第三代高通專業(yè)聯(lián)網(wǎng)平臺(tái)產(chǎn)品解決方案首發(fā)
據(jù)消息了解，高通昨晚正式發(fā)布了全球首個(gè)商用Wi-Fi 7的第三代高通專業(yè)聯(lián)網(wǎng)平臺(tái)產(chǎn)品解決方案，此平臺(tái)目前是全球性能最高的商用無(wú)線技術(shù)平臺(tái)。
第三代高通專業(yè)聯(lián)網(wǎng)平臺(tái)其有效帶寬已經(jīng)高達(dá)320MHz，系統(tǒng)峰值聚合無(wú)線容量也增加到33Gbps。
高通第三代平臺(tái)將Wi-Fi 7網(wǎng)絡(luò)性能結(jié)合智能多信道管理技術(shù)，提升Wi-Fi 6/6E終端用戶的速度和時(shí)延降低及網(wǎng)絡(luò)利用率，同時(shí)也為下一代Wi-Fi 7終端設(shè)備帶來(lái)具有變革意義的超高吞吐量和無(wú)與倫比的低時(shí)延。
同時(shí)該平臺(tái)可結(jié)合 5G 固定無(wú)線接入、10G-PON 光纖等高性能網(wǎng)絡(luò)接入方式，可應(yīng)用于高清視頻會(huì)議、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)技術(shù) 和 虛擬現(xiàn)實(shí)技術(shù)以及高性能云游戲等應(yīng)用場(chǎng)景。現(xiàn)目前該平臺(tái)現(xiàn)已向全球開(kāi)發(fā)合作伙伴出樣。
綜合泡泡網(wǎng)和TI之家整合
審核編輯：郭婷
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
高通
+關(guān)注
關(guān)注
78文章
7682瀏覽量
198632 -
WIFI
+關(guān)注
關(guān)注
82文章
5466瀏覽量
212001 -
5G
+關(guān)注
關(guān)注
1366文章
49067瀏覽量
590062
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
第三代半導(dǎo)體半橋上管電壓電流測(cè)試方案
在第三代半導(dǎo)體器件的研發(fā)與性能評(píng)估中，對(duì)半橋電路上管進(jìn)行精確的電壓與電流參數(shù)測(cè)試，是優(yōu)化電路設(shè)計(jì)、驗(yàn)證器件特性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。一套科學(xué)、可靠的測(cè)試方案可為技術(shù)開(kāi)發(fā)提供堅(jiān)實(shí)的數(shù)據(jù)支撐，加速技術(shù)迭代與產(chǎn)業(yè)化
開(kāi)啟連接新紀(jì)元——芯科科技第三代無(wú)線SoC現(xiàn)已全面供貨
搭載第三代無(wú)線SoC中的Secure Vault安全技術(shù)率先通過(guò)PSA 4級(jí)認(rèn)證
基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用
基礎(chǔ)，將其定位為平面柵碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)的一次重要演進(jìn)，其目標(biāo)不僅在于追趕，更在于在特定性能維度上超越市場(chǎng)現(xiàn)有成熟方案。 1.1 第三代（B3M）平臺(tái)概述 B3M系列是基本半導(dǎo)體推出的
上海貝嶺發(fā)布第三代高精度基準(zhǔn)電壓源
BLR3XX系列是上海貝嶺推出的第三代高精度基準(zhǔn)電壓源。具有高輸出精度、低功耗、低噪聲以及低溫度系數(shù)的特性。
電鏡技術(shù)在第三代半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用
第三代半導(dǎo)體材料，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表，因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn)，正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中，電鏡技術(shù)發(fā)揮著不可或缺的作用
芯科科技第三代無(wú)線開(kāi)發(fā)平臺(tái)SoC的三大領(lǐng)先特性
Silicon Labs（芯科科技）第三代無(wú)線開(kāi)發(fā)平臺(tái)SoC代表了下一代物聯(lián)網(wǎng)無(wú)線產(chǎn)品開(kāi)發(fā)趨勢(shì)，該系列產(chǎn)
第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域
隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展，半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進(jìn)。傳統(tǒng)的硅（Si）半導(dǎo)體已無(wú)法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和高頻性能的需求，因此，第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)運(yùn)而生。第三代半導(dǎo)體主要包括氮化鎵（GaN
瑞能半導(dǎo)體第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)解析（1）
隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展，進(jìn)一步推動(dòng)算力需求，服務(wù)器電源效率需達(dá)97.5%-98%，通過(guò)降低能量損耗，來(lái)支撐高功率的GPU。為了抓住市場(chǎng)機(jī)遇，瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人，推出的第三代超結(jié)MOSFET，能全面滿足高效能需求。
能量密度提升15%！TDK第三代電池量產(chǎn)在即
，這一革新使電池儲(chǔ)電能力顯著增強(qiáng)，能量密度提升 15%。在相同體積下，它能儲(chǔ)存更多電能，為手機(jī)制造商打造輕薄產(chǎn)品提供了技術(shù)支撐。 ? 彭博社指出，蘋(píng)果和三星是 TDK 的主要客戶，各自貢獻(xiàn)了公司約 10% 的總收入。第三代硅陽(yáng)極
拆了星鏈終端第三代，明白這相控陣天線的請(qǐng)留言！
一談起低軌衛(wèi)星，大家勢(shì)必會(huì)說(shuō)起馬斯克的星鏈。一談起相控陣天線，大家還是繞不開(kāi)馬斯克的星鏈。星鏈給大家打了個(gè)樣，一眾企業(yè)在模仿，試圖實(shí)現(xiàn)超越和跟隨。最近，拆了一臺(tái)第三代星鏈終端。但是，看不懂，完全
第三代半導(dǎo)體器件封裝：挑戰(zhàn)與機(jī)遇并存
一、引言隨著科技的不斷發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件在電力電子系統(tǒng)、電動(dòng)汽車、智能電網(wǎng)、新能源并網(wǎng)等領(lǐng)域發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用。近年來(lái)，第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件以其獨(dú)特的高溫、高頻、高耐壓等特性，逐漸
EE-230：第三代SHARC系列處理器上的代碼疊加
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-230：第三代SHARC系列處理器上的代碼疊加.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 01-08 14:43
?0次下載
第三代半導(dǎo)體廠商加速出海
近年來(lái)，在消費(fèi)電子需求帶動(dòng)下，加上新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、光伏、風(fēng)電、工業(yè)控制等產(chǎn)業(yè)的興起，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體廠商發(fā)展迅速。
第三代半導(dǎo)體對(duì)防震基座需求前景?
隨著科技的發(fā)展，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于快速擴(kuò)張階段。在全球范圍內(nèi)，各國(guó)都在加大對(duì)第三代半導(dǎo)體的投入，建設(shè)了眾多新的晶圓廠和生產(chǎn)線。如中國(guó)，多地都有相關(guān)大型項(xiàng)目規(guī)劃與建設(shè)，像蘇州的國(guó)家第三代半導(dǎo)體
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展
當(dāng)前，第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展。其中，新能源汽車市場(chǎng)的快速發(fā)展是第三代半導(dǎo)體技術(shù)推進(jìn)的重要?jiǎng)恿χ?，新能源汽車需要高效、高密度的功率器件?lái)實(shí)現(xiàn)更長(zhǎng)的續(xù)航里程和更優(yōu)的能量管理。
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論