近日，加賀富儀艾電子旗下代理品牌Transphorm宣布推出七款參考設計，旨在加快基于氮化鎵的USB-C PD電源適配器的研發(fā)。該參考設計組合包括廣泛的開放式框架設計選項，覆蓋多種拓撲結構、輸出和功率（45W至140W）。

SuperGaN技術的差異化優(yōu)勢

電源適配器參考設計采用SuperGaN第IV代650V FET，具有設計簡單、可靠性高和性能強勁的優(yōu)勢，這些特點已經成為Transphorm氮化鎵器件的代名詞。在最近的對比分析中，與175毫歐的e-mode氮化鎵器件相比，Transphorm的240毫歐SuperGaN FET在溫度超過75℃時顯示出更低的導通電阻上升幅度，并在50%和100%（全）功率下?lián)碛懈叩男阅堋?/p>

比較和評估氮化鎵功率器件，產品的數據規(guī)格書是需要考慮的重要因素。然而，單憑這些產品規(guī)格數據本身，并不能確定哪一種GaN器件更適合于一款電力系統(tǒng)設計。針對應用實例進行的測試通常能夠更好地揭示關鍵的器件性能，下面就是一例——這里將 Transphorm 的一款適用于USB-C PD充電器的SuperGaN FET功率管與目前市面上的一款增強型器件做了比較。

電源適配器參考設計

Transphorm的參考設計組合包括五款開放框架的USB-C PD參考設計，頻率范圍從140kHz到300kHz。其中包括Transphorm與Silanna Semiconductor合作開發(fā)的一款65W有源鉗位反激模式（ACF）參考設計，運行頻率為140kHz，峰值效率為94.5%。

45W適配器參考設計（一款）：采用準諧振反激模式（QRF）拓撲結構，可提供24W/in3的功率密度。

65W適配器參考設計（三款）：采用ACF或QRF拓撲結構，可提供30W/in3的功率密度。

100W適配器參考設計（一款）：采用功率因數校正（PFC）+QRF拓撲結構，可提供18W/in3的功率密度。

Transphorm的參考設計組合還包括兩款開放框架的USB-C PD/PPS參考設計，頻率范圍110kHz到140kHz。Transphorm與Diodes Inc.合作開發(fā)了這兩款解決方案，利用該公司的ACF控制器實現(xiàn)了超過93.5%的峰值效率。

65W適配器參考設計（一款）：采用ACF拓撲結構，可提供29W/in3的功率密度。

140W適配器參考設計（一款）：采用PFC+ACF拓撲結構，可提供20W/in3的功率密度。

Transphorm獨具優(yōu)勢，可提供能適用于廣泛應用的、涵蓋眾多功率水平的氮化鎵FET組合。我們的電源適配器參考設計凸顯出我們的低功率能力。我們提供與控制器無關的PQFN和TO-220器件，可以極大地簡化設計。這些優(yōu)勢以及其他特點有助于客戶快速、輕松地將具有突破性功率效率水平的氮化鎵解決方案推向市場。這正是Transphorm氮化鎵器件的價值所在?！猅ransphorm現(xiàn)場應用和技術銷售副總裁Tushar Dhayagude