近日，加賀富儀艾電子旗下代理品牌Transphorm宣布推出七款參考設(shè)計(jì)，旨在加快基于氮化鎵的USB-C PD電源適配器的研發(fā)。該參考設(shè)計(jì)組合包括廣泛的開放式框架設(shè)計(jì)選項(xiàng)，覆蓋多種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、輸出和功率（45W至140W）。

SuperGaN技術(shù)的差異化優(yōu)勢

電源適配器參考設(shè)計(jì)采用SuperGaN第IV代650V FET，具有設(shè)計(jì)簡單、可靠性高和性能強(qiáng)勁的優(yōu)勢，這些特點(diǎn)已經(jīng)成為Transphorm氮化鎵器件的代名詞。在最近的對比分析中，與175毫歐的e-mode氮化鎵器件相比，Transphorm的240毫歐SuperGaN FET在溫度超過75℃時(shí)顯示出更低的導(dǎo)通電阻上升幅度，并在50%和100%（全）功率下?lián)碛懈叩男阅堋?/p>

比較和評估氮化鎵功率器件，產(chǎn)品的數(shù)據(jù)規(guī)格書是需要考慮的重要因素。然而，單憑這些產(chǎn)品規(guī)格數(shù)據(jù)本身，并不能確定哪一種GaN器件更適合于一款電力系統(tǒng)設(shè)計(jì)。針對應(yīng)用實(shí)例進(jìn)行的測試通常能夠更好地揭示關(guān)鍵的器件性能，下面就是一例——這里將 Transphorm 的一款適用于USB-C PD充電器的SuperGaN FET功率管與目前市面上的一款增強(qiáng)型器件做了比較。

電源適配器參考設(shè)計(jì)

Transphorm的參考設(shè)計(jì)組合包括五款開放框架的USB-C PD參考設(shè)計(jì)，頻率范圍從140kHz到300kHz。其中包括Transphorm與Silanna Semiconductor合作開發(fā)的一款65W有源鉗位反激模式（ACF）參考設(shè)計(jì)，運(yùn)行頻率為140kHz，峰值效率為94.5%。

45W適配器參考設(shè)計(jì)（一款）：采用準(zhǔn)諧振反激模式（QRF）拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，可提供24W/in3的功率密度。

65W適配器參考設(shè)計(jì)（三款）：采用ACF或QRF拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，可提供30W/in3的功率密度。

100W適配器參考設(shè)計(jì)（一款）：采用功率因數(shù)校正（PFC）+QRF拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，可提供18W/in3的功率密度。

Transphorm的參考設(shè)計(jì)組合還包括兩款開放框架的USB-C PD/PPS參考設(shè)計(jì)，頻率范圍110kHz到140kHz。Transphorm與Diodes Inc.合作開發(fā)了這兩款解決方案，利用該公司的ACF控制器實(shí)現(xiàn)了超過93.5%的峰值效率。

65W適配器參考設(shè)計(jì)（一款）：采用ACF拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，可提供29W/in3的功率密度。

140W適配器參考設(shè)計(jì)（一款）：采用PFC+ACF拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，可提供20W/in3的功率密度。

Transphorm獨(dú)具優(yōu)勢，可提供能適用于廣泛應(yīng)用的、涵蓋眾多功率水平的氮化鎵FET組合。我們的電源適配器參考設(shè)計(jì)凸顯出我們的低功率能力。我們提供與控制器無關(guān)的PQFN和TO-220器件，可以極大地簡化設(shè)計(jì)。這些優(yōu)勢以及其他特點(diǎn)有助于客戶快速、輕松地將具有突破性功率效率水平的氮化鎵解決方案推向市場。這正是Transphorm氮化鎵器件的價(jià)值所在?！猅ransphorm現(xiàn)場應(yīng)用和技術(shù)銷售副總裁Tushar Dhayagude