今天，我們將完成我們關(guān)于寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的第三部分系列文章。在第一部分，我們聚焦物理可擴(kuò)展的模型，第二部分，我們重點(diǎn)介紹我們的碳化硅功率MOSFET模型的某些方面。在這博客系列的第三部分，我們將聚焦模型驗(yàn)證。

圖1

我們首先在上面的圖1中顯示輸出電流-電壓特性。該模型準(zhǔn)確地預(yù)測(cè)了整個(gè)偏置范圍，包括高門(mén)極處的漂移區(qū)和漏極偏差。右邊圖中精確的傳導(dǎo)仿真突出了模型的連續(xù)性，這對(duì)于強(qiáng)固的收斂性能非常重要。除了線性地發(fā)現(xiàn)隱藏的不準(zhǔn)確和不連續(xù)之外，我們還常以對(duì)數(shù)標(biāo)度觀察。

圖2

在圖2中，我們顯示了在寬溫度范圍內(nèi)電流電壓、RDSon和閾值電壓的結(jié)果。SiC MOSFET器件由于其穩(wěn)定的溫度性能而非常有吸引力。寬溫度范圍的高精度建模使設(shè)計(jì)師能夠充分利用這一品質(zhì)。

圖3

在本系列博客的第一部分中，我們介紹了復(fù)雜器件電容的物理模型。結(jié)果如圖3所示。在左邊，CRSS（或CGD）仿真跟蹤超過(guò)兩個(gè)以上數(shù)量級(jí)數(shù)據(jù)的多重變化，只在一個(gè)對(duì)數(shù)標(biāo)度上可見(jiàn)。

圖4

通過(guò)精確建模的固有電容和器件布板寄生值，就可以得出開(kāi)關(guān)結(jié)果，如圖4所示，不需要額外的模型精調(diào)。這保真度水平使應(yīng)用設(shè)計(jì)人員有信心精確仿真器件電路相互影響，如dV/dt、dI/dt、開(kāi)關(guān)損耗和電磁干擾（EMI）。還可研究和優(yōu)化門(mén)極驅(qū)動(dòng)器和電源回路的相互作用。

滿足客戶多樣化的仿真平臺(tái)需求對(duì)我們很重要。因此，SPICE不可知論的方法至關(guān)重要。不可知論法意思是在行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)仿真軟件中只使用最小公分母結(jié)構(gòu)，避免依賴仿真器的專(zhuān)有方案。

審核編輯：郭婷