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精準鎖谷底QR-Lock技術(shù)與傳統(tǒng)QR對充電器設(shè)計的影響

芯朋微電子 ? 來源:芯朋微電子 ? 作者:芯朋微電子 ? 2022-06-06 10:09 ? 次閱讀
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導讀

本期,芯朋微技術(shù)團隊為各位fans分享65W快充方案,該優(yōu)勢方案由PN8213、PN8307P、AP2080三顆套片組合,搭配GaN或者SuperJunction器件,具有高環(huán)路穩(wěn)定度、高功率密度、50mW低待機功耗、100V全集成同步整流等多重亮點,并從控制原理上為各位攻城獅們分享精準鎖谷底QR-Lock技術(shù)與傳統(tǒng)QR對充電器設(shè)計的影響。

三顆黃金搭檔

01PN8213:環(huán)路穩(wěn)定更佳、QR-Lock初級控制器

PN8213實現(xiàn)真正QR-Lock技術(shù),環(huán)路高度穩(wěn)定,進口替換的適配度更高,最高支持500kHz工作頻率,減小變壓器及輸出電容體積;典型轉(zhuǎn)換效率大于93%,提升充電器功率密度。

PN8213與海外友商相比,具備“三高一低”壓倒性優(yōu)勢替代,外圍少2-4顆(OVP復用)、1/4負載轉(zhuǎn)換效率優(yōu)于1%以上,啟動HV耐壓高出100V,VDD耐壓高出30V,具有市電欠壓保護、輸出過壓保護、原副邊防直通保護、過載保護、過溫保護等。

PN8213內(nèi)置800V高壓啟動管和X電容放電功能,待機功耗小于50mW。

02PN8307P:全集成同步整流

PN8307P內(nèi)置100V/7mΩ智能MOSFET,自適應死區(qū)控制,更低溫升,超高性價比。

03AP2080:兆赫茲升壓供電寬輸出(可選)

AP2080采用1.5MHz開關(guān)頻率的COT控制技術(shù),將儲能電感體積降至0805封裝,任何工況下可將PN8213 供電范圍控制在11-40V,提高15-20V輸出電壓下的轉(zhuǎn)換效率。

封裝及腳位配置圖

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DEMO實物圖

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方案典型應用圖

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變壓器設(shè)計

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初級繞組電感量 (Lp) :320±5%uH @10kHz

磁芯:ATQ23.7

為什么鎖谷底QR-Lock技術(shù)的工作頻率更高?

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PN8213采用精準鎖谷底QR-Lock技術(shù),工作頻率可達到500kHz,顯著提高充電器的功率密度。相比普通QR技術(shù),為什么鎖谷底QR的工作頻率更高?其原理說明如下:

1?反激變換器工作在DCM/QR模式,輸出功率由下式?jīng)Q定:

fef562d4-e479-11ec-ba43-dac502259ad0.png

2?一個開關(guān)周期由導通時間Ton、消磁時間Tdmg和振蕩時間Tosc組成,其表達式如下:

ff1b921a-e479-11ec-ba43-dac502259ad0.png

其中N為谷底數(shù),大于等于1

3?綜合(1)、(2)式,可得

ff50a3ba-e479-11ec-ba43-dac502259ad0.png

對于市面上常見普通QR,因谷底不鎖定,開關(guān)頻率受Tosc影響顯著,以上圖參數(shù)舉例如下:平均開關(guān)周期為7.95us(126kHz,第2谷底QR),振蕩周期為1.5us,增加一個谷底則開關(guān)頻率降低27.8kHz,減少一個谷底則開關(guān)頻率增加56.7kHz。因此,為滿足最高頻率限制,市面上常見普通QR的平均開關(guān)頻率相對不高。

對于PN8213所采用的的精準鎖谷底QR-Lock技術(shù),在一個負載點附近開關(guān)頻率僅受Ipmax影響,可近似等效為定頻控制。因此,精準鎖谷底QR-Lock技術(shù)相比普通QR整體工作頻率更高、環(huán)路穩(wěn)定性更佳。

平均效率

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ffdbb644-e479-11ec-ba43-dac502259ad0.png

向下滑動查看所有內(nèi)容

空載待機功耗

0000fbf2-e47a-11ec-ba43-dac502259ad0.png

AP2080工作曲線

0049e2a4-e47a-11ec-ba43-dac502259ad0.png

功率管應力測試

測試條件:264Vac,20V3.25A

009a97b2-e47a-11ec-ba43-dac502259ad0.png

Q1 VDS

00ccf748-e47a-11ec-ba43-dac502259ad0.png

U1 VDS

溫度測試

01036044-e47a-11ec-ba43-dac502259ad0.png

90Vac,20V 3.25A

012b0a54-e47a-11ec-ba43-dac502259ad0.png

264Vac,20V 3.25A

備注:CH1:PN8213;CH2:Q1;CH4:T1 Core;CH5:T1 Wire;CH7:環(huán)溫;CH8:PN8307P

EMC測試

● EMI傳導、輻射滿足EN55032 Class B標準要求,裕量均大于6dB

ESD滿足IEC61000-4-2,8kV/15kV等級要求

● EFT滿足IEC 61000-4-4: 2004,4kV等級要求

● Surge滿足IEC 61000-4-5:2005,2kV等級要求

● 交流絕緣滿足3.75kVac要求

應用要點

1為提升系統(tǒng)ESD能力,PN8213 HV腳外接15kΩ限流電阻,PN8307P VDD腳放置RC濾波:R推薦值10-22Ω,C推薦值0.1uF

2系統(tǒng)最高工作頻率FSW可通過PN8213的FSET腳外接電阻RFSET設(shè)置:

015015c4-e47a-11ec-ba43-dac502259ad0.png

3為提高峰值電流控制的抗干擾性,PN8213 CS腳需放置RC濾波器R推薦值470Ω, C推薦值100pF

4PN8213 DMG腳上的偏電阻Rup和下偏電阻Rlow可實現(xiàn)線電壓OCP補償、輸出OVP保護以及QR檢測三大功能,設(shè)定依據(jù)如下:

017e2a9a-e47a-11ec-ba43-dac502259ad0.png

01a95f26-e47a-11ec-ba43-dac502259ad0.png

5AP2080 SW腳外接Boost電感推薦值3.3-4.7uH,0805封裝;由于PN8213供電范圍較寬(9-56V),VDD外的Boost升壓電路可根據(jù)輸出電壓范圍選擇添加或移除。

原文標題:【三代網(wǎng)紅】初級高適配+次級全集成,QR-Lock技術(shù)65W快充套片

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審核編輯:湯梓紅

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原文標題:【三代網(wǎng)紅】初級高適配+次級全集成,QR-Lock技術(shù)65W快充套片

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