代，超級結MOSFET逐步出現(xiàn)，打破了傳統(tǒng)硅基產(chǎn)品的性能限制以滿足大功率和高頻化的應用需求。對國內(nèi)市場而言，功率二極管、功率三極管、晶閘管等分立器件產(chǎn)品大部分已實現(xiàn)國產(chǎn)化，而功率MOSFET特別是超級結MOSFET、IGBT等高端分立器件產(chǎn)品由于其技術及工藝的復雜度，還較大程度上依賴進口，未來進口替代空間巨大。根據(jù)Omdia預測，2019年全球功率半導體市場規(guī)模約為464億美元，預計至2024年市場規(guī)模將增長至522億美元，2019-2024的年化復合增長率為2.4%。

2.中國市場分析

目前國內(nèi)功率半導體產(chǎn)業(yè)鏈正在日趨完善，技術也正在取得突破。同時，中國也是全球最大的功率半導體消費國，2019年市場規(guī)模達到177億美元，增速為-3.3%，占全球市場比例高達38%。預計未來中國功率半導體將繼續(xù)保持平穩(wěn)增長，2024年市場規(guī)模有望達到206億美元，2019-2024年的年化復合增長率達3.1%。

3.分產(chǎn)品市場分析

A.MOSFET

MOSFET行業(yè)已處于穩(wěn)定發(fā)展期。2021年，受到消費類產(chǎn)品需求景氣、供給端原材料供應緊張的雙重影響，MOSFET器件價格出現(xiàn)較明顯漲幅。根據(jù)Omdia預計，在全球5G基礎設施和5G手機、PC及云服務器、電動汽車、新基建等市場推動下，全球MOSFET將持續(xù)增長，2022-2025年間市場有望維持1.3%的復合增速。2020年中國MOSFET器件市場規(guī)模為35.19億美元，預計2021年市場規(guī)模達37.92億美元，增長率為7.75%。對國內(nèi)市場而言，功率二極管、功率三極管、晶閘管等分立器件產(chǎn)品大部分已實現(xiàn)國產(chǎn)化，而功率MOSFET特別是超級結MOSFET、IGBT等高端分立器件產(chǎn)品由于其技術及工藝的復雜度，還較大程度上依賴進口，未來進口替代空間巨大。

相較于普通硅基MOSFET功率器件，高壓超級結MOSFET功率器件系更先進、更適用于大電流環(huán)境下的高性能功率器件。盡管未來在第三代半導體材料成熟后會有相應器件的推出，但是由于高壓超級結MOSFET的產(chǎn)品特性、生產(chǎn)成本等方面對于新能源等成長性應用領域的需求較為契合，行業(yè)生態(tài)不斷向更高性能的產(chǎn)品演進，因此，未來高壓超級結MOSFET行業(yè)增速有望超過中低壓產(chǎn)品。在5G基站持續(xù)建設及新能源汽車相關需求放量的推動下，新能源汽車、5G基站等新興的下游終端市場對超級結MOSFET的需求預計將高速增長。

B.IGBT器件國家在“十四五”期間將堅持清潔低碳戰(zhàn)略方向，加快化石能源清潔高效利用，大力推動非化石能源發(fā)展，持續(xù)擴大清潔能源消費占比，推動能源綠色低碳轉型，為如期實現(xiàn)碳中和目標創(chuàng)造基礎。光伏發(fā)電作為綠色環(huán)保的發(fā)電方式，符合國家能源改革以質量效益為主的發(fā)展方向，國內(nèi)光伏行業(yè)面臨廣闊的發(fā)展前景。汽車電動化、網(wǎng)聯(lián)化、智能化發(fā)展趨勢帶動汽車半導體需求大幅度增長。IGBT除了光伏發(fā)電、新能源汽車也常被用于風電、工控、家電、軌交等領域，受益于碳中和趨勢推動，IGBT迎來廣闊的成長空間。

光伏逆變器。根據(jù)首創(chuàng)證券《IGBT市場專題研究：光伏IGBT規(guī)模測算》，中國光伏行業(yè)協(xié)會預測2025年全球光伏逆變器新增裝機量有望達330GW，假設2025年光伏逆變器替換裝機量為42GW，按照IGBT占組串式逆變器BOM成本的18%以及占集中式逆變器BOM成本的15%計算，預計2025年光伏逆變器IGBT市場規(guī)模將超百億。由于微型及單相逆變器功率較小，假設全部采用IGBT單管方案，同時假設高功率三相逆變器全部采用IGBT模塊方案、低功率三相逆變器IGBT單管和模塊方案各占1/2，預計2025年IGBT單管市場空間約為40億元。

車規(guī)級IGBT產(chǎn)品。IGBT在新能源汽車中發(fā)揮著至關重要的作用，主要被運用在新能源電機控制器、車載空調、充電樁等設備中。根據(jù)DigitimesResearch的數(shù)據(jù)，新能源汽車中，電機驅動系統(tǒng)是關鍵成本之一，約占整車成本的15-20%，而IGBT約占電機驅動系統(tǒng)成本的一半，因此，IGBT約占新能源汽車成本的7-10%，其動力性能越強，所需要的IGBT組件數(shù)量就越多，中國乃至全球新能源汽車的發(fā)展將大力促進IGBT的發(fā)展。根據(jù)乘聯(lián)會、Marklines統(tǒng)計數(shù)據(jù)：預計2025年電動車IGBT市場規(guī)模達572億元。

（3）行業(yè)的主要特點

①功率半導體器件專注于技術和工藝改進以及新材料迭代功率半導體器件屬于特色工藝產(chǎn)品，不同于集成電路產(chǎn)品依賴尺寸，在制程方面不追求極致的線寬，不遵守摩爾定律。功率半導體器件的性能演進呈現(xiàn)平緩的趨勢，目前制程基本穩(wěn)定在90nm-0.35μm之間。功率器件發(fā)展的關鍵點主要包括技術創(chuàng)新、制造工藝升級、封裝技術及基礎材料的迭代。

②IDM與Fabless模式并存，技術迭代與產(chǎn)能供給同步發(fā)展目前，半導體企業(yè)采用的經(jīng)營模式可以分為IDM模式和Fabless模式。IDM模式為垂直整合元件制造模式，系早期半導體企業(yè)廣泛采用的模式，采用該模式的企業(yè)可以獨立完成芯片設計、晶圓制造、封裝和測試等各垂直的生產(chǎn)環(huán)節(jié)。Fabless模式指無晶圓廠模式，采用該模式的企業(yè)專注于芯片的研發(fā)設計與銷售，將晶圓制造、封裝、測試等生產(chǎn)環(huán)節(jié)外包給第三方晶圓制造和封裝測試企業(yè)完成。IDM模式具有技術的內(nèi)部整合優(yōu)勢，有利于積累工藝經(jīng)驗，形成核心競爭力。隨著芯片終端產(chǎn)品和應用的日益繁雜，芯片設計難度快速提升，研發(fā)所需的資源和成本持續(xù)增加，促使全球半導體產(chǎn)業(yè)分工細化，F(xiàn)abless模式已成為芯片設計企業(yè)的主流經(jīng)營模式之一。另外由于半導體行業(yè)的周期性，IDM公司極容易受制于原有固定產(chǎn)能，陷入被動局面。因此，行業(yè)整體呈現(xiàn)IDM模式與Fabless模式共存的局面，同時也是功率半導體企業(yè)商業(yè)模式未來的發(fā)展方向，既能隨市場波動及時擴大或減少產(chǎn)能，也可以就近滿足區(qū)域性市場需求。

③多細分場景需求日益多元，依賴特色工藝平臺的定制化能力隨著物聯(lián)網(wǎng)、云計算等新一代信息技術的快速發(fā)展，功率半導體行業(yè)多細分應用場景需求趨于多元化。該領域企業(yè)從主營產(chǎn)品系列具體到料號、規(guī)格、電壓、電流、面積、導通電阻、封裝、技術特點及應用領域，可交叉組合形成數(shù)千種產(chǎn)品型號。功率半導體產(chǎn)品由于根據(jù)客戶定制要求所產(chǎn)生的的細分需求多樣化，因而企業(yè)想要在行業(yè)內(nèi)獲得足夠的市場競爭力，對于特色化工藝平臺的定制化能力要求極高。

（4）主要技術門檻

功率半導體器件的研發(fā)、設計需要企業(yè)研發(fā)團隊綜合掌握器件結構、晶圓制造工藝、封裝測試等多領域的技術。在功率半導體器件中，超級結MOSFET、高性能IGBT、高性能SGTMOSFET、SiCMOSFET及GaNHEMT的技術門檻較高。上述這些功率器件中，器件的性能一方面可以通過改進核心器件結構的設計來提升性能，另一方面可以通過改進制造工藝或材料來達到目的。作為Fabless設計企業(yè)，研發(fā)設計人員一方面需持續(xù)跟蹤掌握國際先進技術理論、先進工藝方法，另一方面還需不斷提出創(chuàng)新的器件結構來實現(xiàn)性能上的大幅提升。

功率器件不僅要保持在不同電流、電壓、頻率等應用環(huán)境下穩(wěn)定工作，還需保持開關損耗、導通損耗、抗沖擊能力、耐壓、效率等性能上進行平衡，這些性能均需經(jīng)過大量的仿真設計和流片驗證。此外，下游客戶不僅對功率半導體的性能和成本提出了差異化的要求，還對產(chǎn)品在各種應用環(huán)境下的耐久可靠性提出較高的要求，因此研發(fā)設計人員還需掌握不同應用的電路拓撲及可靠性改進方法。因此，企業(yè)研發(fā)及工程團隊需要擁有豐富的技術工藝經(jīng)驗、持續(xù)技術創(chuàng)新能力、芯片產(chǎn)業(yè)化等能力，才能持續(xù)保持市場競爭優(yōu)勢地位。新進入者若缺乏上述的條件，則難以實現(xiàn)持續(xù)的業(yè)務增長和保持技術上的領先。

2.公司所處的行業(yè)地位分析及其變化情況

基于多年的技術優(yōu)勢積累、產(chǎn)業(yè)鏈深度結合能力以及優(yōu)秀的客戶創(chuàng)新服務能力，公司已成為國內(nèi)領先的高性能功率器件廠商之一。

（1）、產(chǎn)品品類方面

在超級結領域，公司在高壓超級結技術領域積累了包括優(yōu)化電荷平衡技術、優(yōu)化柵極設計及緩變電容核心原胞結構等行業(yè)領先的專利技術，產(chǎn)品的關鍵技術指標達到了與國際領先廠商可比的水平。

在中低壓屏蔽柵MOSFET領域，公司亦積累了包括優(yōu)化電荷平衡、自對準加工等核心技術，產(chǎn)品的關鍵技術指標達到了國內(nèi)領先水平。

在IGBT領域，公司的TGBT是基于新型的TridentGateBipolarTransistor（簡稱Tri-gateIGBT）器件結構的重大原始創(chuàng)新，基于此基礎器件專利，具備了趕超目前國際最為先進的第七代IGBT芯片的技術實力。

（2）、產(chǎn)品結構方面

公司的功率器件產(chǎn)品以具有更高技術含量的高壓超級結MOSFET產(chǎn)品為主。報告期內(nèi)，公司的高壓超級結MOSFET產(chǎn)品銷售收入占比為72.70%。由于高壓超級結產(chǎn)品應用廣泛且國外廠商仍占據(jù)了較大的市場份額，公司在此領域內(nèi)擁有廣闊的進口替代空間，發(fā)展空間巨大。

公司的創(chuàng)新型Tri-gateIGBT器件產(chǎn)品在2021年上半年開始送樣認證并少量出貨，2021年下半年則迅速起量，順利對基于傳統(tǒng)trench-gateFS-IGBT技術的芯片進行替代，表現(xiàn)出高速增長的態(tài)勢。

（3）、產(chǎn)品應用領域方面公司的產(chǎn)品以工業(yè)級應用為主，同時也進入了車載電子應用。應用領域包括新能源汽車車載充電機、新能源汽車直流充電樁、5G基站電源及通信電源、數(shù)據(jù)中心服務器電源和工業(yè)照明電源、光伏逆變及儲能等。由于工業(yè)級應用對功率半導體產(chǎn)品的性能和可靠性要求普遍高于消費級應用，其產(chǎn)品平均單價也較消費級應用的產(chǎn)品平均單價更高。

3.報告期內(nèi)新技術、新產(chǎn)業(yè)、新業(yè)態(tài)、新模式的發(fā)展情況和未來發(fā)展趨勢

（1）新技術的發(fā)展情況及未來發(fā)展趨勢

1）工藝進步、器件結構改進加速產(chǎn)品迭代

采用新型器件結構的高性能MOSFET功率器件可以實現(xiàn)更好的性能，從而導致采用傳統(tǒng)技術的功率器件的市場空間被升級替代。造成該等趨勢的主要原因是高性能功率器件的生產(chǎn)工藝不斷進行技術演進，當采用新技術的高性能MOSFET功率器件生產(chǎn)工藝演進到成熟穩(wěn)定的階段時，就會對現(xiàn)有的功率MOSFET進行替代。同時，隨著各個應用領域對性能和效率的要求不斷提升，也需要采用更高性能的功率器件以實現(xiàn)產(chǎn)品升級。因此，高性能MOSFET功率器件會不斷擴大其應用范圍，實現(xiàn)市場的普及。未來的5年中會出現(xiàn)新技術不斷擴大市場應用領域的趨勢。具體而言，溝槽MOSFET將替代部分平面MOSFET；屏蔽柵MOSFET將進一步替代溝槽MOSFET；超級結MOSFET將在高壓領域替代更多傳統(tǒng)的VDMOS。

2）第三代半導體材料功率器件的替代趨勢第三代半導體材料主要為碳化硅和氮化鎵，具有禁帶寬度大、電子遷移率高、熱導率高的特點，在高溫、高壓、高功率和高頻的領域有機會取代部分硅材料。首先，由于新能源汽車、5G等新技術的應用及需求迅速增加，第三代半導體的產(chǎn)業(yè)化變得更加迫切。得益于SiCMOSFET在高溫下更好的表現(xiàn)，SiCMOSFET在汽車電控中將逐步對硅基IGBT模塊進行替代。根據(jù)Yole的數(shù)據(jù)，2019年應用在新能源汽車的SiC器件市場規(guī)模為2.25億美元，預計到2025年將增長至15.53億美元，復合增長率為38%。第三代半導體材料仍然處于產(chǎn)業(yè)化起步階段，國內(nèi)已發(fā)布多個政策積極推進第三代半導體行業(yè)的發(fā)展，例如2019年國務院發(fā)布《長江三角洲區(qū)域一體化發(fā)展規(guī)劃綱要》，提出要加快培育一批第三代半導體企業(yè)。

3）功率器件集成化趨勢

除了MOSFET功率器件在結構及工藝方面的優(yōu)化外，終端領域的高功率密度需求也帶動了功率器件的模塊化和集成化。在中大功率應用場景中，客戶更傾向于使用大功率模塊。由于大功率模塊需要多元件電氣互聯(lián)，同時要考慮高溫失效和散熱問題，其封裝工藝和結構更復雜；在小功率應用場景中，功率器件被封裝到嵌入式封裝模塊中來提高集成度從而減小整體方案的體積。目前，工業(yè)領域仍是功率模塊的主要應用領域。而芯片技術的提升可有效提高模塊的集成度和綜合性能，降低成本，是模塊技術提升的重要因素。

（2）新產(chǎn)業(yè)、新業(yè)態(tài)、新模式的發(fā)展情況及未來發(fā)展趨勢

受益于新能源汽車和5G產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展，充電樁、5G通信基站及車規(guī)級等市場對于高性能功率器件的需求將不斷增加，高壓超級結MOSFET為代表的高性能產(chǎn)品在功率器件領域的市場份額以及重要性將不斷提升。

1）充電樁

2020年，充電樁被列入國家七大“新基建”領域之一。2020年5月兩會期間，《政府工作報告》中強調“建設充電樁，推廣新能源汽車，激發(fā)新消費需求、助力產(chǎn)業(yè)升級”。公安部交通管理局公布數(shù)據(jù)顯示，截至2021年底，全國新能源汽車保有量達784萬輛，占汽車總量的2.60%，與上年相比增長59.25%。其中，純電動汽車保有量640萬輛，占新能源汽車總量的81.63%。2021年全國新注冊登記新能源汽車295萬輛，占新注冊登記汽車總量的11.25%，與上年相比增加178萬輛，增長151.61%。近五年，新注冊登記新能源汽車數(shù)量從2017年的65萬輛到2021年的295萬輛，呈高速增長態(tài)勢。

伴隨新能源汽車保有量的高速增長，新能源充電樁作為配套基礎設施亦實現(xiàn)了快速增長。根據(jù)中國電動汽車充電基礎設施促進聯(lián)盟（EVCIPA）發(fā)布的數(shù)據(jù)（如下圖所示），截至2021年底，全國充電樁保有量達261.7萬臺，較2020年新增94萬臺，同比增長56%。2017-2021年，全國充電樁保有量從44.6萬臺增加至261.7萬臺，5年復合增長率達56%。截至2021年底，全國合計公共充電樁114.7萬臺，較2020年新增34萬臺，同比增長42%，2021年月均新增公共充電樁約2.83萬臺。其中直流充電樁47萬臺、交流充電樁67.7萬臺、交直流一體充電樁589臺。

“新基建”對充電樁的建設驅動主要在以下幾方面：①驅動公共樁建設提質且區(qū)域均衡發(fā)展，直流樁占比將持續(xù)提升，省份間差異有望縮小。②推動優(yōu)質場站建設，完善配套設施申報流程辦理。③推動小區(qū)、商場等停車位充電樁建設。④促進對運營商的建設與充電運營流程支持。

充電樁按充電能力分類，以處理不同的用例場景。按照不同的充電技術分類，充電樁可分為四大類：直流充電、交流充電、無線充電、更換電池。

自2018年以來，我國公共充電樁以直流充電樁和交流充電樁兩大類為主，交直流充電樁占比極小。2017年至2019年，直流充電樁的占比從28.7%上升至41.6%，占比提升較快。2019年至2021年，直流充電樁和交流充電樁的占比結構相對穩(wěn)定，交流充電樁占比保持約六成左右，直流充電樁占比保持約四成左右。高端三相交流樁主要使用三相維也納輸入整流器（PowerFactorCorrection，“PFC”），其中部分功率器件的領先解決方案使用了超級結MOSFET。

在公共直流充電樁所需的工作功率和電流要求下，其采用的功率器件以高壓MOSFET為主。超級結MOSFET因其更低的導通損耗和開關損耗、高可靠性、高功率密度成為主流的充電樁功率器件應用產(chǎn)品，具體應用于充電樁的功率因數(shù)校正（PowerFactorCorrection，“PFC”）、直流-直流變換器以及輔助電源模塊等。超級結MOSFET將充分受益于充電樁的快速建設。據(jù)英飛凌統(tǒng)計，100kW的充電樁需要功率器件價值量在200-300美元，預計隨著充電樁的不斷建設，功率器件尤其是超級結MOSFET將迎來高速發(fā)展機遇。

2）5G基站

工業(yè)和信息化部發(fā)布的《2021年通信業(yè)統(tǒng)計公報》顯示：截至2021年底，我國累計建成并開通5G基站142.5萬個，全年新增5G基站數(shù)達到65.4萬個。建成全球最大5G網(wǎng)，實現(xiàn)覆蓋所有地級市城區(qū)、超過98%的縣城城區(qū)和80%的鄉(xiāng)鎮(zhèn)鎮(zhèn)區(qū)。我國5G基站總量占全球60%以上，每萬人擁有5G基站數(shù)達到10.1個，比上年末提高近1倍。超300個城市啟動千兆光纖寬帶網(wǎng)絡建設。2022年2月28日，國新辦舉行促進工業(yè)和信息化平穩(wěn)運行和提質升級發(fā)布會，表示2022年要新建60萬5G基站以上，基站總數(shù)于2022年底達到200萬個。

5G建設將從四個方面拉動功率半導體需求，包括：1）5G基站功率更高、建設更為密集，帶來更大的電源供應需求；2）射頻端功率半導體用量提升；3）霧計算為功率半導體帶來增量市場；以及4）云計算拉動計算用功率半導體用量。

①5G基站帶來更多的電源供應需求。

根據(jù)華為官網(wǎng)公布的數(shù)據(jù)顯示，4G基站所需功率為6.877kW，而5G基站所需功率為11.577kW，提升幅度達到68%。對于多通道基站，功率要求甚至可能達到20kW。更高的覆蓋密度、更大的功率需求對MOSFET等功率器件產(chǎn)生了更大的需求。

基站數(shù)量方面，5G通信頻譜分布在高頻段，信號衰減更快，覆蓋能力大幅減弱，相比于4G，通信信號覆蓋相同的區(qū)域，5G基站的數(shù)量將大幅增加。根據(jù)新PCB產(chǎn)業(yè)研究所調查，目前4G基站的分布密度為密集城市中心區(qū)域500米/個，郊區(qū)1，500米/個，農(nóng)村5，000米/個。5G覆蓋城市中心區(qū)域大約需要250米/個，郊區(qū)750米/個，農(nóng)村2，000米/個，總體基站數(shù)量需求是4G的2-3倍。

②MassiveMIMO技術的采用使得基站射頻端需要4倍于原來的功率半導體。

MIMO即多進多出，指在發(fā)送端和接收端都使用多根天線、在收發(fā)之間構成多個信道的天線系統(tǒng)，可以極大地提高信道容量。MassiveMIMO即大規(guī)模天線，可以在不增加頻譜資源和天線發(fā)送功率的情況下，提升系統(tǒng)信道容量和信號覆蓋范圍。數(shù)量上，傳統(tǒng)網(wǎng)絡天線的通道數(shù)為2/4/8個，而MassiveMIMO通道數(shù)可以達到64/128/256個。信號覆蓋維度上，傳統(tǒng)MIMO為2D覆蓋，信號只能在水平方向移動，不能在垂直方向移動，類似與平面發(fā)射。而MassiveMIMO的信號輻射狀是電磁波束，可以利用垂直維度空域。

5G網(wǎng)絡主要部署在高頻頻段，即毫米波頻段（mmWave）。因接收功率與波長的平方成正比，毫米波的信號衰減嚴重，而發(fā)射功率又受到限制，所以5G網(wǎng)絡部署需要增加發(fā)射天線和接收天線的數(shù)量，使用MassiveMIMO技術。根據(jù)英飛凌的統(tǒng)計，傳統(tǒng)MIMO天線需要的功率半導體價值大約為25美元，而過渡為MassvieMIMO天線陣列后，所需的MOSFET等功率半導體價值增加至100美元，達到原來的4倍。

③霧計算中心的出現(xiàn)帶來全新增量市場。

與云計算相比，霧計算所采用的架構呈分布式，更接近網(wǎng)絡邊緣。霧計算將數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)處理和應用程序集中在網(wǎng)絡邊緣的設備中，數(shù)據(jù)的存儲及處理更依賴本地設備，本地運算設備的增加帶動MOSFET用量提升。

④5G時代數(shù)據(jù)量大幅增加，云計算中心擴容帶動功率半導體用量提升。

一方面，5G具備更高的速率，其理論上能提供最高10Gbps的峰值傳輸速率，相比于4G100Mbps的峰值速率提升了100倍，使得蜂窩網(wǎng)絡傳輸承載的數(shù)據(jù)量變大。另一方面，5G大連接的特性推動了物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)的發(fā)展，眾多物聯(lián)網(wǎng)終端均是數(shù)據(jù)的提供者。數(shù)據(jù)量的快速提升創(chuàng)造了巨大的數(shù)據(jù)運算需求，推動了云計算中心的擴容，整體運算功率提升，增加了超級結MOSFET等功率半導體的應用需求。

綜上所述，5G通信基站建設將帶來巨大的功率半導體需求，主要驅動力來自于基站密集度和功率要求、MassiveMIMO射頻天線、霧運算和云計算的需求提升。

3）車規(guī)級應用

①新能源汽車市場規(guī)模新能源汽車具有成本、效率和環(huán)保等優(yōu)勢。隨著產(chǎn)業(yè)鏈逐步成熟、消費者認知度提高、產(chǎn)品多元化以及使用環(huán)境的優(yōu)化和改進，新能源汽車越來越受到消費者的認可，預計未來新能源汽車的滲透率將不斷提高。

與傳統(tǒng)內(nèi)燃機汽車相比，包括了輕度混合動力汽車、插電式混合動力汽車和純電動汽車的新能源車型的滲透率增長迅速。2023年新能源車產(chǎn)量將超過新車總產(chǎn)量的25%，到2027年這一比例將提高到50%以上。截至2021年底，全國新能源汽車保有量達784萬輛，占汽車總量的2.60%，與上年相比增長59.25%。其中，純電動汽車保有量640萬輛，占新能源汽車總量的81.63%。

②車規(guī)級功率半導體

隨著汽車電動化、智能化、網(wǎng)聯(lián)化的變動趨勢，新能源汽車對能量轉換的需求不斷增強，汽車電子將迎來結構性變革，推動車規(guī)級功率器件發(fā)展。

在傳統(tǒng)燃料汽車中，汽車電子主要分布于動力傳動系統(tǒng)、車身、安全、娛樂等子系統(tǒng)中。對于新能源汽車而言，汽車不再使用汽油發(fā)動機、油箱或變速器，而由“三電系統(tǒng)”即電池、電機、電控系統(tǒng)取而代之。為實現(xiàn)能量轉換及傳輸，新能源汽車中新增了電機控制系統(tǒng)、DC/DC模塊、高壓輔助驅動、車載充電系統(tǒng)OBC、電源管理IC等部件，其中的功率半導體含量大大增加。從半導體種類上看，汽車半導體可大致分為功率半導體（IGBT和MOSFET等）、MCU、傳感器及其他等元器件。根據(jù)StrategyAnalytics分析，傳統(tǒng)燃料汽車中功率半導體芯片的占比僅為21.0%，而純電動汽車中功率半導體芯片的占比高達55%。

相較于燃料汽車，電動車功率器件對工作電流和電壓有更高要求。新增需求主要來自以下幾個方面：逆變器中的IGBT模塊、DC/DC中的高壓MOSFET、輔助電器中的IGBT分立器件、OBC中的超級結MOSFET。功率半導體是新能源汽車價值量提升最多的部分，需求端主要為IGBT、MOSFET及多個IGBT集成的IPM模塊等產(chǎn)品。

3 公司主要會計數(shù)據(jù)和財務指標

3.1 近3年的主要會計數(shù)據(jù)和財務指標

3.2 報告期分季度的主要會計數(shù)據(jù)

季度數(shù)據(jù)與已披露定期報告數(shù)據(jù)差異說明

□適用 √不適用

4 股東情況

4.1普通股股東總數(shù)、表決權恢復的優(yōu)先股股東總數(shù)和持有特別表決權股份的股東總數(shù)及前10名股東情況

存托憑證持有人情況

□適用√不適用

截至報告期末表決權數(shù)量前十名股東情況表

□適用√不適用

4.2公司與控股股東之間的產(chǎn)權及控制關系的方框圖

□適用 √不適用

4.3公司與實際控制人之間的產(chǎn)權及控制關系的方框圖

√適用 □不適用

4.4 報告期末公司優(yōu)先股股東總數(shù)及前10名股東情況

□適用√不適用

5 公司債券情況

□適用√不適用

第三節(jié) 重要事項

1 公司應當根據(jù)重要性原則，披露報告期內(nèi)公司經(jīng)營情況的重大變化，以及報告期內(nèi)發(fā)生的對公司經(jīng)營情況有重大影響和預計未來會有重大影響的事項。

報告期內(nèi)，公司共實現(xiàn)營業(yè)收入782，091，845.56元，較上年同期增長153.28%；歸屬于上市公司股東的凈利潤146，903，706.46元，較上年同期增長430.66%；歸屬于上市公司股東的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤140，506，928.84元，較上年同期增長588.67%。報告期內(nèi)，公司所在的半導體功率器件領域景氣度持續(xù)向好，下游需求旺盛，同時，公司通過不斷深化與上下游優(yōu)秀合作伙伴的合作，持續(xù)擴大產(chǎn)能，并不斷研發(fā)出更為優(yōu)秀的產(chǎn)品與技術。公司主營產(chǎn)品廣泛應用于新能源汽車充電樁、通信電源、光伏逆變器、新能源車車載充電機、數(shù)據(jù)中心服務器電源、快速充電器等領域。報告期內(nèi)，公司業(yè)績的持續(xù)增長主要系受前述應用領域需求增長、產(chǎn)能持續(xù)擴大、新產(chǎn)品不斷推出及產(chǎn)品組合結構進一步優(yōu)化等因素影響。

2 公司年度報告披露后存在退市風險警示或終止上市情形的，應當披露導致退市風險警示或終止上市情形的原因。

□適用 √不適用

綜合整理自 東微半導體官網(wǎng)

審核編輯 黃昊宇