Vishay七款新型二極管和 MOSFET 功率模塊

靈活的器件采用 PressFit 引腳壓合技術(shù)

在小型封裝中內(nèi)置各種電路配置

Vishay針對(duì)車(chē)載充電應(yīng)用專(zhuān)門(mén)推出七款新型二極管和 MOSFET 功率模塊。含有各種電路配置的集成解決方案采用 PressFit 引腳壓合專(zhuān)利技術(shù)，將高效快速體二極管 MOSFET 和 SiC、FRED Pt 和 MOAT 二極管技術(shù)結(jié)合在小型 EMIPAK 1B 封裝中。

日前發(fā)布的 Vishay Semiconductors 器件具有車(chē)載充電應(yīng)用 AC/DC、DC/DC 和 DC/AC 轉(zhuǎn)換所需的各種電路配置，包括輸入/輸出橋、全橋逆變器和功率因數(shù)校正 (PFC)，適用于各種額定功率。模塊符合 AQG-324 汽車(chē)標(biāo)準(zhǔn)，可為電動(dòng) (EV) 和混合動(dòng)力 (HEV) 汽車(chē)以及電動(dòng)自行車(chē)、農(nóng)業(yè)機(jī)械、鐵路車(chē)輛等提供完整解決方案。

器件 EMIPAK 封裝采用矩陣式方法，在同樣的 63 mm x 34 mm x 12 mm 小型封裝中內(nèi)置各種定制電路配置。與分立式解決方案相比，有助于提高功率密度，同時(shí)可在工業(yè)和可再生能源應(yīng)用不同功率級(jí)靈活使用每種模塊，適用于焊接、等離子切割、UPS、太陽(yáng)能逆變器和風(fēng)力發(fā)電機(jī)等。

器件的 AI2O3直接敷銅 (DBC) 襯底改進(jìn)了熱性能，經(jīng)過(guò)優(yōu)化的布局有助于減小雜散電感，提高EMI性能。模塊 PressFit 引腳壓合技術(shù)便于 PCB 安裝并減少襯底機(jī)械應(yīng)力，而無(wú)底座結(jié)構(gòu)減少了需要焊接的接口提高可靠性。

器件規(guī)格表

Vishay 提供全系列硅技術(shù)功率模塊，包括 Si 和 SiC 二極管、 晶閘管、IGBT 和 MOSFET， 以及電容器、分流器、NTC 和 PTC 熱敏電阻等被動(dòng)元件。器件可用來(lái)配置各種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，包括標(biāo)準(zhǔn)焊接引腳和 PressFit 端子，適用于廣泛功率范圍。功率模塊符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，可加以定制滿(mǎn)足特定應(yīng)用要求，具有高度靈活性和成本效益，有助于設(shè)計(jì)人員加快產(chǎn)品上市速度并提高整體系統(tǒng)性能。

新型功率模塊現(xiàn)可提供樣品。量產(chǎn)供貨周期為 26 周。