今日，蘇州東微半導(dǎo)體股份有限公司發(fā)布了2021年年度報(bào)告摘要，內(nèi)容如下：

公司代碼：688261 公司簡(jiǎn)稱：東微半導(dǎo)

蘇州東微半導(dǎo)體股份有限公司

2021年年度報(bào)告摘要

第一節(jié) 重要提示

1 本年度報(bào)告摘要來(lái)自年度報(bào)告全文，為全面了解本公司的經(jīng)營(yíng)成果、財(cái)務(wù)狀況及未來(lái)發(fā)展規(guī)劃，投資者應(yīng)當(dāng)?shù)缴虾ＷC券交易所（www.sse.com.cn）網(wǎng)站仔細(xì)閱讀年度報(bào)告全文。

2 重大風(fēng)險(xiǎn)提示

公司已在本報(bào)告中描述可能存在的風(fēng)險(xiǎn)，敬請(qǐng)查閱“第三節(jié)管理層討論與分析”之“四、風(fēng)險(xiǎn)因素”部分，敬請(qǐng)投資者注意投資風(fēng)險(xiǎn)。

3 本公司董事會(huì)、監(jiān)事會(huì)及董事、監(jiān)事、高級(jí)管理人員保證年度報(bào)告內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性、完整性，不存在虛假記載、誤導(dǎo)性陳述或重大遺漏，并承擔(dān)個(gè)別和連帶的法律責(zé)任。

4 公司全體董事出席董事會(huì)會(huì)議。

5 天健會(huì)計(jì)師事務(wù)所（特殊普通合伙）為本公司出具了標(biāo)準(zhǔn)無(wú)保留意見的審計(jì)報(bào)告。

6 公司上市時(shí)未盈利且尚未實(shí)現(xiàn)盈利

□是 √否

7 董事會(huì)決議通過(guò)的本報(bào)告期利潤(rùn)分配預(yù)案或公積金轉(zhuǎn)增股本預(yù)案

公司2021年度利潤(rùn)分配預(yù)案為：

公司擬以實(shí)施權(quán)益分派股權(quán)登記日登記的總股本為基數(shù)，擬向全體股東每10股派發(fā)現(xiàn)金紅利3.30元（含稅）。截至2022年3月31日，公司總股本67，376，367股，以此計(jì)算合計(jì)擬派發(fā)現(xiàn)金紅利22，234，201.11元（含稅），本年度公司現(xiàn)金分紅金額占2021年度合并報(bào)表中歸屬于母公司股東的凈 利潤(rùn)的比例為15.14%；公司不進(jìn)行資本公積金轉(zhuǎn)增股本，不送紅股。

如在公司2021年年度利潤(rùn)分配預(yù)案披露之日起至實(shí)施權(quán)益分派股權(quán)登記日期間公司總股本發(fā)生變動(dòng)的，公司擬維持分配總額不變，相應(yīng)調(diào)整每股分配比例。

以上利潤(rùn)分配預(yù)案已經(jīng)公司第一屆董事會(huì)第九次會(huì)議審議通過(guò)，尚需公司2021年度股東大會(huì)審議通過(guò)。

8 是否存在公司治理特殊安排等重要事項(xiàng)

□適用 √不適用

第二節(jié) 公司基本情況

1 公司簡(jiǎn)介

公司股票簡(jiǎn)況

√適用 □不適用

公司存托憑證簡(jiǎn)況

□適用 √不適用

聯(lián)系人和聯(lián)系方式

2 報(bào)告期公司主要業(yè)務(wù)簡(jiǎn)介

（一） 主要業(yè)務(wù)、主要產(chǎn)品或服務(wù)情況

1、主要業(yè)務(wù)

公司是一家以高性能功率器件研發(fā)與銷售為主的技術(shù)驅(qū)動(dòng)型半導(dǎo)體企業(yè)，產(chǎn)品專注于工業(yè)及汽車相關(guān)等中大功率應(yīng)用領(lǐng)域。公司憑借優(yōu)秀的半導(dǎo)體器件與工藝創(chuàng)新能力，集中優(yōu)勢(shì)資源聚焦新型功率器件的開發(fā)，是國(guó)內(nèi)少數(shù)具備從專利到量產(chǎn)完整經(jīng)驗(yàn)的高性能功率器件設(shè)計(jì)公司之一，并在應(yīng)用于工業(yè)級(jí)及汽車級(jí)領(lǐng)域的高壓超級(jí)結(jié)MOSFET、中低壓功率器件等產(chǎn)品領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了國(guó)產(chǎn)化替代。此外，公司基于自主專利技術(shù)開發(fā)出650V、1200V及1350V等電壓平臺(tái)的多種TGBT器件，已批量進(jìn)入光伏逆變、儲(chǔ)能、直流充電樁、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域的多個(gè)頭部客戶。

2、主要產(chǎn)品

公司的主要產(chǎn)品包括GreenMOS系列高壓超級(jí)結(jié)MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列中低壓屏蔽柵MOSFET、以及TGBT系列IGBT產(chǎn)品。公司的產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于以新能源汽車直流充電樁、車載充電機(jī)、5G基站電源及通信電源、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源、儲(chǔ)能和光伏逆變器、UPS電源和工業(yè)照明電源為代表的工業(yè)級(jí)應(yīng)用領(lǐng)域，以及以PC電源、適配器、TV電源板、手機(jī)快速充電器為代表的消費(fèi)電子應(yīng)用領(lǐng)域。

公司上述產(chǎn)品的具體介紹如下：

公司上述產(chǎn)品的具體介紹如下：

（1）高壓超級(jí)結(jié)MOSFET

公司的高壓超級(jí)結(jié)MOSFET產(chǎn)品主要為GreenMOS產(chǎn)品系列，全部采用超級(jí)結(jié)的技術(shù)原理，具有開關(guān)速度快、動(dòng)態(tài)損耗低、可靠性高的特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)。

公司GreenMOS高壓超級(jí)結(jié)功率器件的各系列特點(diǎn)以及介紹如下表所示：

（2）中低壓屏蔽柵MOSFET

公司的中低壓MOSFET產(chǎn)品均采用屏蔽柵結(jié)構(gòu)，主要包括SFGMOS產(chǎn)品系列以及FSMOS產(chǎn)品系列。其中，公司的SFGMOS產(chǎn)品系列采用自對(duì)準(zhǔn)屏蔽柵結(jié)構(gòu)，兼?zhèn)淞藗鹘y(tǒng)平面結(jié)構(gòu)和屏蔽柵結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)，并具有更高的工藝穩(wěn)定性、可靠性及更快的開關(guān)速度、更小的柵電荷和更高的應(yīng)用效率等優(yōu)點(diǎn)。公司SFGMOS系列中低壓功率器件產(chǎn)品涵蓋25V-150V工作電壓，可廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、同步整流等領(lǐng)域。

公司的FSMOS產(chǎn)品系列采用基于硅基工藝與電荷平衡原理的新型屏蔽柵結(jié)構(gòu)，兼?zhèn)淦胀╒DMOS與分裂柵器件的優(yōu)點(diǎn)，具有更高的工藝穩(wěn)定性、可靠性、較低的導(dǎo)通電阻與器件的優(yōu)值以及更高的應(yīng)用效率與系統(tǒng)兼容性。

公司中低壓MOSFET功率器件各系列的具體介紹如下表所示：

（3）超級(jí)硅MOSFET

公司的超級(jí)硅MOSFET產(chǎn)品是公司自主研發(fā)、性能對(duì)標(biāo)氮化鎵功率器件產(chǎn)品的高性能硅基MOSFET產(chǎn)品。公司的超級(jí)硅MOSFET產(chǎn)品通過(guò)調(diào)整器件結(jié)構(gòu)、優(yōu)化制造工藝，突破了傳統(tǒng)硅基功率器件的速度瓶頸，在電源應(yīng)用中達(dá)到了接近氮化鎵功率器件開關(guān)速度的水平。特別適用于各種高密度高效率電源，包括直流充電樁、通信電源、工業(yè)照明電源、快速充電器、模塊轉(zhuǎn)換器、快充超薄類PC適配器、TV電源板等。

（4）TGBT

公司的IGBT產(chǎn)品采用具有獨(dú)立知識(shí)產(chǎn)權(quán)的TGBT器件結(jié)構(gòu)，區(qū)別于國(guó)際主流IGBT技術(shù)的創(chuàng)新型器件技術(shù)，通過(guò)對(duì)器件結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)了關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)的大幅優(yōu)化，公司已有產(chǎn)品的工作電壓范圍覆蓋600V-1350V，工作電流覆蓋15A-120A。公司的TGBT系列IGBT功率器件已逐漸發(fā)展出低導(dǎo)通壓降、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、軟恢復(fù)二極管、逆導(dǎo)、高速和超高速等系列。其中，高速系列的開關(guān)頻率可達(dá)100kHz；低導(dǎo)通壓降系列的導(dǎo)通壓降可降低至1.5V及以下；超低導(dǎo)通壓降系列的導(dǎo)通壓降可達(dá)1.2V以下；軟恢復(fù)二極管系列則適用于變頻電路及逆變電路；650V及1350V的逆導(dǎo)系列在芯片內(nèi)部集成了續(xù)流二極管，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了低導(dǎo)通壓降與快速開關(guān)的特點(diǎn)，適合在高壓諧振電路中使用。

公司的IGBT產(chǎn)品在不提高制造難度的前提下提升了功率密度，優(yōu)化了內(nèi)部載流子分布，調(diào)整了電場(chǎng)與電荷的分布，同時(shí)優(yōu)化了導(dǎo)通損耗與開關(guān)損耗，具有高功率密度、開關(guān)損耗低、可靠性高、自保護(hù)等特點(diǎn)，特別適用于直流充電樁、變頻器、儲(chǔ)能逆變器、UPS電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電焊機(jī)、光伏逆變器等領(lǐng)域。

（二） 主要經(jīng)營(yíng)模式

公司作為專業(yè)的半導(dǎo)體功率器件設(shè)計(jì)及研發(fā)企業(yè)，自成立以來(lái)始終采用Fabless的經(jīng)營(yíng)模式。Fabless模式指無(wú)晶圓廠模式，采用該模式的企業(yè)專注于芯片的研發(fā)設(shè)計(jì)與銷售，將晶圓制造、封裝、測(cè)試等生產(chǎn)環(huán)節(jié)外包給第三方晶圓制造和封裝測(cè)試企業(yè)完成。

1、研發(fā)模式

公司產(chǎn)品的研發(fā)流程主要包括產(chǎn)品開發(fā)需求信息匯總、立項(xiàng)評(píng)估與可行性評(píng)估、項(xiàng)目設(shè)計(jì)開發(fā)、產(chǎn)品試制以及測(cè)試驗(yàn)證等四個(gè)環(huán)節(jié)。該四項(xiàng)環(huán)節(jié)主要由研發(fā)部、運(yùn)營(yíng)部等合作完成，同時(shí)，研發(fā)部質(zhì)量團(tuán)隊(duì)會(huì)全程參與產(chǎn)品研發(fā)的所有環(huán)節(jié)，監(jiān)督各環(huán)節(jié)的執(zhí)行過(guò)程，以在全環(huán)節(jié)實(shí)現(xiàn)對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量的管控。公司已制定《產(chǎn)品開發(fā)管理程序》，產(chǎn)品研發(fā)流程嚴(yán)格遵守該制度約定流程，并通過(guò)產(chǎn)品生命周期管理系統(tǒng)進(jìn)行產(chǎn)品開發(fā)管控。

公司的產(chǎn)品研發(fā)流程具體如下圖所示：

公司根據(jù)各產(chǎn)品類型的市場(chǎng)需求與技術(shù)發(fā)展方向制定技術(shù)路線圖，并結(jié)合晶圓代工和封裝廠商的實(shí)際制造能力、現(xiàn)有工藝和封測(cè)加工能力進(jìn)行產(chǎn)品開發(fā)和設(shè)計(jì)工作。在產(chǎn)品研發(fā)設(shè)計(jì)過(guò)程中，公司同時(shí)關(guān)注并協(xié)助開發(fā)適合于晶圓廠和封裝廠的工藝流程。同時(shí)，公司具有深度定制開發(fā)的能力。在產(chǎn)品研發(fā)階段，公司與晶圓代工廠深度合作、共同研發(fā)，通過(guò)多次反復(fù)實(shí)驗(yàn)調(diào)整，使代工廠的工藝能更好地實(shí)現(xiàn)公司所設(shè)計(jì)芯片的性能，最終推出極具性價(jià)比的產(chǎn)品，更好地貼合終端客戶的需求。通過(guò)對(duì)代工廠傳統(tǒng)工藝的優(yōu)化，公司有能力根據(jù)終端市場(chǎng)需求精確調(diào)整產(chǎn)品的設(shè)計(jì)。公司會(huì)與晶圓廠進(jìn)行季度技術(shù)回顧與季度業(yè)務(wù)回顧，并陪同客戶定期到晶圓廠進(jìn)行審核。同時(shí)，晶圓廠也會(huì)定期向公司提供制程能力管控?cái)?shù)據(jù)及外觀檢測(cè)報(bào)告。同時(shí)，公司也會(huì)對(duì)封測(cè)廠進(jìn)行定期稽核，召開QBR并要求提供CPK數(shù)據(jù)、封裝良率及測(cè)試良率的報(bào)告。公司也會(huì)定期對(duì)廠家的管控計(jì)劃提出意見，以保證產(chǎn)品質(zhì)量。

2、采購(gòu)與生產(chǎn)模式公司采購(gòu)的內(nèi)容主要為定制化晶圓制造、封裝及測(cè)試服務(wù)，以及實(shí)驗(yàn)室設(shè)備的采購(gòu)。在Fabless模式中，公司主要進(jìn)行功率器件產(chǎn)品的研發(fā)、銷售與質(zhì)量管控，產(chǎn)品的生產(chǎn)采用委外加工的模式完成，即公司將自主研發(fā)設(shè)計(jì)的集成電路版圖交由晶圓廠進(jìn)行晶圓制造，隨后將制造完成的晶圓交由封測(cè)廠進(jìn)行封裝和測(cè)試。公司的晶圓代工廠商和封裝測(cè)試服務(wù)供應(yīng)商均為行業(yè)知名企業(yè)。公司建立了以質(zhì)量部為核心的質(zhì)量管理體系，有效提高了公司產(chǎn)品和服務(wù)的整體質(zhì)量。公司擁有研發(fā)部、運(yùn)營(yíng)部、銷售部等多個(gè)業(yè)務(wù)部門，且各部門職能相對(duì)獨(dú)立；同時(shí)，公司的質(zhì)量部協(xié)助其他部門制定其操作規(guī)范、記錄和整理日常的工作文檔、監(jiān)督和指導(dǎo)各部門的工作和質(zhì)量控制流程，其貫穿產(chǎn)品開發(fā)、生產(chǎn)、運(yùn)營(yíng)和銷售的整個(gè)過(guò)程。

3、銷售模式結(jié)合行業(yè)慣例和客戶需求情況，公司目前采用“經(jīng)銷加直銷”的銷售模式，即公司通過(guò)經(jīng)銷商銷售產(chǎn)品，也向終端系統(tǒng)廠商直接銷售產(chǎn)品。在經(jīng)銷模式下，公司與經(jīng)銷商的關(guān)系主要為買斷式銷售關(guān)系，公司將產(chǎn)品送至經(jīng)銷商或者經(jīng)銷商指定地點(diǎn)；在直銷模式下，公司直接將產(chǎn)品銷售給終端客戶，公司將產(chǎn)品送至客戶指定地點(diǎn)。

公司建立了完善的客戶管理制度，對(duì)于長(zhǎng)期合作客戶，公司與其簽訂框架合作協(xié)議，并安排專員提供全方位服務(wù)；對(duì)于其他客戶，公司根據(jù)訂單向其供貨。半導(dǎo)體行業(yè)上下游之間粘性較強(qiáng)，公司產(chǎn)品需要通過(guò)較為嚴(yán)格的質(zhì)量認(rèn)證測(cè)試，一旦受到客戶的認(rèn)可和規(guī)?；褂煤?，雙方將形成長(zhǎng)期穩(wěn)定的合作關(guān)系。

4、管理模式自創(chuàng)立以來(lái)，公司匯聚了國(guó)內(nèi)外優(yōu)秀的技術(shù)和管理專家，積累了豐富的產(chǎn)品開發(fā)和營(yíng)銷經(jīng)驗(yàn)，經(jīng)過(guò)多年的摸索和融合，逐漸建立了符合自身發(fā)展的管理理念和管理體系。公司在日常管理中采用了關(guān)鍵績(jī)效指標(biāo)管理和綜合評(píng)分制，會(huì)與每個(gè)員工明確各自的主要責(zé)任，并以此為基礎(chǔ)設(shè)立相應(yīng)的業(yè)績(jī)衡量指標(biāo)。從管理架構(gòu)上，公司采取矩陣式管理。矩陣式管理既保持了產(chǎn)品開發(fā)及售后維護(hù)的專業(yè)性，不斷提高和積累技術(shù)能力，又能明確項(xiàng)目的責(zé)任人和各成員的分工和目標(biāo)，以確保相應(yīng)任務(wù)高質(zhì)量完成。

（三）所處行業(yè)情況

1.行業(yè)的發(fā)展階段、基本特點(diǎn)、主要技術(shù)門檻

（1）所處行業(yè)公司是一家以高性能功率器件研發(fā)與銷售為主的技術(shù)驅(qū)動(dòng)型半導(dǎo)體企業(yè)，根據(jù)中國(guó)證監(jiān)會(huì)《上

市公司行業(yè)分類指引》（2012年修訂），公司屬于“制造業(yè)”中的“計(jì)算機(jī)、通信和其他電子設(shè)備制造業(yè)”，行業(yè)代碼“C39”。根據(jù)中華人民共和國(guó)國(guó)家統(tǒng)計(jì)局發(fā)布的《國(guó)民經(jīng)濟(jì)行業(yè)分類（GB/T4754-2017）》，公司所處行業(yè)為“計(jì)算機(jī)、通信和其他電子設(shè)備制造業(yè)”（C39），所處行業(yè)屬于半導(dǎo)體行業(yè)中的功率半導(dǎo)體細(xì)分領(lǐng)域。

（2）行業(yè)發(fā)展概況

1.全球市場(chǎng)分析

在功率半導(dǎo)體發(fā)展過(guò)程中，20世紀(jì)50年代，功率二極管、功率三極管面世并應(yīng)用于工業(yè)和電力系統(tǒng)。20世紀(jì)60至70年代，晶閘管等半導(dǎo)體功率器件快速發(fā)展。20世紀(jì)70年代末，平面型功率MOSFET發(fā)展起來(lái)。20世紀(jì)80年代后期，溝槽型功率MOSFET和IGBT逐步面世，半導(dǎo)體功率器件正式進(jìn)入電子應(yīng)用時(shí)代。20世紀(jì)90年代，超級(jí)結(jié)MOSFET逐步出現(xiàn)，打破了傳統(tǒng)硅基產(chǎn)品的性能限制以滿足大功率和高頻化的應(yīng)用需求。對(duì)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)而言，功率二極管、功率三極管、晶閘管等分立器件產(chǎn)品大部分已實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化，而功率MOSFET特別是超級(jí)結(jié)MOSFET、IGBT等高端分立器件產(chǎn)品由于其技術(shù)及工藝的復(fù)雜度，還較大程度上依賴進(jìn)口，未來(lái)進(jìn)口替代空間巨大。根據(jù)Omdia預(yù)測(cè)，2019年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模約為464億美元，預(yù)計(jì)至2024年市場(chǎng)規(guī)模將增長(zhǎng)至522億美元，2019-2024的年化復(fù)合增長(zhǎng)率為2.4%。

2.中國(guó)市場(chǎng)分析

目前國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈正在日趨完善，技術(shù)也正在取得突破。同時(shí)，中國(guó)也是全球最大的功率半導(dǎo)體消費(fèi)國(guó)，2019年市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到177億美元，增速為-3.3%，占全球市場(chǎng)比例高達(dá)38%。預(yù)計(jì)未來(lái)中國(guó)功率半導(dǎo)體將繼續(xù)保持平穩(wěn)增長(zhǎng)，2024年市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到206億美元，2019-2024年的年化復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)3.1%。

3.分產(chǎn)品市場(chǎng)分析

A.MOSFET

MOSFET行業(yè)已處于穩(wěn)定發(fā)展期。2021年，受到消費(fèi)類產(chǎn)品需求景氣、供給端原材料供應(yīng)緊張的雙重影響，MOSFET器件價(jià)格出現(xiàn)較明顯漲幅。根據(jù)Omdia預(yù)計(jì)，在全球5G基礎(chǔ)設(shè)施和5G手機(jī)、PC及云服務(wù)器、電動(dòng)汽車、新基建等市場(chǎng)推動(dòng)下，全球MOSFET將持續(xù)增長(zhǎng)，2022-2025年間市場(chǎng)有望維持1.3%的復(fù)合增速。2020年中國(guó)MOSFET器件市場(chǎng)規(guī)模為35.19億美元，預(yù)計(jì)2021年市場(chǎng)規(guī)模達(dá)37.92億美元，增長(zhǎng)率為7.75%。對(duì)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)而言，功率二極管、功率三極管、晶閘管等分立器件產(chǎn)品大部分已實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化，而功率MOSFET特別是超級(jí)結(jié)MOSFET、IGBT等高端分立器件產(chǎn)品由于其技術(shù)及工藝的復(fù)雜度，還較大程度上依賴進(jìn)口，未來(lái)進(jìn)口替代空間巨大。

相較于普通硅基MOSFET功率器件，高壓超級(jí)結(jié)MOSFET功率器件系更先進(jìn)、更適用于大電流環(huán)境下的高性能功率器件。盡管未來(lái)在第三代半導(dǎo)體材料成熟后會(huì)有相應(yīng)器件的推出，但是由于高壓超級(jí)結(jié)MOSFET的產(chǎn)品特性、生產(chǎn)成本等方面對(duì)于新能源等成長(zhǎng)性應(yīng)用領(lǐng)域的需求較為契合，行業(yè)生態(tài)不斷向更高性能的產(chǎn)品演進(jìn)，因此，未來(lái)高壓超級(jí)結(jié)MOSFET行業(yè)增速有望超過(guò)中低壓產(chǎn)品。在5G基站持續(xù)建設(shè)及新能源汽車相關(guān)需求放量的推動(dòng)下，新能源汽車、5G基站等新興的下游終端市場(chǎng)對(duì)超級(jí)結(jié)MOSFET的需求預(yù)計(jì)將高速增長(zhǎng)。

B.IGBT器件國(guó)家在“十四五”期間將堅(jiān)持清潔低碳戰(zhàn)略方向，加快化石能源清潔高效利用，大力推動(dòng)非化石能源發(fā)展，持續(xù)擴(kuò)大清潔能源消費(fèi)占比，推動(dòng)能源綠色低碳轉(zhuǎn)型，為如期實(shí)現(xiàn)碳中和目標(biāo)創(chuàng)造基礎(chǔ)。光伏發(fā)電作為綠色環(huán)保的發(fā)電方式，符合國(guó)家能源改革以質(zhì)量效益為主的發(fā)展方向，國(guó)內(nèi)光伏行業(yè)面臨廣闊的發(fā)展前景。汽車電動(dòng)化、網(wǎng)聯(lián)化、智能化發(fā)展趨勢(shì)帶動(dòng)汽車半導(dǎo)體需求大幅度增長(zhǎng)。IGBT除了光伏發(fā)電、新能源汽車也常被用于風(fēng)電、工控、家電、軌交等領(lǐng)域，受益于碳中和趨勢(shì)推動(dòng)，IGBT迎來(lái)廣闊的成長(zhǎng)空間。

光伏逆變器。根據(jù)首創(chuàng)證券《IGBT市場(chǎng)專題研究：光伏IGBT規(guī)模測(cè)算》，中國(guó)光伏行業(yè)協(xié)會(huì)預(yù)測(cè)2025年全球光伏逆變器新增裝機(jī)量有望達(dá)330GW，假設(shè)2025年光伏逆變器替換裝機(jī)量為42GW，按照IGBT占組串式逆變器BOM成本的18%以及占集中式逆變器BOM成本的15%計(jì)算，預(yù)計(jì)2025年光伏逆變器IGBT市場(chǎng)規(guī)模將超百億。由于微型及單相逆變器功率較小，假設(shè)全部采用IGBT單管方案，同時(shí)假設(shè)高功率三相逆變器全部采用IGBT模塊方案、低功率三相逆變器IGBT單管和模塊方案各占1/2，預(yù)計(jì)2025年IGBT單管市場(chǎng)空間約為40億元。

車規(guī)級(jí)IGBT產(chǎn)品。IGBT在新能源汽車中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，主要被運(yùn)用在新能源電機(jī)控制器、車載空調(diào)、充電樁等設(shè)備中。根據(jù)DigitimesResearch的數(shù)據(jù)，新能源汽車中，電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)是關(guān)鍵成本之一，約占整車成本的15-20%，而IGBT約占電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)成本的一半，因此，IGBT約占新能源汽車成本的7-10%，其動(dòng)力性能越強(qiáng)，所需要的IGBT組件數(shù)量就越多，中國(guó)乃至全球新能源汽車的發(fā)展將大力促進(jìn)IGBT的發(fā)展。根據(jù)乘聯(lián)會(huì)、Marklines統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)：預(yù)計(jì)2025年電動(dòng)車IGBT市場(chǎng)規(guī)模達(dá)572億元。

（3）行業(yè)的主要特點(diǎn)

①功率半導(dǎo)體器件專注于技術(shù)和工藝改進(jìn)以及新材料迭代功率半導(dǎo)體器件屬于特色工藝產(chǎn)品，不同于集成電路產(chǎn)品依賴尺寸，在制程方面不追求極致的線寬，不遵守摩爾定律。功率半導(dǎo)體器件的性能演進(jìn)呈現(xiàn)平緩的趨勢(shì)，目前制程基本穩(wěn)定在90nm-0.35μm之間。功率器件發(fā)展的關(guān)鍵點(diǎn)主要包括技術(shù)創(chuàng)新、制造工藝升級(jí)、封裝技術(shù)及基礎(chǔ)材料的迭代。

②IDM與Fabless模式并存，技術(shù)迭代與產(chǎn)能供給同步發(fā)展目前，半導(dǎo)體企業(yè)采用的經(jīng)營(yíng)模式可以分為IDM模式和Fabless模式。IDM模式為垂直整合元件制造模式，系早期半導(dǎo)體企業(yè)廣泛采用的模式，采用該模式的企業(yè)可以獨(dú)立完成芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝和測(cè)試等各垂直的生產(chǎn)環(huán)節(jié)。Fabless模式指無(wú)晶圓廠模式，采用該模式的企業(yè)專注于芯片的研發(fā)設(shè)計(jì)與銷售，將晶圓制造、封裝、測(cè)試等生產(chǎn)環(huán)節(jié)外包給第三方晶圓制造和封裝測(cè)試企業(yè)完成。IDM模式具有技術(shù)的內(nèi)部整合優(yōu)勢(shì)，有利于積累工藝經(jīng)驗(yàn)，形成核心競(jìng)爭(zhēng)力。隨著芯片終端產(chǎn)品和應(yīng)用的日益繁雜，芯片設(shè)計(jì)難度快速提升，研發(fā)所需的資源和成本持續(xù)增加，促使全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分工細(xì)化，F(xiàn)abless模式已成為芯片設(shè)計(jì)企業(yè)的主流經(jīng)營(yíng)模式之一。另外由于半導(dǎo)體行業(yè)的周期性，IDM公司極容易受制于原有固定產(chǎn)能，陷入被動(dòng)局面。因此，行業(yè)整體呈現(xiàn)IDM模式與Fabless模式共存的局面，同時(shí)也是功率半導(dǎo)體企業(yè)商業(yè)模式未來(lái)的發(fā)展方向，既能隨市場(chǎng)波動(dòng)及時(shí)擴(kuò)大或減少產(chǎn)能，也可以就近滿足區(qū)域性市場(chǎng)需求。

③多細(xì)分場(chǎng)景需求日益多元，依賴特色工藝平臺(tái)的定制化能力隨著物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算等新一代信息技術(shù)的快速發(fā)展，功率半導(dǎo)體行業(yè)多細(xì)分應(yīng)用場(chǎng)景需求趨于多元化。該領(lǐng)域企業(yè)從主營(yíng)產(chǎn)品系列具體到料號(hào)、規(guī)格、電壓、電流、面積、導(dǎo)通電阻、封裝、技術(shù)特點(diǎn)及應(yīng)用領(lǐng)域，可交叉組合形成數(shù)千種產(chǎn)品型號(hào)。功率半導(dǎo)體產(chǎn)品由于根據(jù)客戶定制要求所產(chǎn)生的的細(xì)分需求多樣化，因而企業(yè)想要在行業(yè)內(nèi)獲得足夠的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，對(duì)于特色化工藝平臺(tái)的定制化能力要求極高。

（4）主要技術(shù)門檻

功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)、設(shè)計(jì)需要企業(yè)研發(fā)團(tuán)隊(duì)綜合掌握器件結(jié)構(gòu)、晶圓制造工藝、封裝測(cè)試等多領(lǐng)域的技術(shù)。在功率半導(dǎo)體器件中，超級(jí)結(jié)MOSFET、高性能IGBT、高性能SGTMOSFET、SiCMOSFET及GaNHEMT的技術(shù)門檻較高。上述這些功率器件中，器件的性能一方面可以通過(guò)改進(jìn)核心器件結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)來(lái)提升性能，另一方面可以通過(guò)改進(jìn)制造工藝或材料來(lái)達(dá)到目的。作為Fabless設(shè)計(jì)企業(yè)，研發(fā)設(shè)計(jì)人員一方面需持續(xù)跟蹤掌握國(guó)際先進(jìn)技術(shù)理論、先進(jìn)工藝方法，另一方面還需不斷提出創(chuàng)新的器件結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)性能上的大幅提升。

功率器件不僅要保持在不同電流、電壓、頻率等應(yīng)用環(huán)境下穩(wěn)定工作，還需保持開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、抗沖擊能力、耐壓、效率等性能上進(jìn)行平衡，這些性能均需經(jīng)過(guò)大量的仿真設(shè)計(jì)和流片驗(yàn)證。此外，下游客戶不僅對(duì)功率半導(dǎo)體的性能和成本提出了差異化的要求，還對(duì)產(chǎn)品在各種應(yīng)用環(huán)境下的耐久可靠性提出較高的要求，因此研發(fā)設(shè)計(jì)人員還需掌握不同應(yīng)用的電路拓?fù)浼翱煽啃愿倪M(jìn)方法。因此，企業(yè)研發(fā)及工程團(tuán)隊(duì)需要擁有豐富的技術(shù)工藝經(jīng)驗(yàn)、持續(xù)技術(shù)創(chuàng)新能力、芯片產(chǎn)業(yè)化等能力，才能持續(xù)保持市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)地位。新進(jìn)入者若缺乏上述的條件，則難以實(shí)現(xiàn)持續(xù)的業(yè)務(wù)增長(zhǎng)和保持技術(shù)上的領(lǐng)先。

2.公司所處的行業(yè)地位分析及其變化情況

基于多年的技術(shù)優(yōu)勢(shì)積累、產(chǎn)業(yè)鏈深度結(jié)合能力以及優(yōu)秀的客戶創(chuàng)新服務(wù)能力，公司已成為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的高性能功率器件廠商之一。

（1）、產(chǎn)品品類方面

在超級(jí)結(jié)領(lǐng)域，公司在高壓超級(jí)結(jié)技術(shù)領(lǐng)域積累了包括優(yōu)化電荷平衡技術(shù)、優(yōu)化柵極設(shè)計(jì)及緩變電容核心原胞結(jié)構(gòu)等行業(yè)領(lǐng)先的專利技術(shù)，產(chǎn)品的關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)達(dá)到了與國(guó)際領(lǐng)先廠商可比的水平。

在中低壓屏蔽柵MOSFET領(lǐng)域，公司亦積累了包括優(yōu)化電荷平衡、自對(duì)準(zhǔn)加工等核心技術(shù)，產(chǎn)品的關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)達(dá)到了國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平。

在IGBT領(lǐng)域，公司的TGBT是基于新型的TridentGateBipolarTransistor（簡(jiǎn)稱Tri-gateIGBT）器件結(jié)構(gòu)的重大原始創(chuàng)新，基于此基礎(chǔ)器件專利，具備了趕超目前國(guó)際最為先進(jìn)的第七代IGBT芯片的技術(shù)實(shí)力。

（2）、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)方面

公司的功率器件產(chǎn)品以具有更高技術(shù)含量的高壓超級(jí)結(jié)MOSFET產(chǎn)品為主。報(bào)告期內(nèi)，公司的高壓超級(jí)結(jié)MOSFET產(chǎn)品銷售收入占比為72.70%。由于高壓超級(jí)結(jié)產(chǎn)品應(yīng)用廣泛且國(guó)外廠商仍占據(jù)了較大的市場(chǎng)份額，公司在此領(lǐng)域內(nèi)擁有廣闊的進(jìn)口替代空間，發(fā)展空間巨大。

公司的創(chuàng)新型Tri-gateIGBT器件產(chǎn)品在2021年上半年開始送樣認(rèn)證并少量出貨，2021年下半年則迅速起量，順利對(duì)基于傳統(tǒng)trench-gateFS-IGBT技術(shù)的芯片進(jìn)行替代，表現(xiàn)出高速增長(zhǎng)的態(tài)勢(shì)。

（3）、產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域方面公司的產(chǎn)品以工業(yè)級(jí)應(yīng)用為主，同時(shí)也進(jìn)入了車載電子應(yīng)用。應(yīng)用領(lǐng)域包括新能源汽車車載充電機(jī)、新能源汽車直流充電樁、5G基站電源及通信電源、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源和工業(yè)照明電源、光伏逆變及儲(chǔ)能等。由于工業(yè)級(jí)應(yīng)用對(duì)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的性能和可靠性要求普遍高于消費(fèi)級(jí)應(yīng)用，其產(chǎn)品平均單價(jià)也較消費(fèi)級(jí)應(yīng)用的產(chǎn)品平均單價(jià)更高。

3.報(bào)告期內(nèi)新技術(shù)、新產(chǎn)業(yè)、新業(yè)態(tài)、新模式的發(fā)展情況和未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)

（1）新技術(shù)的發(fā)展情況及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)

1）工藝進(jìn)步、器件結(jié)構(gòu)改進(jìn)加速產(chǎn)品迭代

采用新型器件結(jié)構(gòu)的高性能MOSFET功率器件可以實(shí)現(xiàn)更好的性能，從而導(dǎo)致采用傳統(tǒng)技術(shù)的功率器件的市場(chǎng)空間被升級(jí)替代。造成該等趨勢(shì)的主要原因是高性能功率器件的生產(chǎn)工藝不斷進(jìn)行技術(shù)演進(jìn)，當(dāng)采用新技術(shù)的高性能MOSFET功率器件生產(chǎn)工藝演進(jìn)到成熟穩(wěn)定的階段時(shí)，就會(huì)對(duì)現(xiàn)有的功率MOSFET進(jìn)行替代。同時(shí)，隨著各個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域?qū)π阅芎托实囊蟛粩嗵嵘?，也需要采用更高性能的功率器件以?shí)現(xiàn)產(chǎn)品升級(jí)。因此，高性能MOSFET功率器件會(huì)不斷擴(kuò)大其應(yīng)用范圍，實(shí)現(xiàn)市場(chǎng)的普及。未來(lái)的5年中會(huì)出現(xiàn)新技術(shù)不斷擴(kuò)大市場(chǎng)應(yīng)用領(lǐng)域的趨勢(shì)。具體而言，溝槽MOSFET將替代部分平面MOSFET；屏蔽柵MOSFET將進(jìn)一步替代溝槽MOSFET；超級(jí)結(jié)MOSFET將在高壓領(lǐng)域替代更多傳統(tǒng)的VDMOS。

2）第三代半導(dǎo)體材料功率器件的替代趨勢(shì)第三代半導(dǎo)體材料主要為碳化硅和氮化鎵，具有禁帶寬度大、電子遷移率高、熱導(dǎo)率高的特點(diǎn)，在高溫、高壓、高功率和高頻的領(lǐng)域有機(jī)會(huì)取代部分硅材料。首先，由于新能源汽車、5G等新技術(shù)的應(yīng)用及需求迅速增加，第三代半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)化變得更加迫切。得益于SiCMOSFET在高溫下更好的表現(xiàn)，SiCMOSFET在汽車電控中將逐步對(duì)硅基IGBT模塊進(jìn)行替代。根據(jù)Yole的數(shù)據(jù)，2019年應(yīng)用在新能源汽車的SiC器件市場(chǎng)規(guī)模為2.25億美元，預(yù)計(jì)到2025年將增長(zhǎng)至15.53億美元，復(fù)合增長(zhǎng)率為38%。第三代半導(dǎo)體材料仍然處于產(chǎn)業(yè)化起步階段，國(guó)內(nèi)已發(fā)布多個(gè)政策積極推進(jìn)第三代半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展，例如2019年國(guó)務(wù)院發(fā)布《長(zhǎng)江三角洲區(qū)域一體化發(fā)展規(guī)劃綱要》，提出要加快培育一批第三代半導(dǎo)體企業(yè)。

3）功率器件集成化趨勢(shì)

除了MOSFET功率器件在結(jié)構(gòu)及工藝方面的優(yōu)化外，終端領(lǐng)域的高功率密度需求也帶動(dòng)了功率器件的模塊化和集成化。在中大功率應(yīng)用場(chǎng)景中，客戶更傾向于使用大功率模塊。由于大功率模塊需要多元件電氣互聯(lián)，同時(shí)要考慮高溫失效和散熱問題，其封裝工藝和結(jié)構(gòu)更復(fù)雜；在小功率應(yīng)用場(chǎng)景中，功率器件被封裝到嵌入式封裝模塊中來(lái)提高集成度從而減小整體方案的體積。目前，工業(yè)領(lǐng)域仍是功率模塊的主要應(yīng)用領(lǐng)域。而芯片技術(shù)的提升可有效提高模塊的集成度和綜合性能，降低成本，是模塊技術(shù)提升的重要因素。

（2）新產(chǎn)業(yè)、新業(yè)態(tài)、新模式的發(fā)展情況及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)

受益于新能源汽車和5G產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展，充電樁、5G通信基站及車規(guī)級(jí)等市場(chǎng)對(duì)于高性能功率器件的需求將不斷增加，高壓超級(jí)結(jié)MOSFET為代表的高性能產(chǎn)品在功率器件領(lǐng)域的市場(chǎng)份額以及重要性將不斷提升。

1）充電樁

2020年，充電樁被列入國(guó)家七大“新基建”領(lǐng)域之一。2020年5月兩會(huì)期間，《政府工作報(bào)告》中強(qiáng)調(diào)“建設(shè)充電樁，推廣新能源汽車，激發(fā)新消費(fèi)需求、助力產(chǎn)業(yè)升級(jí)”。公安部交通管理局公布數(shù)據(jù)顯示，截至2021年底，全國(guó)新能源汽車保有量達(dá)784萬(wàn)輛，占汽車總量的2.60%，與上年相比增長(zhǎng)59.25%。其中，純電動(dòng)汽車保有量640萬(wàn)輛，占新能源汽車總量的81.63%。2021年全國(guó)新注冊(cè)登記新能源汽車295萬(wàn)輛，占新注冊(cè)登記汽車總量的11.25%，與上年相比增加178萬(wàn)輛，增長(zhǎng)151.61%。近五年，新注冊(cè)登記新能源汽車數(shù)量從2017年的65萬(wàn)輛到2021年的295萬(wàn)輛，呈高速增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。

伴隨新能源汽車保有量的高速增長(zhǎng)，新能源充電樁作為配套基礎(chǔ)設(shè)施亦實(shí)現(xiàn)了快速增長(zhǎng)。根據(jù)中國(guó)電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施促進(jìn)聯(lián)盟（EVCIPA）發(fā)布的數(shù)據(jù)（如下圖所示），截至2021年底，全國(guó)充電樁保有量達(dá)261.7萬(wàn)臺(tái)，較2020年新增94萬(wàn)臺(tái)，同比增長(zhǎng)56%。2017-2021年，全國(guó)充電樁保有量從44.6萬(wàn)臺(tái)增加至261.7萬(wàn)臺(tái)，5年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)56%。截至2021年底，全國(guó)合計(jì)公共充電樁114.7萬(wàn)臺(tái)，較2020年新增34萬(wàn)臺(tái)，同比增長(zhǎng)42%，2021年月均新增公共充電樁約2.83萬(wàn)臺(tái)。其中直流充電樁47萬(wàn)臺(tái)、交流充電樁67.7萬(wàn)臺(tái)、交直流一體充電樁589臺(tái)。

“新基建”對(duì)充電樁的建設(shè)驅(qū)動(dòng)主要在以下幾方面：①驅(qū)動(dòng)公共樁建設(shè)提質(zhì)且區(qū)域均衡發(fā)展，直流樁占比將持續(xù)提升，省份間差異有望縮小。②推動(dòng)優(yōu)質(zhì)場(chǎng)站建設(shè)，完善配套設(shè)施申報(bào)流程辦理。③推動(dòng)小區(qū)、商場(chǎng)等停車位充電樁建設(shè)。④促進(jìn)對(duì)運(yùn)營(yíng)商的建設(shè)與充電運(yùn)營(yíng)流程支持。

充電樁按充電能力分類，以處理不同的用例場(chǎng)景。按照不同的充電技術(shù)分類，充電樁可分為四大類：直流充電、交流充電、無(wú)線充電、更換電池。

自2018年以來(lái)，我國(guó)公共充電樁以直流充電樁和交流充電樁兩大類為主，交直流充電樁占比極小。2017年至2019年，直流充電樁的占比從28.7%上升至41.6%，占比提升較快。2019年至2021年，直流充電樁和交流充電樁的占比結(jié)構(gòu)相對(duì)穩(wěn)定，交流充電樁占比保持約六成左右，直流充電樁占比保持約四成左右。高端三相交流樁主要使用三相維也納輸入整流器（PowerFactorCorrection，“PFC”），其中部分功率器件的領(lǐng)先解決方案使用了超級(jí)結(jié)MOSFET。

在公共直流充電樁所需的工作功率和電流要求下，其采用的功率器件以高壓MOSFET為主。超級(jí)結(jié)MOSFET因其更低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗、高可靠性、高功率密度成為主流的充電樁功率器件應(yīng)用產(chǎn)品，具體應(yīng)用于充電樁的功率因數(shù)校正（PowerFactorCorrection，“PFC”）、直流-直流變換器以及輔助電源模塊等。超級(jí)結(jié)MOSFET將充分受益于充電樁的快速建設(shè)。據(jù)英飛凌統(tǒng)計(jì)，100kW的充電樁需要功率器件價(jià)值量在200-300美元，預(yù)計(jì)隨著充電樁的不斷建設(shè)，功率器件尤其是超級(jí)結(jié)MOSFET將迎來(lái)高速發(fā)展機(jī)遇。

2）5G基站

工業(yè)和信息化部發(fā)布的《2021年通信業(yè)統(tǒng)計(jì)公報(bào)》顯示：截至2021年底，我國(guó)累計(jì)建成并開通5G基站142.5萬(wàn)個(gè)，全年新增5G基站數(shù)達(dá)到65.4萬(wàn)個(gè)。建成全球最大5G網(wǎng)，實(shí)現(xiàn)覆蓋所有地級(jí)市城區(qū)、超過(guò)98%的縣城城區(qū)和80%的鄉(xiāng)鎮(zhèn)鎮(zhèn)區(qū)。我國(guó)5G基站總量占全球60%以上，每萬(wàn)人擁有5G基站數(shù)達(dá)到10.1個(gè)，比上年末提高近1倍。超300個(gè)城市啟動(dòng)千兆光纖寬帶網(wǎng)絡(luò)建設(shè)。2022年2月28日，國(guó)新辦舉行促進(jìn)工業(yè)和信息化平穩(wěn)運(yùn)行和提質(zhì)升級(jí)發(fā)布會(huì)，表示2022年要新建60萬(wàn)5G基站以上，基站總數(shù)于2022年底達(dá)到200萬(wàn)個(gè)。

5G建設(shè)將從四個(gè)方面拉動(dòng)功率半導(dǎo)體需求，包括：1）5G基站功率更高、建設(shè)更為密集，帶來(lái)更大的電源供應(yīng)需求；2）射頻端功率半導(dǎo)體用量提升；3）霧計(jì)算為功率半導(dǎo)體帶來(lái)增量市場(chǎng)；以及4）云計(jì)算拉動(dòng)計(jì)算用功率半導(dǎo)體用量。

①5G基站帶來(lái)更多的電源供應(yīng)需求。

根據(jù)華為官網(wǎng)公布的數(shù)據(jù)顯示，4G基站所需功率為6.877kW，而5G基站所需功率為11.577kW，提升幅度達(dá)到68%。對(duì)于多通道基站，功率要求甚至可能達(dá)到20kW。更高的覆蓋密度、更大的功率需求對(duì)MOSFET等功率器件產(chǎn)生了更大的需求。

基站數(shù)量方面，5G通信頻譜分布在高頻段，信號(hào)衰減更快，覆蓋能力大幅減弱，相比于4G，通信信號(hào)覆蓋相同的區(qū)域，5G基站的數(shù)量將大幅增加。根據(jù)新PCB產(chǎn)業(yè)研究所調(diào)查，目前4G基站的分布密度為密集城市中心區(qū)域500米/個(gè)，郊區(qū)1，500米/個(gè)，農(nóng)村5，000米/個(gè)。5G覆蓋城市中心區(qū)域大約需要250米/個(gè)，郊區(qū)750米/個(gè)，農(nóng)村2，000米/個(gè)，總體基站數(shù)量需求是4G的2-3倍。

②MassiveMIMO技術(shù)的采用使得基站射頻端需要4倍于原來(lái)的功率半導(dǎo)體。

MIMO即多進(jìn)多出，指在發(fā)送端和接收端都使用多根天線、在收發(fā)之間構(gòu)成多個(gè)信道的天線系統(tǒng)，可以極大地提高信道容量。MassiveMIMO即大規(guī)模天線，可以在不增加頻譜資源和天線發(fā)送功率的情況下，提升系統(tǒng)信道容量和信號(hào)覆蓋范圍。數(shù)量上，傳統(tǒng)網(wǎng)絡(luò)天線的通道數(shù)為2/4/8個(gè)，而MassiveMIMO通道數(shù)可以達(dá)到64/128/256個(gè)。信號(hào)覆蓋維度上，傳統(tǒng)MIMO為2D覆蓋，信號(hào)只能在水平方向移動(dòng)，不能在垂直方向移動(dòng)，類似與平面發(fā)射。而MassiveMIMO的信號(hào)輻射狀是電磁波束，可以利用垂直維度空域。

5G網(wǎng)絡(luò)主要部署在高頻頻段，即毫米波頻段（mmWave）。因接收功率與波長(zhǎng)的平方成正比，毫米波的信號(hào)衰減嚴(yán)重，而發(fā)射功率又受到限制，所以5G網(wǎng)絡(luò)部署需要增加發(fā)射天線和接收天線的數(shù)量，使用MassiveMIMO技術(shù)。根據(jù)英飛凌的統(tǒng)計(jì)，傳統(tǒng)MIMO天線需要的功率半導(dǎo)體價(jià)值大約為25美元，而過(guò)渡為MassvieMIMO天線陣列后，所需的MOSFET等功率半導(dǎo)體價(jià)值增加至100美元，達(dá)到原來(lái)的4倍。

③霧計(jì)算中心的出現(xiàn)帶來(lái)全新增量市場(chǎng)。

與云計(jì)算相比，霧計(jì)算所采用的架構(gòu)呈分布式，更接近網(wǎng)絡(luò)邊緣。霧計(jì)算將數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)處理和應(yīng)用程序集中在網(wǎng)絡(luò)邊緣的設(shè)備中，數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)及處理更依賴本地設(shè)備，本地運(yùn)算設(shè)備的增加帶動(dòng)MOSFET用量提升。

④5G時(shí)代數(shù)據(jù)量大幅增加，云計(jì)算中心擴(kuò)容帶動(dòng)功率半導(dǎo)體用量提升。

一方面，5G具備更高的速率，其理論上能提供最高10Gbps的峰值傳輸速率，相比于4G100Mbps的峰值速率提升了100倍，使得蜂窩網(wǎng)絡(luò)傳輸承載的數(shù)據(jù)量變大。另一方面，5G大連接的特性推動(dòng)了物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)的發(fā)展，眾多物聯(lián)網(wǎng)終端均是數(shù)據(jù)的提供者。數(shù)據(jù)量的快速提升創(chuàng)造了巨大的數(shù)據(jù)運(yùn)算需求，推動(dòng)了云計(jì)算中心的擴(kuò)容，整體運(yùn)算功率提升，增加了超級(jí)結(jié)MOSFET等功率半導(dǎo)體的應(yīng)用需求。

綜上所述，5G通信基站建設(shè)將帶來(lái)巨大的功率半導(dǎo)體需求，主要驅(qū)動(dòng)力來(lái)自于基站密集度和功率要求、MassiveMIMO射頻天線、霧運(yùn)算和云計(jì)算的需求提升。

3）車規(guī)級(jí)應(yīng)用

①新能源汽車市場(chǎng)規(guī)模新能源汽車具有成本、效率和環(huán)保等優(yōu)勢(shì)。隨著產(chǎn)業(yè)鏈逐步成熟、消費(fèi)者認(rèn)知度提高、產(chǎn)品多元化以及使用環(huán)境的優(yōu)化和改進(jìn)，新能源汽車越來(lái)越受到消費(fèi)者的認(rèn)可，預(yù)計(jì)未來(lái)新能源汽車的滲透率將不斷提高。

與傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī)汽車相比，包括了輕度混合動(dòng)力汽車、插電式混合動(dòng)力汽車和純電動(dòng)汽車的新能源車型的滲透率增長(zhǎng)迅速。2023年新能源車產(chǎn)量將超過(guò)新車總產(chǎn)量的25%，到2027年這一比例將提高到50%以上。截至2021年底，全國(guó)新能源汽車保有量達(dá)784萬(wàn)輛，占汽車總量的2.60%，與上年相比增長(zhǎng)59.25%。其中，純電動(dòng)汽車保有量640萬(wàn)輛，占新能源汽車總量的81.63%。

②車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體

隨著汽車電動(dòng)化、智能化、網(wǎng)聯(lián)化的變動(dòng)趨勢(shì)，新能源汽車對(duì)能量轉(zhuǎn)換的需求不斷增強(qiáng)，汽車電子將迎來(lái)結(jié)構(gòu)性變革，推動(dòng)車規(guī)級(jí)功率器件發(fā)展。

在傳統(tǒng)燃料汽車中，汽車電子主要分布于動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)、車身、安全、娛樂等子系統(tǒng)中。對(duì)于新能源汽車而言，汽車不再使用汽油發(fā)動(dòng)機(jī)、油箱或變速器，而由“三電系統(tǒng)”即電池、電機(jī)、電控系統(tǒng)取而代之。為實(shí)現(xiàn)能量轉(zhuǎn)換及傳輸，新能源汽車中新增了電機(jī)控制系統(tǒng)、DC/DC模塊、高壓輔助驅(qū)動(dòng)、車載充電系統(tǒng)OBC、電源管理IC等部件，其中的功率半導(dǎo)體含量大大增加。從半導(dǎo)體種類上看，汽車半導(dǎo)體可大致分為功率半導(dǎo)體（IGBT和MOSFET等）、MCU、傳感器及其他等元器件。根據(jù)StrategyAnalytics分析，傳統(tǒng)燃料汽車中功率半導(dǎo)體芯片的占比僅為21.0%，而純電動(dòng)汽車中功率半導(dǎo)體芯片的占比高達(dá)55%。

相較于燃料汽車，電動(dòng)車功率器件對(duì)工作電流和電壓有更高要求。新增需求主要來(lái)自以下幾個(gè)方面：逆變器中的IGBT模塊、DC/DC中的高壓MOSFET、輔助電器中的IGBT分立器件、OBC中的超級(jí)結(jié)MOSFET。功率半導(dǎo)體是新能源汽車價(jià)值量提升最多的部分，需求端主要為IGBT、MOSFET及多個(gè)IGBT集成的IPM模塊等產(chǎn)品。

3 公司主要會(huì)計(jì)數(shù)據(jù)和財(cái)務(wù)指標(biāo)

3.1 近3年的主要會(huì)計(jì)數(shù)據(jù)和財(cái)務(wù)指標(biāo)

3.2 報(bào)告期分季度的主要會(huì)計(jì)數(shù)據(jù)

季度數(shù)據(jù)與已披露定期報(bào)告數(shù)據(jù)差異說(shuō)明

□適用 √不適用

4 股東情況

4.1普通股股東總數(shù)、表決權(quán)恢復(fù)的優(yōu)先股股東總數(shù)和持有特別表決權(quán)股份的股東總數(shù)及前10名股東情況

存托憑證持有人情況

□適用√不適用

截至報(bào)告期末表決權(quán)數(shù)量前十名股東情況表

□適用√不適用

4.2公司與控股股東之間的產(chǎn)權(quán)及控制關(guān)系的方框圖

□適用 √不適用

4.3公司與實(shí)際控制人之間的產(chǎn)權(quán)及控制關(guān)系的方框圖

√適用 □不適用

4.4 報(bào)告期末公司優(yōu)先股股東總數(shù)及前10名股東情況

□適用√不適用

5 公司債券情況

□適用√不適用

第三節(jié) 重要事項(xiàng)

1 公司應(yīng)當(dāng)根據(jù)重要性原則，披露報(bào)告期內(nèi)公司經(jīng)營(yíng)情況的重大變化，以及報(bào)告期內(nèi)發(fā)生的對(duì)公司經(jīng)營(yíng)情況有重大影響和預(yù)計(jì)未來(lái)會(huì)有重大影響的事項(xiàng)。

報(bào)告期內(nèi)，公司共實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入782，091，845.56元，較上年同期增長(zhǎng)153.28%；歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)146，903，706.46元，較上年同期增長(zhǎng)430.66%；歸屬于上市公司股東的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤(rùn)140，506，928.84元，較上年同期增長(zhǎng)588.67%。報(bào)告期內(nèi)，公司所在的半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域景氣度持續(xù)向好，下游需求旺盛，同時(shí)，公司通過(guò)不斷深化與上下游優(yōu)秀合作伙伴的合作，持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)能，并不斷研發(fā)出更為優(yōu)秀的產(chǎn)品與技術(shù)。公司主營(yíng)產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源汽車充電樁、通信電源、光伏逆變器、新能源車車載充電機(jī)、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源、快速充電器等領(lǐng)域。報(bào)告期內(nèi)，公司業(yè)績(jī)的持續(xù)增長(zhǎng)主要系受前述應(yīng)用領(lǐng)域需求增長(zhǎng)、產(chǎn)能持續(xù)擴(kuò)大、新產(chǎn)品不斷推出及產(chǎn)品組合結(jié)構(gòu)進(jìn)一步優(yōu)化等因素影響。

2 公司年度報(bào)告披露后存在退市風(fēng)險(xiǎn)警示或終止上市情形的，應(yīng)當(dāng)披露導(dǎo)致退市風(fēng)險(xiǎn)警示或終止上市情形的原因。

□適用 √不適用

綜合整理自 東微半導(dǎo)體官網(wǎng)

審核編輯 黃昊宇