路透社12日引述知情人士消息稱，拜登政府計(jì)劃下個(gè)月擴(kuò)大對美國企業(yè)向中國出口人工智能芯片與芯片制造設(shè)備的限制。而這次不再像是之前華為被芯片卡脖子一樣，這對我國的芯片企業(yè)也是一大發(fā)展機(jī)遇。我國知名專家解讀，美國的限制政策會(huì)干擾中國建立14納米及以下芯片生產(chǎn)線，導(dǎo)致中國企業(yè)在購買相關(guān)芯片生產(chǎn)設(shè)備時(shí)發(fā)生延遲，甚至買不到，這會(huì)對中國帶來現(xiàn)實(shí)性的影響。

不過也正是因?yàn)槊绹拇驂?，中國芯片產(chǎn)業(yè)也在致力于建立基于自主科研技術(shù)的生產(chǎn)能力。高端GPU（圖形處理器）被禁止向中國出口，短期內(nèi)對中國人工智能、高性能計(jì)算等方面會(huì)帶來一定影響，但中國目前已有約20家企業(yè)進(jìn)行GPU的設(shè)計(jì)和研發(fā)。從這個(gè)角度來看，美國限制出口也意味著美國企業(yè)把這些市場拱手讓給正在快速發(fā)展的中國企業(yè)。

我們都知道，影響我國芯片制造發(fā)展的主要因素在于光刻機(jī)，目前這項(xiàng)技術(shù)掌握在國外少數(shù)的幾家企業(yè)手上，我國要自主研發(fā)打破被卡脖子，亟待國內(nèi)科研人士的開發(fā)。芯片制造四大基本工藝包括：芯片設(shè)計(jì)、FPGA驗(yàn)證、晶圓光刻顯影、蝕刻、芯片封裝等，晶片制作過程最為復(fù)雜，需經(jīng)過濕洗、光刻、 離子注入、干蝕刻、等離子沖洗、熱處理、化學(xué)氣相淀積、物理氣相淀積、電鍍處理、化學(xué)/機(jī)械表面處理、晶圓測試等過程。除去光刻機(jī)的影響，其實(shí)各國之間的芯片制造工藝相差并不大，下面我們來看下芯片制造四大基礎(chǔ)工藝之一的芯片封裝焊接。

隨著3C電子產(chǎn)品越來越來向輕薄化發(fā)展，PCB主板及電子元器件包括BGA芯片也就必須向著高密、薄化設(shè)計(jì)發(fā)展，在SMT工藝質(zhì)量控制相當(dāng)成熟的今天，BGA的封裝焊接一直是重要關(guān)注的環(huán)節(jié)。由于倒裝芯片比BGA或CSP具有更小的外形尺寸、更小的球徑和球間距，他對植錫球工藝、基板技術(shù)、材料的兼容性、制造工藝，以及檢查設(shè)備和方法提出 了前所未有的挑戰(zhàn)。

倒裝芯片焊接技術(shù)是一種新興的微電子封裝技術(shù)，它將工作面（有源區(qū)面）上制有凸點(diǎn)電機(jī)的芯片朝下，與基板布線層直接鍵合。一般來說，這類器件有一下特點(diǎn)：

1、基材是硅；

2、電氣面及焊凸在器件下表面；

3、球間距一般為4-14milk、球徑為2.5-8mil、外形尺寸為1-27mm；

4、組裝在基板上后需要做底部填充。

其實(shí)，倒裝芯片之所以被稱之為“倒裝”，是相對于傳統(tǒng)的金屬線鍵合連接方式（Wire Bonding）與激光植球后的工藝而言的。傳統(tǒng)的通過金屬線鍵合與基板連接的芯片電面朝上（圖1），而倒裝芯片的電氣面朝下（圖2），相當(dāng)于將前者翻轉(zhuǎn)過來，故稱為“倒裝芯片”。在圓片（Wafer）上芯片植完球后（圖3），需要將其翻轉(zhuǎn)，送入貼片機(jī)以便于貼裝，也由于這一翻轉(zhuǎn)過程被稱為“倒裝芯片”。

激光植錫球工藝介紹

激光錫球焊分為噴球焊接和植球焊接，是一種全新的錫焊貼裝工藝，而大多數(shù)芯片采用的則是植錫球焊接。www.vilaser.cn紫宸激光這種植錫球工藝的主要優(yōu)點(diǎn)是能實(shí)現(xiàn)極小尺寸的互連，熔滴大小可小至幾十微米。能將容器中的錫球通過特制的單錫珠分球系統(tǒng)轉(zhuǎn)移至噴射頭，通過激光的高脈沖能量，瞬間熔化置于噴射頭上的錫球，再利用惰性氣體壓力將熔化后的錫料，精準(zhǔn)植入到焊點(diǎn)表面，形成互聯(lián)焊點(diǎn)。由于錫球內(nèi)不含助焊劑，激光加熱熔融后不會(huì)造成飛濺，凝固后飽滿圓滑對焊盤不存在后續(xù)清洗或表面處理等附加工序。且錫量恒定，分球焊接速度快、精度高，尤其適合用于BGA芯片、晶元等植錫球的貼裝工藝上，也可以適用于高清攝像頭模組及精密聲控器件、數(shù)據(jù)線焊點(diǎn)組裝等細(xì)小焊盤及漆包線錫焊。

審核編輯 黃昊宇