七是個吉祥數(shù)字，一周有七天，世界有七大奇跡，地球有七個大陸，葫蘆娃有七兄弟，白雪公主有七個小矮人。..。..

許多人選擇“七”這個數(shù)字是因為它的“幸運”屬性，而UnitedSiC選擇它則當然是因為七個引腳非常適合D2PAK半導體封裝。它比標準D2PAK-3L版本多了四個引腳，這造就了它的與眾不同，它便于您采用靈活的設計選擇，從而盡可能提高SiC FET的實際性能。一個引腳用于到源極的開爾文連接，避免負載電流與柵極驅(qū)動產(chǎn)生交互，一個引腳用于柵極，其他五個引腳并聯(lián)到源極，以盡量減小電阻和引腳電感。

當然，D2PAK-7L的“首要”屬性是厚度小和表面式安裝，這使它非常適合以現(xiàn)代化自動組裝技術安裝到功率密集的交流轉(zhuǎn)直流產(chǎn)品、直流轉(zhuǎn)直流產(chǎn)品和逆變器中。以前的最終產(chǎn)品設計通常需要用到采用TO-247等封裝的引腳器件，因為它們能夠?qū)崃總鲗е帘夭豢缮俚耐獠可崞?，同時具備在高壓下使用的引腳分離屬性。然而，這種設計也有缺點，它需要人工擰螺絲和螺母，還需要人工執(zhí)行通孔焊接。現(xiàn)在，借助銀燒結晶粒連接和先進的晶圓減薄技術，如果將UnitedSiC的新D2PAK-7L封裝安裝到PCB上或采用液冷的隔離金屬基板上，它將具有具備出眾的熱性能。事實上，因為這些封裝內(nèi)的第四代750V SiC FET的損耗非常低，所以，通常，只需PCB墊就可以提供足夠的散熱，甚至在電池充電器和電動機等功率非常高的應用中也是如此。UnitedSiC提供的七個器件的導通電阻從60毫歐到9毫歐不等，適合各種應用和預算。沒有什么競爭器件能與其相比，最接近的器件也僅僅達到11毫歐，請見圖1。

【圖1：UnitedSiC D2PAK-7L SiC FET RDS（on）與競爭產(chǎn)品對比】

D2PAK-7L封裝的性能優(yōu)于TO-247，且源極和漏極連接之間有更好的外部間隔，更方便進行PCB布局和遵守安全機構的漏電與間隙要求。更小的封裝尺寸還能減小封裝接合線的長度，這是一個重要優(yōu)勢，因為晶粒RDS（ON）和晶粒體積都在不斷縮小。由于線接合處更短且鷗翼形引腳長度造成的環(huán)形更小，電感會降低，從而使碳化硅開關技術可能帶來的快速di/dt速率導致的電壓峰值降低。

UnitedSiC 750V SiC FET系列中引入的D2PAK-7L封裝以其更小巧的外形、更高的成本效益和更低的損耗推開了新的性價比敏感型應用的大門。750V額定值產(chǎn)品提供的低電感、開爾文柵極連接和額外的電壓裕度還能提高器件的堅固性。

UnitedSiC在線FET-Jet Calculator的庫中包含D2PAK-7L器件，讓您可以為您的應用選擇最佳器件版本，并能立即讀出所選轉(zhuǎn)換拓撲和冷卻布置的效率、組件損耗和結溫上升。

因此，無論七是不是您的幸運數(shù)字，它都代表著SiC FET封裝技術的一大進步。在您的下一款功率產(chǎn)品設計中試試它吧！