隨著市場對筆記本電腦快充需求的增加，英飛凌針對28V輸出， 推出USB PD3.1高功率密度方案，突破了長期以來的100W功率限制，最高功率可達到140W，進一步提高筆記本的充電效率，可以滿足更大功率的設備供電。

采用混合反激 （HFB）拓撲,支持5-28V寬壓輸出

可靈活搭配CoolGaN? 或 CoolMOS? ，滿足不同的產品定位需求

相比傳統(tǒng)QR,ACF拓撲，具有明顯的系統(tǒng)優(yōu)勢：

-HFB拓撲優(yōu)勢，磁性器件更小（用RM8實現140W設計）

-全軟開關控制，EMI更易處理

-HFB級用CoolMOS? 即可達到業(yè)界領先的效率和功率密度

-同步整流可使用80V MOSFET，降低成本及器件的選型難度

協(xié)議部份采用了基于ARM核的EZ-PD? CCG3PA，支持PD3.1 EPR

編輯

XDP? 用于高功率充電器和適配器的控制器

數字多模式混合反激(HFB) IC - XDPS2201

系統(tǒng)/ 應用概況

關鍵特性

找元件現貨上唯樣商城。

集成600V高壓啟動和高低邊MOS 驅動

多模式運作 用于優(yōu)化不同輸入，輸出及負載條件下的效率

-在所有條件下實現ZVS

-CRM* 實現最優(yōu)效率

-ZV-RVS** 改善輕載效率

-Active burst-mode 改善極輕輕載效率和待機功耗

支持 USB-PD 變電壓輸出應用

頻率抖動 用于改善EMI

高度靈活可變的IC參數 通過UART 配置滿足指定系統(tǒng)的需求

高系統(tǒng)可靠性 IC集成整套完備的保護

-可通過引腳讀出

* CRM: 連續(xù)諧振模式

** ZV-RVS: 零電壓諧振谷底開關

EZ-PD? CCG3PA

即插件即用型 USB-C PD 控制器

系統(tǒng)/ 應用概況

關鍵特性

USB-C PD 控制器, 支持PD3.1,PD 3.0,QC 4.0,BC1.2,Apple Charging 2.4A,Samsung AFC

基于Arm? Cortex?-M0 的 MCU 64KB Flash

EZ-PD 配置功能可針對客戶特定規(guī)格進行參數配置

集成計時/計數/脈寬調制模塊 ，6個GPIO

集成模擬模塊

-可配置的 VBUS 過壓保護，過流, 欠壓, 和短路

-集成 2個 VBUS 放電管和 及負載開關驅動

-低邊電流檢測

24 QFN (16 mm2)

CoolGaN?
高效，高可靠性的氮化鎵產品

CoolGaN?驅動簡單可靠

電流型驅動器件，只要RRC網絡即可直接驅動，簡單，可靠。

編輯

針對適配器應用600V

CoolGaN? 產品陣容

分立CoolGaN?關鍵特性

采混合漏極結構具有非常優(yōu)異的動態(tài)Rdson性能

柵極電流注入驅動

-柵極不易產生電壓尖峰，集成ESD保護，提高可靠性

-通過注入空穴提升溝道載子密度提高飽和電流密度

-通過柵極阻容設計兼容傳統(tǒng)模擬控制器，開關速度可調

經過市場及高可靠應用驗證的成熟產品

集成Driver的CoolGaN?關鍵特性

基于CoolGaN? 開發(fā)的集成驅動的氮化鎵產品

采用半橋結構，目標應用圖騰柱PFC, ACF,AHB, LLC和基于DSP/MCU的數字電源方案

支持3.3V邏輯電平輸入，集成18nS的抗尖峰脈沖濾波器

通過柵極的Rtr可調節(jié)開關速度

PFD7 系列
專為軟開關拓撲設計的CoolMOS?

MOS滯回損耗產生

PFD7專為軟開關設計

match在軟開關應用中，找元件現貨上唯樣商啊城非常小的滯回損耗提升系統(tǒng)效率

集成ESD保護器件提高生產良率，降低成本及產品售后失效率

更低的驅動損耗(Qg, Qgd）提升輕載效率match

集成快恢復體二極管超低Qrr降低，為半橋開關提供一個額外的安全裕量，減少設計量

產品陣容

編輯

減小滯回損耗的案例

英飛凌65W內部測試用板

輸入電壓:90 VAC– 265 VAC

輸出電壓:5 - 20 V

標稱功率:65 W

工作頻率:100 - 220 kHz

變壓器:RM10LP

OptiMOS? PD用于

充電器/適配器的低壓MOSFET產品

OptiMOS? PD 功率 MOSFETs 的主要封裝 PQFN 3.3x3.3 和PQFN 5*6封裝

專為充電器/適配器設計，價格和交付更有靈活性

支持邏輯電平輸入保證在低電壓下完全導通，具有很低的通態(tài)電阻

業(yè)界領先的低開關損耗，幫助通過能效等級測試。

審核編輯 黃昊宇