本系列文章的第1 部分解釋了內(nèi)存如何影響汽車中區(qū)域和域系統(tǒng)的計算性能、功耗、可靠性和成本?，F(xiàn)在，讓我們談?wù)勔环N特定類型的非易失性存儲器 (NVM) — 相變存儲器 (PCM) — 在 MCU 的關(guān)鍵特性和好處中的作用和影響：無線 (OTA) 固件升級，也稱為固件無線 (FOTA) 升級。

在汽車市場以前所未有的速度發(fā)展之際，OTA 固件升級是基于區(qū)域和域的應(yīng)用程序的一項重要功能。現(xiàn)場車輛需要快速推出新功能和升級，而OTA固件升級確保了低成本的升級機制。

區(qū)域和域 ECU 架構(gòu)需要快速的 OTA 固件升級功能，并且無需應(yīng)用程序停機即可工作。

OTA固件升級架構(gòu)

常見的兩種OTA固件升級方式，在優(yōu)化成本還是性能、可靠性和效率方面存在差異。單個基于應(yīng)用程序映像的實現(xiàn)（圖 1-a）是更經(jīng)濟的方法，因為它使用的非易失性存儲器大約是實現(xiàn)基于應(yīng)用程序映像或基于 A/B 交換的雙系統(tǒng)所需的一半（圖 1-b） ）。

圖 1-a：基于單個圖像的實現(xiàn)更經(jīng)濟。資料來源：意法半導體

圖 1-b：基于雙映像的實現(xiàn)需要大約 2 倍的非易失性存儲器。資料來源：意法半導體

憑借大約 2 倍的必要非易失性內(nèi)存，雙應(yīng)用程序映像方法“保護”了原始固件，以便車輛/ECU 可以持續(xù)遷移到新固件并在版本之間運行而無需任何停機時間。此外，如果出現(xiàn)問題，早期版本仍可在 NVM 中使用，并提供回滾選項。它是汽車應(yīng)用中更常用的架構(gòu)——其代價是閃存大小是應(yīng)用程序大小的兩倍。

除了內(nèi)存成本之外，OTA 升級實施的另一個重要方面是更新應(yīng)用程序的時間。時間直接影響用戶以及經(jīng)銷商將更新下載到車輛上的時間。使用新映像更新閃存是一個兩步過程：擦除和寫入。此外，擦除時間可能比寫操作長四到五倍。因此，快速升級需要優(yōu)化寫入和擦除時間。

使用 PCM 進行 OTA 固件升級

PCM 內(nèi)存，就像Stellar SR6 MCU 中的內(nèi)存一樣，通過解決上述挑戰(zhàn)改變了 OTA 固件升級的實施方式。PCM 每個邏輯位有兩個物理單元，它們一起工作以在高溫下提供高可靠性和長保留時間，這在汽車應(yīng)用中是必需的。在正常程序執(zhí)行期間，第二個物理位是第一位的倒數(shù)，也稱為差分模式。圖 2 說明了 PCM 在正常操作中是如何工作的。

圖 2：這是相變存儲器 (PCM) 在正常操作期間的工作方式。資料來源：意法半導體

在執(zhí)行 OTA 固件升級時，第二個物理單元不需要存儲反向數(shù)據(jù)，并且可以存儲新數(shù)據(jù)，如圖 3 所示。這種配置也稱為單端模式。

圖 3：這是 PCM 在 OTA 固件升級期間的工作方式。資料來源：意法半導體

與其他嵌入式非易失性存儲器技術(shù)相比，PCM 單元尺寸要小得多。因此，與其他架構(gòu)相比，兩個物理單元不需要雙倍的物理空間。

因此，在 OTA 固件升級期間，第二個物理單元的可用性實質(zhì)上是可用內(nèi)存大小的兩倍。例如，如果一個 MCU 有 20 MB 的總 PCM 內(nèi)存，它可以支持 20 MB 的應(yīng)用程序大小。然后，在 OTA 升級期間，MCU 的可用內(nèi)存翻倍至 40 MB。因此，MCU 可以存儲兩個 20 MB 的圖像。此功能解決了將內(nèi)存大小加倍以支持 OTA 升級的需求。

在這里，值得一提的是，即使在 OTA 升級過程完成后，傳統(tǒng)的 A/B 交換或基于雙映像的實現(xiàn)也會同時存儲新舊映像。理想情況下，僅需要這兩個映像以確保在 OTA 升級期間不會停機，并在出現(xiàn)錯誤時提供將升級回滾到先前版本的可能性。如前所述，PCM 的獨特之處在于它支持這種靈活性，而不會像其他內(nèi)存類型那樣浪費內(nèi)存容量。

如果即使在 OTA 升級過程之后也需要維護兩個映像，PCM 也可以支持傳統(tǒng)的 A/B 交換/雙映像實現(xiàn)。在這種情況下，雖然應(yīng)用程序的大小將是總 PCM 的一半，就像嵌入閃存的實現(xiàn)一樣；PCM 仍然具有寫入速度更快的優(yōu)勢，因為它不需要預(yù)寫入擦除。

為什么 PCM 在區(qū)域和域 MCU 中很重要

區(qū)域和域架構(gòu)通過提高系統(tǒng)性能和降低系統(tǒng)復(fù)雜性和車輛重量提供了巨大的優(yōu)勢。它們主要通過減少線束的數(shù)量來影響重量。另一方面，與傳統(tǒng)ECU相比，這些架構(gòu)中功能和能力的集成需要更高的計算能力。

為了充分利用這些架構(gòu)，NVM 中的代碼必須足夠快以最小化等待狀態(tài)。NVM 中的數(shù)據(jù)也應(yīng)該快速以提高系統(tǒng)性能。為避免需要外部 EEPROM，NVM 中的數(shù)據(jù)應(yīng)模擬快速 EEPROM，而不會降低耐用性和相鄰存儲單元。低功率運行也很重要，因為它直接影響電動汽車的單次充電范圍。此外，在工廠和無線升級的快速編程對于管理成本至關(guān)重要。

不幸的是，現(xiàn)有的 NOR 閃存架構(gòu)在大多數(shù)這些方面都不夠理想。制造商已經(jīng)能夠提高某些 NOR 閃存類型的速度，但這些改進在 40 納米以下的技術(shù)節(jié)點上逐漸消失。

現(xiàn)在，隨著基于 28 納米技術(shù)的區(qū)域和域 MCU 進入市場，提供小尺寸和具有成本效益的硅需要可擴展的新 NVM 技術(shù)。相變存儲器通過提供更快的訪問時間、無需擦除的寫入、單位可更改性、低功耗操作和內(nèi)置的 OTA 升級功能來解決這些挑戰(zhàn)。這就是 PCM 如何為用于汽車應(yīng)用的新一代區(qū)域和域 ECU 架構(gòu)鋪平道路。

審核編輯 黃昊宇