針對(duì)2.4G頻段的無線單發(fā)芯片——SI24R2E，在開發(fā)過程中會(huì)遇到的常見問題進(jìn)行匯總解答。

雖說Si24R2E布局走線非常簡單，是否有提供建議參考，可以避免一些誤區(qū)？

芯片數(shù)據(jù)手冊(cè)上有標(biāo)準(zhǔn)的參考原理圖，同時(shí)我們會(huì)提供一份《Si24R2E硬件設(shè)計(jì)指南》，避免客戶在設(shè)計(jì)過程中的一些問題，減少后期調(diào)試改板等工作。

我看到大多數(shù)Si24R2E的板子上都會(huì)加一顆100uf的鉭電容，具體作用是什么？

因?yàn)镾i24R2E主要針對(duì)是低功耗有源標(biāo)簽應(yīng)用，一般是紐扣電池供電，加100uf鉭電容可以有效穩(wěn)定供電，同時(shí)保護(hù)電池延長電池壽命。

Si24R2E SPI 輸入口必須強(qiáng)制10K電阻上拉，否則靜態(tài)電流異常。如果這個(gè)10K上拉電阻沒有加，會(huì)有什么影響？

靜態(tài)電流會(huì)大一些。對(duì)于芯片的燒錄以及芯片的燒錄均沒有影響，但是我們強(qiáng)烈建議加上這幾個(gè)10K上拉電阻，主要還是穩(wěn)定性更好。

Si24R2E是如何進(jìn)行芯片燒錄的？是否可以外掛MCU控制？

正常是通過我司提供的PC端芯片燒錄上位機(jī)編程器進(jìn)行程序的下載，測(cè)試與量產(chǎn)都非常的方便。同時(shí)也支持外接MCU控制。

Si24R2E/Si24R2F/Si24R2H,三款產(chǎn)品有什么區(qū)別？

三款芯片均是脫胎于Si24R1，主要的區(qū)別是針對(duì)應(yīng)用領(lǐng)域不同，所以功能有所差異。

Si24R2F兼容Si24R2E情況下新增了部分功能：

1.自動(dòng)發(fā)射模式下，最多支持4個(gè)不同信道輪詢發(fā)射；

2.集成溫度監(jiān)測(cè)和報(bào)警功能（開啟溫度監(jiān)測(cè)，每次發(fā)射數(shù)據(jù)都會(huì)包含芯片工作環(huán)境溫度數(shù)據(jù)）；

3.支持按鍵發(fā)射功能；

4.支持發(fā)射數(shù)據(jù)加密。

Si24R2H相比Si24R2E有幾個(gè)較大的區(qū)別：

1.R2H功率要高于R2E。分別是12dBm和7dBm；

2.封裝不一樣，分別是R2H QFN32和R2E QFN20；

3.R2H內(nèi)置125K，R2E則沒有；

4.跳頻通道不一樣，R2H只支持4通道跳頻，R2E只支持3通道跳頻；

5.內(nèi)置NVM寄存器燒寫次數(shù)不一樣，R2H可燒寫次數(shù)較少為32次，R2E為128次；

6.R2H支持?jǐn)?shù)據(jù)加密功能，R2E則不支持；

7.R2H支持內(nèi)部測(cè)溫，NTC測(cè)溫，外掛溫濕度傳感器。R2E則不支持。

如果您還有其他技術(shù)問題未得到解決，可以在評(píng)論區(qū)留言一起交流，我們有專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)給您提供強(qiáng)大的技術(shù)支持！

審核編輯 黃昊宇