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充電器芯片U6773V迎來需求上升期

開關(guān)電源芯片 ? 來源:開關(guān)電源芯片 ? 作者:開關(guān)電源芯片 ? 2022-12-19 15:52 ? 次閱讀
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充電器芯片U6773V迎來需求上升期

隨著折疊屏手機(jī)價(jià)格逐步下探,市場(chǎng)上折疊手機(jī)的品類也日趨豐富——具備便攜、價(jià)格更優(yōu)、外觀小巧的上下折疊產(chǎn)品正成為折疊手機(jī)出貨的主力軍。這也說明消費(fèi)者在購(gòu)買電子產(chǎn)品的時(shí)候,簡(jiǎn)單方便、經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的產(chǎn)品永遠(yuǎn)是最受歡迎的。是時(shí)候向大家推薦一款外圍簡(jiǎn)單、性價(jià)比高的充電器芯片了——U6773V!

充電器芯片 U6773V是高精度原邊反饋控制(PSR)恒流恒壓(CC/CV)控制器。采用內(nèi)置MOS SOP-7封裝,應(yīng)用靈活性價(jià)比高,最大限度地減少了系統(tǒng)元件的數(shù)目,用頻率調(diào)制方法來提高系統(tǒng)效率和減小電磁干擾。且系統(tǒng)效率輕松達(dá)到六級(jí)能效。還內(nèi)置線纜壓降補(bǔ)償,由此取得良好的負(fù)載調(diào)整率。

充電器芯片 U6773V內(nèi)置電壓降極低的功率MOSFET以提高電流輸出能力,提升轉(zhuǎn)換效率并降低芯片溫度。處于開關(guān)工作模式,只適用于DCM和QR工作模式的開關(guān)電源系統(tǒng)。當(dāng)芯片檢測(cè)VDET<-400mV,控制器驅(qū)動(dòng)功率MOSFET開啟;當(dāng)芯片檢測(cè)到功率MOSFET流過的電流降低到閾值-10mV時(shí),控制器驅(qū)動(dòng)功率MOSFET關(guān)閉。

充電器芯片 U6773V內(nèi)置軟啟動(dòng)功能來減緩功率MOS開啟時(shí)的電壓應(yīng)力,在輕載情況下,控制器通過降低開關(guān)頻率來很好的調(diào)節(jié)和提高效率,在空載情況下,滿足待機(jī)功耗在70mW以內(nèi)。當(dāng)輸出短路時(shí),控制器可以使開關(guān)頻率箝位在16KHz,能夠提高系統(tǒng)的可靠性。

充電器芯片 U6773V具有節(jié)能環(huán)保特性,而且電磁兼容性較強(qiáng),外圍電路也很簡(jiǎn)單。原邊反饋/內(nèi)置MOSFET內(nèi)置環(huán)路補(bǔ)償,省去額外的補(bǔ)償或?yàn)V波電容提高系統(tǒng)效率優(yōu)化降頻曲線和減小電磁干擾,可實(shí)現(xiàn)輕載無異音多模(Multi-Mode)控制的高精度原邊反饋控制(PSR)恒流恒壓(CC/CV)控制器。

充電器芯片 U6773V管腳名稱:

1 VCC 輸入芯片電源

2 FB系統(tǒng)反饋管腳。輔助繞組電壓經(jīng)電阻分壓后送至FB管腳,用于CV模式輸出電壓控制及CC模式輸出電流控制

3CPC 連接到GND的輸出電纜補(bǔ)償

4 CS 電流采樣輸入管腳

5、6 Drain 內(nèi)部功率管的漏極

7 GND P 芯片參考地

在新一輪產(chǎn)業(yè)恢復(fù)的密集攻勢(shì)下,消費(fèi)電子市場(chǎng)迎來重要窗口,充電器芯片需求也處于上升趨勢(shì),做好準(zhǔn)備尋找增量市場(chǎng),未來非常值得期待!

審核編輯:湯梓紅

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原文標(biāo)題:充電器芯片U6773V迎來需求上升期

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