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推出國(guó)產(chǎn)首款超強(qiáng)抗射頻干擾模擬MEMES硅麥克風(fēng)前置ASIC IC EMT6913

cqpudian ? 來(lái)源:cqpudian ? 作者:cqpudian ? 2022-12-06 14:44 ? 次閱讀
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重慶東微電子股份有限公司推出國(guó)內(nèi)首款超強(qiáng)抗射頻干擾模擬MEMES麥克風(fēng)前置IC EMT6913。

今日的便攜設(shè)備普遍具備多模無(wú)線(xiàn)通信功能,使得麥克風(fēng)組件本身抵抗射頻與電磁波干擾的能力更受重視。筆記本電腦手機(jī)MEMS麥克風(fēng)最大應(yīng)用市場(chǎng),而目前手機(jī)市場(chǎng)仍以模擬式MEMS麥克風(fēng)為主流(約占60%)。隨著3C(計(jì)算機(jī)、通訊和消費(fèi)電子)類(lèi)產(chǎn)品不斷朝向輕、薄、短小,使得麥克風(fēng)與天線(xiàn)、Wi-Fi、電源等距離越來(lái)越近,如此一來(lái),很容易造成嚴(yán)重干擾而影響話(huà)質(zhì),因此模擬MEMS麥克風(fēng)的抗干擾能力,逐漸成為相關(guān)業(yè)者所關(guān)心的問(wèn)題。

重慶東微電子股份有限公司推出的EMT6910后,繼續(xù)推出最新的模擬MEMES麥克風(fēng)前置IC EMT6913,具備業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的抵抗射頻與電磁波干擾的能力,藉以提供更完整的產(chǎn)品線(xiàn)供客戶(hù)選擇。重慶東微電子對(duì)高信噪比麥克風(fēng)的MEMS芯片以及ASIC處理電路進(jìn)行了系統(tǒng)級(jí)的協(xié)同優(yōu)化,在同比EMT6910 MEMS芯片尺寸面積優(yōu)化30%(0.53*0.47mm^2),保持高信噪比的情況下,使芯片的抵抗射頻與電磁波干擾的能力得到極大提升。從而保證了我司的的產(chǎn)品在市場(chǎng)上有足夠的競(jìng)爭(zhēng)力。該產(chǎn)品目前可搭配市面上主流的MEMS sensor,封裝尺寸可兼容市場(chǎng)上的主流產(chǎn)品尺寸2718、3729、3726、3722等。

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EMT6913部分參數(shù)一覽

此款產(chǎn)品基于東微多年在硅麥IC的技術(shù)積累上推出,EMT6913擁有麥克風(fēng)內(nèi)置獨(dú)有技術(shù)的數(shù)字校準(zhǔn)電路,可保證產(chǎn)品具有+/-1dB的超窄靈敏度公差控制,確保產(chǎn)品之間的靈敏度匹配,為多麥克風(fēng)降噪,波束成形等應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。

供電電壓范圍在1.5~3.3V、工作電流140uA更適合在工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域、在搭配不同的MEMS sensor情況下信噪比(SNR)都超過(guò)63dB以上,79dB的高電源抑制比(PSRR)此規(guī)格優(yōu)于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。EMT6913已通過(guò)內(nèi)部嚴(yán)格測(cè)試,正以其極優(yōu)異的性能表現(xiàn)與價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力,成功Design-In多家國(guó)際智能型手機(jī)大廠。Design-In廠商現(xiàn)正快速累積當(dāng)中。

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EMT6913部分參數(shù)一覽

新的模擬高信噪比、高抗干擾能力麥克風(fēng)芯片產(chǎn)品的推出,充分展現(xiàn)了重慶東微電子股份有限公司產(chǎn)品更新能力快、技術(shù)實(shí)力強(qiáng)的特點(diǎn)。極大的縮小了公司產(chǎn)品技術(shù)與業(yè)界技術(shù)領(lǐng)先者的差距。

審核編輯:湯梓紅

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