本文將介紹在SiC MOSFET這一系列開關動作中，SiC MOSFET的VDS和ID的變化會產(chǎn)生什么樣的電流和電壓。

下面的電路圖是SiC MOSFET橋式結構的同步式boost電路，LS開關導通時的示例。電路圖中包括SiC MOSFET的寄生電容、電感、電阻，HS和LS的SiC MOSFET的VDS和ID的變化帶來的各處的柵極電流（綠色線）。

ID的變化dID/dt所產(chǎn)生的電壓

ID的變化將會產(chǎn)生下述公式（1）所示的電壓。

這是由于存在于SiC MOSFET源極的寄生電感中流過ID而產(chǎn)生的電壓，是由電路圖中的(I)引起的。該電壓會使電流(I’)流過。

VDS的變化dVDS/dt所產(chǎn)生的電流

以HS為例，當SiC MOSFET關斷、VDS變化時，Gate-Drain寄生電容CGD中會流過電流ICGD。如電路圖所示，該電流分為Gate-Source寄生電容CGS側流過的電流ICGD1：(II)-1和柵極電路側流過的電流ICGD2：(II)-2。當VDS開始變化時，柵極電路側的阻抗較大，因此大部分ICGD都在CGS側，此時的ICGD1如公式（2）所示。

從公式可以看出，當CGD較大時或CGD/CGS的比值變小時，ICGD1會增加。

dVDS/dt和dID/dt既可以為正也可以為負，所以因它們而產(chǎn)生的電流和電壓的極性在導通（Turn-on）和關斷（Turn-off）時是不同的。

審核編輯：湯梓紅