全球首款2nm芯片問世 可容納500億顆晶體管
美國企業(yè)IBM正式推出2nm芯片，采用GAA環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)，使芯片體積更小，速度更快，性能大大提升。IBM 2nm芯片還首次使用了底部電介質(zhì)隔離技術(shù)和內(nèi)層空間干燥處理技術(shù)。
IBM 2nm芯片與7nm相比，性能提升45%，能耗下降75%，電池使用壽命提升至之前的四倍，最小單元甚至要比人類DNA單鏈還要小。在指甲蓋大小的芯片上可以容納500億顆晶體管，晶體管密度為333.33，是臺積電5nm的兩倍。
全球首款2nm芯片的問世，將對全球整個半導(dǎo)體行業(yè)和先進制程工藝有著至關(guān)重要的意義，IBM 2nm芯片還處在實驗室階段，距離真正投入量產(chǎn)還需花費數(shù)年時間。
綜合整理自鎂客網(wǎng)、e企學(xué)平臺
審核編輯：湯梓紅
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
芯片
+關(guān)注
關(guān)注
462文章
53559瀏覽量
459325 -
IBM
+關(guān)注
關(guān)注
3文章
1854瀏覽量
76787 -
晶體管
+關(guān)注
關(guān)注
78文章
10272瀏覽量
146338 -
2nm
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
215瀏覽量
5096
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
AI需求飆升！ASML新光刻機直擊2nm芯片制造，尼康新品獲重大突破
7月16日，全球三大光刻巨頭之一的日本尼康公司宣布，正式推出全球首款專為半導(dǎo)體后道工藝設(shè)計的無掩模光刻系統(tǒng)——DSP-100，這款設(shè)備為先進封裝量身定制，可以
三星公布首批2納米芯片性能數(shù)據(jù)
三星公布了即將推出的首代2nm芯片性能數(shù)據(jù)；據(jù)悉，2nm工藝采用的是全柵極環(huán)繞（GAA）晶體管技術(shù)，相比第二代3
臺積電2納米制程試產(chǎn)成功，AI、5G、汽車芯片，誰將率先受益？
與現(xiàn)行的3nm工藝相比，臺積電在2nm制程上首次采用了GAA（Gate-All-Around，環(huán)繞柵極）晶體管架構(gòu)。這種全新的結(jié)構(gòu)能夠讓晶體管電流控制更加精確，減少漏電問題，大幅提升
多值電場型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)
多值電場型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)
為滿足多進制邏輯運算的需要，設(shè)計了一款多值電場型電壓選擇晶體管?？刂贫M制電路通斷需要二進制邏輯門電路，實際上是對電壓的一種選擇，而傳統(tǒng)二進制邏輯門電路通常比較復(fù)雜
發(fā)表于 09-15 15:31
全球首款2nm芯片被曝準備量產(chǎn) 三星Exynos 2600
據(jù)外媒韓國媒體 ETNews 在9 月 2 日發(fā)文報道稱全球首款2nm芯片被曝準備量產(chǎn)；三星公司
曝三星S26拿到全球2nm芯片首發(fā)權(quán) 三星獲特斯拉千億芯片代工大單
Performance Body-bias）方案的驗證。Exynos 2600是全球首款2nm手機芯片。 如果三星Exynos 2600
今日看點丨蔚來自研全球首顆車規(guī)5nm芯片??；沃爾沃中國區(qū)啟動裁員計劃
低延時，快速響應(yīng)?！贝送猓畋筮€表示，這款芯片對全行業(yè)開放，誰想用都可以找我們，還可以降本。 ? 據(jù)悉，神璣NX9031芯片和底層軟件均實現(xiàn)自主設(shè)計，擁有超過500億
發(fā)表于 07-08 10:50
?1973次閱讀
算力存儲：首款2nm定制SRAM來了！
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，Marvell 美滿電子當?shù)貢r間 17 日宣布推出業(yè)界首款 2nm 定制 SRAM，可為 AI xPU 算力設(shè)備提供至高 6Gb（即 768MB）的高速片上緩存。Marvell
下一代高速芯片晶體管解制造問題解決了！
晶體管的密度，同時減少了芯片的橫向面積。
相比傳統(tǒng)的FinFET和納米片晶體管，叉片晶體管能夠顯著減少nFET和pFET之間的間距，從而在相同的芯片
發(fā)表于 06-20 10:40
臺積電2nm良率超 90%！蘋果等巨頭搶單
當行業(yè)還在熱議3nm工藝量產(chǎn)進展時，臺積電已經(jīng)悄悄把2nm技術(shù)推到了關(guān)鍵門檻！據(jù)《經(jīng)濟日報》報道，臺積電2nm芯片良品率已突破 90%，實現(xiàn)重大技術(shù)飛躍！
多值電場型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)
多值電場型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)
為滿足多進制邏輯運算的需要，設(shè)計了一款多值電場型電壓選擇晶體管?？刂贫M制電路通斷需要二進制邏輯門電路，實際上是對電壓的一種選擇，而傳統(tǒng)二進制邏輯門電路通常比較復(fù)雜
發(fā)表于 04-15 10:24
晶體管電路設(shè)計（下）
晶體管，F(xiàn)ET和IC，F(xiàn)ET放大電路的工作原理，源極接地放大電路的設(shè)計，源極跟隨器電路設(shè)計，F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計與制作，柵極接地放大電路的設(shè)計，電流反饋型OP放大器的設(shè)計與制作，進晶體管
發(fā)表于 04-14 17:24
手機芯片進入2nm時代，首發(fā)不是蘋果？
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，2nm工藝制程的手機處理器已有多家手機處理器廠商密切規(guī)劃中，無論是臺積電還是三星都在積極布局，或?qū)⒂袛?shù)款芯片成為2nm工藝制程的首發(fā)產(chǎn)品。 ? 蘋果A19 或A2
發(fā)表于 03-14 00:14
?2323次閱讀
臺積電分享 2nm 工藝深入細節(jié)：功耗降低 35% 或性能提升15%!
下），同時其晶體管密度是上一代3nm制程的1.15倍。這些顯著優(yōu)勢主要得益于臺積電的全柵極（Gate-All-Around, GAA）納米片晶體管、N2 NanoFlex設(shè)計技術(shù)協(xié)同優(yōu)
IBM與Rapidus在多閾值電壓GAA晶體管技術(shù)的新突破
Rapidus 的 2nm 制程生產(chǎn)流程之中。 IBM 宣稱，當制程推進到 2nm 階段時，晶體管的結(jié)構(gòu)會從長久以來所采用的 FinFET（鰭式場效應(yīng)晶體管）轉(zhuǎn)換為 GAAFET（全
工商網(wǎng)監(jiān)
評論