電磁干擾 (EMI) 是全球電子制造供應(yīng)鏈中越來(lái)越重要的話題。越來(lái)越小的 IC 幾何尺寸、更低的電源電壓和更高的數(shù)據(jù)速率都使設(shè)備和工藝更容易受到 EMI 的影響。電氣噪聲、設(shè)備產(chǎn)生的 EMI 感應(yīng)信號(hào)以及電源線瞬態(tài)等因素都會(huì)影響制造過(guò)程，從晶圓處理到引線鍵合再到 PCB 組裝和測(cè)試，給行業(yè)造成數(shù)百萬(wàn)美元的損失。此外，能夠引起電氣過(guò)應(yīng)力 (EOS) 的傳導(dǎo)發(fā)射會(huì)損壞敏感的半導(dǎo)體器件。英特爾一直將 EOS 列為“IC 組件損壞的第一大來(lái)源”。 (英特爾 制造支持指南 2001、2010、2016)。

雖然歐洲 EMC 指令和 FCC 測(cè)試和認(rèn)證等 EMC(電磁兼容性)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)設(shè)備的允許發(fā)射水平進(jìn)行了限制，但一旦設(shè)備與其他工具一起安裝，實(shí)際操作環(huán)境中的 EMI 水平可以大不相同，因此會(huì)影響設(shè)備的操作、性能和可靠性。例如，(i)偶爾的瞬變會(huì)在伺服電機(jī)的旋轉(zhuǎn)反饋中引發(fā)“額外”脈沖，這會(huì)及時(shí)導(dǎo)致機(jī)械臂的錯(cuò)誤位置，最終損壞晶圓; (ii) 來(lái)自伺服電機(jī)的高頻噪聲和工具中的開(kāi)關(guān)模式電源的組合會(huì)在焊線/漏斗和設(shè)備之間產(chǎn)生電壓差，從而導(dǎo)致高電流和最終對(duì)設(shè)備造成電過(guò)載; (iii) 晶圓探針測(cè)試提供不一致的結(jié)果，這是由于晶圓處理機(jī)中多個(gè)伺服電機(jī)的組合導(dǎo)致晶圓卡盤(pán)上的高水平 EMI。此類(lèi)現(xiàn)場(chǎng)案例說(shuō)明了 EMC 測(cè)試要求與實(shí)際 EMI 容限水平之間的差距及其對(duì)半導(dǎo)體制造和處理的影響。

由全球度量技術(shù)委員會(huì)北美分會(huì)制定的新標(biāo)準(zhǔn) SEMI E176-1017《半導(dǎo)體制造環(huán)境中的電磁干擾 (EMI) 評(píng)估和最小化指南》彌補(bǔ)了這一差距。 SEMI E176 面向 IC 制造商和任何處理半導(dǎo)體設(shè)備(例如電子設(shè)備的 PCB 組裝和集成)的人員，既是一份實(shí)用指南，也是一份教育文件。 SEMI E176 簡(jiǎn)要總結(jié)了 EMI 起源、EMI 傳播、測(cè)量技術(shù)和關(guān)于減輕不良電磁輻射的建議，以使設(shè)備能夠共存和正常運(yùn)行，并在其預(yù)期使用環(huán)境中減少 EOS。具體來(lái)說(shuō)，E176 為基于 IC 幾何形狀的不同類(lèi)型的 EMI 提供了推薦級(jí)別。

NA Metrics 技術(shù)委員會(huì)聯(lián)合主席兼總裁 Vladimir Kraz 表示：“SEMI E176 可能是整個(gè)行業(yè)中唯一有效的標(biāo)準(zhǔn)，它就制造環(huán)境中可接受的 EMI 水平以及實(shí)現(xiàn)和保持這些數(shù)字的方法提供建議?！?OnFILTER, Inc. 的“E176 也是獨(dú)一無(wú)二的，因?yàn)樗粌H限于半導(dǎo)體制造，還可以應(yīng)用于其他行業(yè)。后端組裝和測(cè)試以及 PCB 組裝同樣受到 EMI 的影響，并且可以從 SEMI E176 實(shí)施中受益，因?yàn)樵?IC 制造和 PCB 組裝中處理半導(dǎo)體器件之間存在很強(qiáng)的相似性，并且通常在預(yù)防缺陷之間共享IC和PCBA制造商?！?/p>

新發(fā)布的 SEMI E176 和最近更新的 SEMI E33-0217，?半導(dǎo)體制造設(shè)備電磁兼容性 (EMC) 指南，為在制造環(huán)境中建立和保持低 EMI 水平提供了完整的文檔。

不良排放具有操作、責(zé)任和監(jiān)管方面的后果。馴服它是一項(xiàng)具有挑戰(zhàn)性的任務(wù)，需要一種全面的方法，從適當(dāng)?shù)南到y(tǒng)設(shè)計(jì)實(shí)踐開(kāi)始，到發(fā)展該領(lǐng)域的 EMI 專業(yè)知識(shí)結(jié)束。新的 SEMI 176 為將 EMI 降低到當(dāng)今和未來(lái)有效的高良率半導(dǎo)體制造所需的水平提供了實(shí)用指南。

審核編輯：湯梓紅