加快第三代半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用，推動(dòng)大中小企業(yè)融通發(fā)展。2022年7月27日，由北京國聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司主辦的主題為“SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高峰論壇”，通過線上+線下的方式成功舉辦。本次論壇活動(dòng)由國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（北京）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、北京智創(chuàng)華科半導(dǎo)體研究院有限公司、國際第三代半導(dǎo)體眾聯(lián)空間一同協(xié)辦，北京新材料和新能源科技發(fā)展中心、北京市順義區(qū)科學(xué)技術(shù)委員會(huì)、北京市順義區(qū)經(jīng)濟(jì)和信息化局、中關(guān)村科技園區(qū)順義園管理委員會(huì)共同指導(dǎo)，得到了業(yè)內(nèi)專家及產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)的一致好評(píng)。

本次高峰論壇國聯(lián)萬眾邀請(qǐng)到了西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院副院長、國家工程中心主任馬曉華，電子科技大學(xué)教授/博導(dǎo)鄧小川，中國

科學(xué)院微電子研究所博士許恒宇，株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司中車科學(xué)家新型功率半導(dǎo)體器件國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室常務(wù)副主任，教授級(jí)高級(jí)工程師劉國友，中國電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所研究員級(jí)高工/高級(jí)專家周洪彪，北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司董事、常務(wù)副總經(jīng)理/博士彭同華，北京晶格領(lǐng)域半導(dǎo)體有限公司總經(jīng)理張澤盛，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長趙璐冰，北京國聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司市場部部長王永維，北京智慧能源研究院功率半導(dǎo)體研究所副總工程師楊霏，國鼎資本投資總監(jiān)吳一葦，深圳市中投德勤投資管理有限公司投資總監(jiān)黃慧鋒，北京國基科航第三代半導(dǎo)體檢測技術(shù)有限公司副總經(jīng)理李艷明等13位業(yè)內(nèi)專家薈聚一堂，共同探討如何加快推動(dòng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向技術(shù)高端化、企業(yè)品牌化、應(yīng)用泛在化、區(qū)域協(xié)同化發(fā)展，為大中小企業(yè)健康發(fā)展提供強(qiáng)勁引擎，促進(jìn)我國企業(yè)走高質(zhì)量發(fā)展道路。

北京市順義區(qū)經(jīng)濟(jì)和信息化局副局長張政致辭中表示，順義區(qū)將第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展作為順義三大主導(dǎo)發(fā)展產(chǎn)業(yè)之一，將繼續(xù)大力扶持第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聚集發(fā)展，形成第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)全產(chǎn)業(yè)鏈格局，同時(shí)對(duì)順義區(qū)第三代半導(dǎo)體一些利好政策進(jìn)行了宣講，解決企業(yè)在研發(fā)、生產(chǎn)、公共設(shè)施配套、市場推廣等環(huán)節(jié)的關(guān)鍵問題。

西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院副院長，國家工程中心主任馬曉華在報(bào)告中指出，氧化鎵是近年來在半導(dǎo)體材料創(chuàng)新上能夠?qū)嶋H應(yīng)用的代表材料，兼具創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)應(yīng)用的優(yōu)勢，提前布局超寬禁帶半導(dǎo)體相關(guān)的基礎(chǔ)研究，從技術(shù)跟隨逐漸過渡到技術(shù)創(chuàng)新；由于缺乏有效的P型摻雜，提升Ga2O3器件的擊穿特性同時(shí)將犧牲器件整體的電阻和效率，要實(shí)現(xiàn)具有競爭優(yōu)勢的應(yīng)用還需要一段時(shí)間；目前國內(nèi)該產(chǎn)業(yè)化投資過熱，未來市場預(yù)期有限，技術(shù)成熟度目前有限，同時(shí)市場尚未出現(xiàn)對(duì)產(chǎn)業(yè)化的迫切需求。

電子科技大學(xué)鄧小川教授在碳化硅功率器件特性與優(yōu)勢以及可靠性研究兩大方面作了詳細(xì)報(bào)告，報(bào)告中指出目前國際上SiC功率器件面臨的技術(shù)難度正在逐步降低，隨著大尺寸SiC晶圓的發(fā)展，價(jià)格最終不會(huì)成為制約的瓶頸；在混合電動(dòng)汽車、電動(dòng)汽車以及智能電網(wǎng)等節(jié)能減排行業(yè)的大力牽引下，SiC功率器件正在逐步邁向普及化。

中國科學(xué)院微電子研究所許恒宇博士在報(bào)告中提到面向“碳中和、碳達(dá)峰”為代表的國家重大戰(zhàn)略要求，在要求滿足超低損耗和高可靠性的新能源汽車領(lǐng)域，以應(yīng)用牽引為指導(dǎo)，提出了SiC超結(jié)MOS器件重要性；針對(duì)產(chǎn)業(yè)薄弱環(huán)節(jié)，亟待引進(jìn)該領(lǐng)域制造先進(jìn)的核心制備技術(shù)的必要性和急迫性。圍繞SiC超結(jié)MOS器件“理論構(gòu)建、仿真設(shè)計(jì)、超結(jié)制備、工藝整合”等方面，基于SiC MOSFET開展超結(jié)MOS器件制備技術(shù)創(chuàng)新，明確超結(jié)外延制備技術(shù)路線，為我國新能源汽車事業(yè)和“雙碳”戰(zhàn)略推進(jìn)提供關(guān)鍵技術(shù)支撐。

中國電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所研究員級(jí)高工/高級(jí)專家周洪彪報(bào)告中指出，隨著第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展期到來和行業(yè)自主可控的急迫需求，國產(chǎn)裝備成長空間巨大；中國電科48所重點(diǎn)圍繞SiC全鏈條開展核心裝備開發(fā)、驗(yàn)證與推廣應(yīng)用，并持續(xù)迭代改進(jìn)，以SiC單晶生長、高溫高能離子注入、高溫氧化/激活為代表的系列設(shè)備已實(shí)現(xiàn)小批量應(yīng)用；加強(qiáng)工藝融合和行業(yè)協(xié)作，進(jìn)一步推動(dòng)第三代半導(dǎo)體國產(chǎn)化裝備的跨越式發(fā)展。

株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司常務(wù)副主任、教授級(jí)高級(jí)工程師劉國友表示，SiC MOSFET成為高壓功率器件的解決方案，越來越多的企業(yè)參與其中。高壓SiC MOSFET材料、涉及、工藝技術(shù)取得很大進(jìn)展并逐漸成熟，3300V及以上電壓等級(jí)的芯片和模塊逐步商業(yè)化。高壓SiC MOSFET應(yīng)用于軌道交通領(lǐng)域，推動(dòng)綠色、智能技術(shù)發(fā)展；在智能電網(wǎng)、飛機(jī)、船舶電驅(qū)等方面也有很好的應(yīng)用前景。高壓SiC材料、工藝和封裝等全產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同，聚焦質(zhì)量、成本與可靠性攻關(guān)，推動(dòng)高壓SiC技術(shù)創(chuàng)新與規(guī)模應(yīng)用。

北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司董事、常務(wù)副總經(jīng)理/博士彭同華在報(bào)告中指出，從產(chǎn)業(yè)鏈來看，碳化硅襯底位于產(chǎn)業(yè)鏈上游，支撐整個(gè)產(chǎn)業(yè)發(fā)展，從整體性價(jià)比和發(fā)展趨勢考量，未來幾年6英寸仍將為主流；8英寸在2025年需求量開始上升增長。

北京晶格領(lǐng)域半導(dǎo)體有限公司張澤盛總經(jīng)理對(duì)液相法生長大尺寸硅單晶碳進(jìn)行了詳細(xì)報(bào)告，提到液相法是制備高質(zhì)量硅酸鹽晶體的一種有前途的方法，低溫溶液生長法由于生長過程具有更好的可控性和穩(wěn)定性，提高了產(chǎn)率；預(yù)估液相法可以有效地降低成本的原子襯底晶片超過30%。

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長趙璐冰指出，在建立協(xié)同創(chuàng)新的產(chǎn)業(yè)體系和生態(tài)愿景方面，要建立明確的目標(biāo)、權(quán)責(zé)清晰、體系化任務(wù)型的產(chǎn)學(xué)研創(chuàng)新聯(lián)合體，加快迭代研發(fā)，打通產(chǎn)業(yè)鏈條，實(shí)現(xiàn)核心關(guān)鍵產(chǎn)品國產(chǎn)替代，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)整體達(dá)到國際先進(jìn)水平。建設(shè)開放、高水平的專業(yè)化國家級(jí)平臺(tái)，加強(qiáng)基礎(chǔ)材料、設(shè)計(jì)、工藝、裝備、封測、標(biāo)準(zhǔn)等國家體系化能力建設(shè)。探索構(gòu)建科技金融網(wǎng)鏈，下游反哺上游方式帶動(dòng)社會(huì)資本，探索平臺(tái)+孵化器+基金+基地以及大中小企業(yè)融通發(fā)展的合作新模式。加強(qiáng)精準(zhǔn)的國際與區(qū)域合作，推進(jìn)政府間合作框架下的項(xiàng)目合作與平臺(tái)建設(shè)，開展常態(tài)化海外項(xiàng)目輸送與技術(shù)轉(zhuǎn)移。

北京國聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司市場部部長王永維在報(bào)告中講到碳化硅電力電子器件需求及技術(shù)挑戰(zhàn)的三項(xiàng)共同目標(biāo)，要更好的保護(hù)柵極，提高柵氧可靠性；提高器件電流密度，縮減芯片面積，降低成本；提高SiC MOSFET性能。同時(shí)指出目前SiC器件已經(jīng)具備規(guī)模在新能源汽車中使用的條件。

北京智慧能源研究院功率半導(dǎo)體研究所副總工程師楊霏圍繞“高壓大功率碳化硅器件及其應(yīng)用基礎(chǔ)理論研究”和“高壓大功率碳化硅MODFET及其在電力電子變壓器中的示范應(yīng)用”兩大項(xiàng)目主題作了詳細(xì)匯報(bào)，傳統(tǒng)電網(wǎng)正向以電力電子技術(shù)廣泛應(yīng)用為代表的智能電網(wǎng)方向發(fā)展,亟需提升器件的耐壓,通流能力和開關(guān)速度,并降低損耗.電力電子變壓器是未來智能電網(wǎng)核心設(shè)備之一,目前基于硅器件的電力電子變壓器體積大,損耗高,重量大,無法推廣應(yīng)用。碳化硅器件具有電壓等級(jí)高,通流能力強(qiáng),頻率高,損耗低等優(yōu)勢,可以大幅減小設(shè)備體積與重量,降低損耗.碳化硅器件將是電力電子變壓器首選功率器件,高壓大功率碳化硅材料及器件的實(shí)用化將決定電力電子變壓器的發(fā)展未來。

國鼎資本投資總監(jiān)吳一葦在報(bào)告中提到如何在風(fēng)口浪尖的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈找準(zhǔn)市場精準(zhǔn)投資，首先要尋找碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中的成本中心，即具有定價(jià)權(quán)的襯底，設(shè)計(jì)端及MOS也是未來關(guān)注的重點(diǎn)，從產(chǎn)業(yè)鏈細(xì)化分工上來看，外延片和模組是核心關(guān)注點(diǎn)。SiC產(chǎn)業(yè)為技術(shù)驅(qū)動(dòng)投資，具有長時(shí)間的投資價(jià)值。

深圳市中投德勤投資管理有限公司投資總監(jiān)黃慧鋒在報(bào)告中講到由于新能源汽車和儲(chǔ)能的大規(guī)模商用，對(duì)功率密度和效率要求提升，在全球碳中和碳達(dá)峰的背景下，SiC會(huì)成為一種主流趨勢；SiC還是歐美日本國際廠商英飛凌、ROHM、CREE、ST等公司技術(shù)和份額主導(dǎo)；國內(nèi)SiC廠商發(fā)展迅速，外延和襯底國產(chǎn)化后價(jià)格還是持續(xù)走低；國內(nèi)競爭對(duì)手眾多，大家需要考慮整合資源協(xié)同發(fā)展；部分產(chǎn)品可以替代Si方案，當(dāng)前難點(diǎn)還是驅(qū)動(dòng)比較難需要方案級(jí)別替代；GaN技術(shù)在一定程度上可以替代部分SiC和Si的市場，需要技術(shù)創(chuàng)新和成本領(lǐng)先。

北京國基科航第三代半導(dǎo)體檢測技術(shù)有限公司副總經(jīng)理李艷明在報(bào)告中指出充分利用順義區(qū)相關(guān)扶持政策，為碳化硅電力電子器件等企業(yè)提供高質(zhì)量的第三代半導(dǎo)體檢驗(yàn)檢測服務(wù)，不僅有利于完善順義區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，同時(shí)也能起到示范帶動(dòng)作用，為順義區(qū)打造第三代半導(dǎo)體集聚區(qū)奠定良好基礎(chǔ)。

本次論壇同步舉辦了線上圓桌溝通會(huì)，嘉賓分別是北京新材料與新能源科技發(fā)展中心副主任蔡永香、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長趙璐冰、中國科學(xué)院微電子研究所博士許恒宇、北京智慧能源研究院功率半導(dǎo)體研究所 副總工程師楊霏、中電科48所研究員級(jí)高工/高級(jí)專家周洪彪、國鼎資本投資總監(jiān)吳一葦。各位專家分別從各自領(lǐng)域深入研討了“如何從全要素協(xié)同創(chuàng)新、系統(tǒng)發(fā)展，促進(jìn)SiC產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展”及“中國SiC領(lǐng)域的未來發(fā)展”兩大方向內(nèi)容，闡述了碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)機(jī)遇與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同，基于我國在SiC領(lǐng)域做了大量的長時(shí)間技術(shù)積累，擁有完整的產(chǎn)業(yè)鏈及最大的應(yīng)用市場，不久的將來SiC產(chǎn)業(yè)一定會(huì)支撐我國“碳達(dá)峰”和“碳中和”戰(zhàn)略，引領(lǐng)我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向上發(fā)展，形成億萬級(jí)市場。

本次論壇線上在線累計(jì)6169人/次聆聽專家報(bào)告，最高同時(shí)在線3295人，線下分為國創(chuàng)中心會(huì)場、第三代半導(dǎo)體材料和應(yīng)用創(chuàng)新基地會(huì)場、順義區(qū)企業(yè)會(huì)場，累計(jì)62人線下聆聽。

本次活動(dòng)為推動(dòng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)與特高壓、城際高速鐵路和城際軌道交通、新能源汽車充電樁等領(lǐng)域融合創(chuàng)新，促進(jìn)創(chuàng)新產(chǎn)品開發(fā)、創(chuàng)新企業(yè)培育、創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)發(fā)展，推動(dòng)第三代半導(dǎo)體頂尖人才加速聚集北京順義，促進(jìn)優(yōu)質(zhì)企業(yè)集群式發(fā)展，為加快構(gòu)建以第三代半導(dǎo)體為核心的高精尖經(jīng)濟(jì)結(jié)構(gòu)提供有力支撐。