Wolfspeed的CG2H80030D是種氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與硅或砷化鎵相比較,氮化鎵具備優(yōu)異的性能指標(biāo);包含相對較高的擊穿場強(qiáng);相對較高的飽和電子漂移速度;及其相對較高的傳熱系數(shù)。與Si和GaAs晶體管相比較,CG2H80030D具備相對較高的功率密度和更寬的帶寬。
特征
30W典型PSAT
28V操控
高擊穿場強(qiáng)
持續(xù)高溫操控
輸出功率高至8GHz
高效率
應(yīng)用
雙向?qū)S眯褪找魴C(jī)
寬帶放大器
蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)
測試設(shè)備
Class A; AB; 適用于OFDM的線性放大器;W-CDMA;EDGE(邊緣);CDMA波形
CREE(科銳)成立于1987年,CREE科銳具備30多年的寬帶GAP原材料和創(chuàng)新產(chǎn)品,CREE科銳是一個(gè)完整的設(shè)計(jì)合作伙伴,符合射頻的需求,CREE科銳為行業(yè)內(nèi)技術(shù)領(lǐng)先的機(jī)器設(shè)備提供更強(qiáng)的功率和更低的功能損耗。CREE科銳由最開始的GaN基材LED產(chǎn)品技術(shù)領(lǐng)先全世界,到微波射頻與毫米波芯片產(chǎn)品,CREE科銳于2017年分離出微波射頻品牌Wolfspeed,以寬帶、大功率放大器產(chǎn)品為特色。
Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
CG2H80030D-GP4 | GaN on SiC | DC | 8 GHz | 30 W | 16.5 dB | 65% | 28 V | Discrete Bare Die | Die |
審核編輯 黃昊宇
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