針對(duì)2.4G頻段遠(yuǎn)距離無(wú)線單發(fā)芯片——SI24R2F/R2F+、SI24R2H，在開(kāi)發(fā)過(guò)程中會(huì)遇到的問(wèn)題進(jìn)行匯總解答。

技術(shù)提問(wèn)

Q1：Si24R2F報(bào)警功能的作用？

動(dòng)能世紀(jì)A1：防拆報(bào)警針對(duì)資產(chǎn)管理，當(dāng)固定資產(chǎn)被拆除時(shí)芯片會(huì)發(fā)出報(bào)警信號(hào)。低壓報(bào)警用來(lái)檢測(cè)電池電壓及容量，替換發(fā)射和按鍵發(fā)射都是針對(duì)特定應(yīng)用，也可以延伸應(yīng)用，具體可以從芯片數(shù)據(jù)手冊(cè)及相關(guān)說(shuō)明了解。

Q2：Si24R2F與Si24R2F+對(duì)比？

動(dòng)能世紀(jì)：A2：相同點(diǎn)：兩者封裝PIN對(duì)PIN兼容，均為QFN20 5*5mm，最大發(fā)射功率值（12dbm）一致；四種報(bào)警功能一致（防拆報(bào)警、低壓報(bào)警、替換發(fā)射、按鍵發(fā)射）。

差異點(diǎn)：SI24R2F+集成NTC溫度采集功能；增加邊沿計(jì)數(shù)功能；優(yōu)化BLE4.2廣播包發(fā)射功能；外圍電路參數(shù)需要微調(diào)。

Q3：Si24R2F+溫度采集精度范圍？

動(dòng)能世紀(jì)A3：因?yàn)橹С滞饨覰TC電阻進(jìn)行溫度采集，所以采集精度取決于外接NTC電阻的采集精度。芯片內(nèi)部集成的是10 bit ADC。

Q4：Si24R2F+邊沿計(jì)數(shù)功能怎么實(shí)現(xiàn)？

動(dòng)能世紀(jì)A4：通過(guò)在MISO引腳外接一個(gè)微型震動(dòng)傳感器實(shí)現(xiàn)計(jì)數(shù)，原理是通過(guò)芯片編程上位機(jī)設(shè)置后，通過(guò)檢測(cè)引腳的電平變化實(shí)現(xiàn)計(jì)數(shù)。

Q5：Si24R2F+編程的次數(shù)？

動(dòng)能世紀(jì)A5：較于Si24R2E 128次編程次數(shù)，Si24R2F與Si24R2F+ 為64次，而Si24R2H為32次。所以在測(cè)試過(guò)程中要注意這個(gè)問(wèn)題，并不是可以無(wú)限次燒錄下載，當(dāng)編程次數(shù)用盡之后，只能更換新的芯片。

Q6：Si24R2H獨(dú)占功能？

動(dòng)能世紀(jì)A6：芯片內(nèi)部集成125K接收模塊，能同時(shí)實(shí)現(xiàn)2.4G數(shù)據(jù)發(fā)射與125K信號(hào)接收，可以實(shí)現(xiàn)聯(lián)動(dòng)。此為針對(duì)特定領(lǐng)域，比如校園近距離考勤或者PKE等應(yīng)用。

Q7：Si24R2H復(fù)雜的上位機(jī)？

動(dòng)能世紀(jì)A7：Si24R2H的功能比較復(fù)雜，所以上位機(jī)相對(duì)復(fù)雜，遇到不明白可以先查詢(xún)上位機(jī)的幫助按鈕，還是不明白可以聯(lián)系我們。

Q8：Si24R2H代碼？

動(dòng)能世紀(jì)A8：Si24R2H沒(méi)有代碼，幾款單發(fā)芯片都是發(fā)射兼容Si24R1 2.4G協(xié)議。

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