電源管理系統(tǒng)要實現(xiàn)高能源轉換效率、完善可靠的故障保護，離不開高性能的開關器件。近日，豪威集團全新推出兩款 MOSFET：業(yè)內(nèi)最低內(nèi)阻雙 N 溝道 MOSFET WNMD2196A 和 SGT 80V N 溝道 MOSFET WNM6008。

WNMD2196A 超低 Rss（ON），專為手機鋰電池保護設計

近幾年，手機快充技術飛速發(fā)展，峰值充電功率屢創(chuàng)新高。在極大地緩解消費者電量焦慮的同時，高功率充電下的安全問題不容小覷。MOSFET 在電池包裝中起到安全保護開關的作用，其本身對功率的損耗也必須足夠低才能滿足高效、低發(fā)熱的要求。

雙 N 溝道增強型 MOSFET，WNMD2196A 具有業(yè)內(nèi)同類產(chǎn)品最低內(nèi)阻，RSS（ON） 低至 1m?，專為手機鋰電池電路保護設計。WNMD2196A 采用先進的溝槽技術設計，提供卓越的 RSS（ON） 的同時實現(xiàn)低柵極電荷。載流子遷移速度快，闕值電壓低，開關速率高。

WNMD2196A 兼顧性能與設計靈活性。該產(chǎn)品采用 CSP 封裝，更緊湊，方便電池應用布板設計。同時，優(yōu)化的 SOA 特性，提高承受沖擊電流的能力；超低 RSS（ON），可實現(xiàn)更高的效率和更低的溫升，提升了產(chǎn)品的可靠性。

WNM6008 80V 高功率 MOSFET 適用太陽能、電池供電應用

WNM6008——80V 高功率 MOSFET，采用最新一代 Shield Gate 技術，針對電信和服務器電源中使用的更高開關頻率進行了優(yōu)化，具備超低 FOM 值（開關應用重要優(yōu)值系數(shù)）。WNM6008 低開關和導通損耗，可實現(xiàn)更高效率、更優(yōu) EMI 性能。適用于同步整流應用，優(yōu)化了反向恢復電荷從而實現(xiàn)更低的尖峰電壓，提供最高水平的功率密度和能效，繼而為電源提供更高的效率和更強的可靠性。

WNM6008 適用于 DC-DC 轉換、電源開關和充電電路?？捎行зx能太陽能、電源和電池供電（例如電動代步車）等應用。該產(chǎn)品符合 RoHS 環(huán)保標準，采用 QFN5x6 標準緊湊封裝，在實現(xiàn)高功率密度的能量傳輸?shù)耐瑫r，方便對市場上同類產(chǎn)品進行升級替換。

豪威集團憑借多年技術沉淀，緊跟市場需求，在 MOSFET 工藝上具有導通阻抗低、封裝緊湊、類型齊全，能夠滿足多種定制化需求的獨特優(yōu)勢。未來，豪威集團將持續(xù)發(fā)力電路保護領域，不斷升級創(chuàng)新，為數(shù)字電路應用的新時代助力賦能。