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C波段晶體管CG2H80030D介紹

盧婷 ? 來源:321168952 ? 作者:321168952 ? 2022-10-14 08:51 ? 次閱讀
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Wolfspeed的CG2H80030D是種氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與硅或砷化鎵相比較,氮化鎵具備優(yōu)異的性能指標(biāo);包含相對較高的擊穿場強(qiáng);相對較高的飽和電子漂移速度;及其相對較高的傳熱系數(shù)。與Si和GaAs晶體管相比較,CG2H80030D具備相對較高的功率密度和更寬的帶寬。

特征

30W典型PSAT

28V操控

高擊穿場強(qiáng)

持續(xù)高溫操控

輸出功率高至8GHz

高效率

應(yīng)用

雙向?qū)S眯褪找魴C(jī)

寬帶放大器

蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)

測試設(shè)備

Class A; AB; 適用于OFDM的線性放大器;W-CDMA;EDGE(邊緣);CDMA波形

CREE(科銳)成立于1987年,CREE科銳具備30多年的寬帶GAP原材料和創(chuàng)新產(chǎn)品,CREE科銳是一個(gè)完整的設(shè)計(jì)合作伙伴,符合射頻的需求,CREE科銳為行業(yè)內(nèi)技術(shù)領(lǐng)先的機(jī)器設(shè)備提供更強(qiáng)的功率和更低的功能損耗。CREE科銳由最開始的GaN基材LED產(chǎn)品技術(shù)領(lǐng)先全世界,到微波射頻與毫米波芯片產(chǎn)品,CREE科銳于2017年分離出微波射頻品牌Wolfspeed,以寬帶、大功率放大器產(chǎn)品為特色。

Product SKU Technology Frequency Min Frequency Max Peak Output Power Gain Efficiency Operating Voltage Form Package Type
CG2H80030D-GP4 GaN on SiC DC 8 GHz 30 W 16.5 dB 65% 28 V Discrete Bare Die Die



審核編輯 黃昊宇

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