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針對車載充電應(yīng)用的七款新型二極管和MOSFET功率模塊

jf_vuyXrDIR ? 來源:兆億微波 ? 作者:兆億微波 ? 2022-11-25 16:58 ? 次閱讀
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賓夕法尼亞、MALVERN — 2022年11月24日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,針對車載充電應(yīng)用專門推出七款新型二極管MOSFET功率模塊。

含有各種電路配置的集成解決方案采用PressFit引腳壓合專利技術(shù),將高效快速體二極管MOSFET和SiC、FRED Pt?和MOAT二極管技術(shù)結(jié)合在小型EMIPAK 1B封裝中。

日前發(fā)布的Vishay Semiconductors器件具有車載充電應(yīng)用AC/DC、DC/DC和DC/AC轉(zhuǎn)換所需的各種電路配置,包括輸入/輸出橋、全橋逆變器功率因數(shù)校正(PFC),適用于各種額定功率。

模塊符合AQG-324汽車標(biāo)準(zhǔn),可為電動(EV)和混合動力(HEV)汽車以及電動自行車、農(nóng)業(yè)機械、鐵路車輛等提供完整解決方案。

器件EMIPAK封裝采用矩陣式方法,在同樣的63 mm x 34 mm x 12 mm小型封裝中內(nèi)置各種定制電路配置。

與分立式解決方案相比,有助于提高功率密度,同時可在工業(yè)和可再生能源應(yīng)用不同功率級靈活使用每種模塊,適用于焊接、等離子切割、UPS、太陽能逆變器和風(fēng)力發(fā)電機等。

器件的AI2O3直接敷銅(DBC)襯底改進了熱性能,經(jīng)過優(yōu)化的布局有助于減小雜散電感,提高EMI性能。模塊PressFit引腳壓合技術(shù)便于PCB安裝并減少襯底機械應(yīng)力,而無底座結(jié)構(gòu)減少了需要焊接的接口提高可靠性。

器件配置表:

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Vishay 提供全系列硅技術(shù)功率模塊,包括Si和SiC二極管、 晶閘管、IGBT和 MOSFET, 以及電容器、分流器、NTC和PTC熱敏電阻等被動元件。

器件可用來配置各種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),包括標(biāo)準(zhǔn)焊接引腳和PressFit端子,適用于廣泛功率范圍。功率模塊符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn),可加以定制滿足特定應(yīng)用要求,具有高度靈活性和成本效益,有助于設(shè)計人員加快產(chǎn)品上市速度并提高整體系統(tǒng)性能。






審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:Vishay推出新型EMIPAK 1B封裝二極管和MOSFET功率模塊

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