電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/莫婷婷）近年來，由于消費級、工業(yè)級以及汽車等終端市場的需求變動，影響了閃存行業(yè)的供需變化。在技術(shù)上，閃存朝著更加先進的工藝迭代，先進的工藝能夠帶來更具性價比、更高容量的產(chǎn)品，由此提升閃存芯片廠商的競爭力。未來，面對下游市場的變化，閃存產(chǎn)業(yè)會出現(xiàn)哪些變化，具備哪些優(yōu)勢的產(chǎn)品會給閃存芯片廠商帶來的新的發(fā)展機會？

消費級市場需求疲軟，服務(wù)器成為閃存市場增長大頭

在全球閃存市場中，當前主要是美光、三星等國際頭部廠商引領(lǐng)技術(shù)發(fā)展，并且占據(jù)行業(yè)大部分市場份額。集邦咨詢資深分析師敖國鋒分享了目前各家原廠閃存技術(shù)的發(fā)展情況，在3D NAND技術(shù)方面，廠商中主力制程最為先進的還是美光科技，從去年第三季度開始，美光科技就慢慢轉(zhuǎn)進176 層閃存技術(shù)的生產(chǎn)。今年1月美光科技就已批量出貨全球首款176層QLC NAND固態(tài)硬盤(SSD)。據(jù)了解，美光176層QLC NAND在存儲密度與優(yōu)化性能上具有較大優(yōu)勢，適用于各類數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用。

此外，三星和SK 海力士在今年下半年開始也逐漸生產(chǎn)176 層閃存的產(chǎn)品。不過與美光科技相比，這兩家廠商的176層閃存技術(shù)主要還是會應(yīng)用在消費級產(chǎn)品中。鎧俠在今年的主要制程還是以112層。在國內(nèi)方面，目前已有國內(nèi)廠商的主力制程進入128層閃存技術(shù)的產(chǎn)品生產(chǎn)階段。

集邦咨詢資深分析師敖國鋒認為，在2023年，將會有更多的廠商推進下一代制程，例如三星、SK海力士慢慢轉(zhuǎn)進200層閃存技術(shù)的生產(chǎn)。而美光科技已經(jīng)在今年第三季度發(fā)布了全球首個232層的TLC閃存，美光技術(shù)和產(chǎn)品執(zhí)行副總裁 Scott DeBoer對此表示，232層閃存是存儲芯片創(chuàng)新的分水嶺，因為這證明了3D閃存擁有擴展到200層以上的能力。相對來說，美光科技的進展更為快速，Solidigm和鎧俠則會分別進入192層、162層閃存技術(shù)的生產(chǎn)。

隨著技術(shù)的發(fā)展和市場的拓展，頭部廠商在全球市場中的市場份額不斷擴大，集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，預(yù)計到2024年，原廠閃存產(chǎn)出的市占率排名前四的分別是三星、鎧俠/WDC、SK 海力士/Solidigm、美光科技，占比分別為34.2%、27.6%、19.7%、10.6%。

那么，未來是哪些終端市場需求的增長帶動原廠出貨量的提升呢？

在服務(wù)器、智能手機、筆記本三大終端應(yīng)用中，智能手機、筆記本所在的消費級市場依舊會處于需求疲軟的狀態(tài)，兩大終端市場閃存的需求占比從2022年的31.7%、26.3%，分別下降至2023年的29.7%、23.4%。反而是服務(wù)器市場，在明年會保持5%左右的增長，支撐著內(nèi)存芯片市場的增長。不難預(yù)測，服務(wù)器市場閃存需求量也會不斷上升，集邦咨詢預(yù)計，服務(wù)器市場閃存需求占比會從2022年的23%上升至25.7%。

在平均容量方面，單個服務(wù)器的平均容量將由2022年的3400GB上升至2023年的4200GB。這也是越來越多原廠更加專注于企業(yè)固態(tài)硬盤領(lǐng)域的原因。集邦咨詢的數(shù)據(jù)顯示，2022年，服務(wù)器設(shè)備的平均容量增長將達到44.1%，作為對比，PC和智能手機的增長僅為12.9%和13.4%?？梢姺?wù)器市場發(fā)展的速度。

技術(shù)迭代、提前布局，國內(nèi)上下游企業(yè)沖擊服務(wù)器、汽車更高階市場

盡管筆記本、智能手機等消費電子市場需求下滑，但是在三大終端應(yīng)用中，依舊是占據(jù)一半以上的市場份額，這部分市場是當下國內(nèi)閃存芯片廠商的主要方向。而服務(wù)器，還有汽車會是接下來“進軍”的更高階市場。

當下，國內(nèi)閃存芯片廠商與國際頭部廠商還存在差距，但隨著國內(nèi)企業(yè)對先進工藝的研發(fā)投入，國內(nèi)已有原廠在閃存市場取得較大的成績。兆易創(chuàng)新的閃存芯片主要為NOR Flash、NAND Flash。今年5月30日，兆易創(chuàng)新官方宣布，旗下Flash閃存產(chǎn)品累計出貨量已經(jīng)超過190億顆。IC Insights的數(shù)據(jù)顯示，2021年，在全球NOR Flash市場份額中，兆易創(chuàng)新排名前三，占據(jù)23.2%的市場份額，排名第一、第二的是華邦電子、旺宏。

目前，兆易創(chuàng)新的SPI NOR Flash全部產(chǎn)品線都已過渡到55nm新工藝。值得一提的是，兆易創(chuàng)新是業(yè)內(nèi)第一家將SPI NAND Flash推向世界而且量產(chǎn)的廠商。得益于PC、筆記本、服務(wù)器終端市場的增長，兆易創(chuàng)新2021年實現(xiàn)營收85.10億元，同比增長了89.25%；實現(xiàn)歸母凈利潤23.37億元，同比增長了165.33%。今年上半年營收47.81 億元，同比增長31.32%；歸母凈利潤為 15.27 億元，同比增長94.34%。由此預(yù)測，兆易創(chuàng)新今年的業(yè)績有望超過去年，實現(xiàn)一定幅度的增長。

在消費市場需求放緩時，NOR Flash市場的增長離不開智能汽車。兆易創(chuàng)新的車規(guī)NOR Flash 業(yè)務(wù)收入也呈現(xiàn)高速增長，并且導(dǎo)入國際頭部 Tier1 客戶。

東芯半導(dǎo)體在2021年12月正式在科創(chuàng)板上市。其IPO信息顯示，公司計劃募資7.5億元加強閃存業(yè)務(wù)發(fā)展，其中1.7億元用于車規(guī)級閃存產(chǎn)品的研發(fā)。若車規(guī)級閃存產(chǎn)品打開市場，這將為其帶來了新的競爭力，有望在服務(wù)器、5G基站等大容量存儲、高可靠性的應(yīng)用領(lǐng)域擴大市場份額。

在工藝方面，2D NAND目前最先進工藝的是14nm，代表廠商是三星、SK海力士等國際廠商。在國內(nèi)，多家廠商正在嘗試從38nm、24nm，再到20nm以下先進工藝迭代。在上市前，東芯半導(dǎo)體的募資計劃中，擬用募集資金額中的2.3億元用于1xnm 閃存產(chǎn)品研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目。當下，東芯半導(dǎo)體在19nm工藝上已經(jīng)取得進展。

消費電子市場之外，在數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)的加速下，服務(wù)器行業(yè)高度景氣，成為接下來兩年內(nèi)的增長主力。在服務(wù)器市場，不得不提到的產(chǎn)業(yè)鏈玩家是浪潮信息。浪潮信息現(xiàn)已成為服務(wù)器領(lǐng)域的知名大數(shù)據(jù)服務(wù)商。

閃存作為基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)的重要媒介，浪潮信息存儲產(chǎn)品線副總經(jīng)理李博樂提到，閃存在基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)上面臨著性能和使用成本的挑戰(zhàn)。在性能上，隨著SCM等新興存儲的出現(xiàn)，存儲性能的瓶頸逐漸由介質(zhì)轉(zhuǎn)為軟件系統(tǒng)和處理器；同時，在使用成本上，閃存價格需要不斷地下降。

為了解決數(shù)據(jù)基礎(chǔ)設(shè)施在閃存方面的問題，浪潮信息打造全閃軟件棧，并且推出了集中式存儲平臺、分布式存儲平臺、備份存儲平臺、歸檔存儲平臺。四大存儲平臺可以獨立或者組合承擔(dān)一個完整的數(shù)據(jù)基礎(chǔ)設(shè)施。結(jié)合閃存技術(shù)的加持，能為數(shù)據(jù)基礎(chǔ)設(shè)施可以提供安全、可靠、經(jīng)濟、高效的價值。

盡管在更高容量、更先進工藝的產(chǎn)品方面，國內(nèi)廠商不敵國際龍頭企業(yè)，但國內(nèi)閃存行業(yè)上下游企業(yè)在各自擅長的領(lǐng)域不斷深耕，在原有經(jīng)驗的積累下，開拓新的市場。未來，新興領(lǐng)域?qū)⒗瓌娱W存產(chǎn)業(yè)持續(xù)發(fā)展，閃存芯片企業(yè)迎來更加廣闊的成長空間。