
首先,美國對中國半導體產(chǎn)業(yè)的遏制將逐漸走向單向半脫鉤,單向是指美國欲單方面與我國脫鉤,而我們不想;半脫鉤是指美國暫時不會放棄中國市場,因而出現(xiàn)部分脫鉤的現(xiàn)象。美國真正的大戰(zhàn)略是充建供應鏈,取代中國具有全球完整供應鏈,重組產(chǎn)業(yè)鏈。
美國最近出臺了芯片與科學法案,通過法律的方式要求凡是接受美國政府資助的企業(yè)不能在中國再發(fā)展,同時拉攏中國臺灣、日本、韓國建立所謂的芯片四方聯(lián)盟Chip4,同時又跟歐盟搞了新興技術的委員會,目標也是要把中國排除在供應鏈之外。

二、中央政府將重新審視半導體發(fā)展思路,制定新的發(fā)展戰(zhàn)略和措施,并投入更多的資源,大概率會采取與以往不同的組織形式,科學、全面、系統(tǒng)、持續(xù)和大力度將是關鍵詞。

2021年,中國集成電路全行業(yè)銷售收入首次突破1萬億人民幣,達到10458億元,增長18.2%。國務院《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》頒布后的7年間,中國集成電路產(chǎn)業(yè)高速增長,年均復合增長率達到19.5%,遠遠高于同期全球7.6%的年均復合增長率。
我們相信政府后續(xù)很快會出臺一系列的關于集成電路的新政策。中國集成電路現(xiàn)在已經(jīng)發(fā)展到了新的階段。中國已經(jīng)躋身全球大國之列,一定要有自己獨立發(fā)展的思路。

此外,從上面的圖表可以看出,中國、美國在電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展比較全面,中國的主要短板是量子計算和半導體,美國主要在網(wǎng)絡基礎設施和通信領域,
三、對工藝和EDA工具敏感度不強的芯片研發(fā)技術將成為研究和探索的重點,集成電路科技計劃將更聚焦目標導向和問題導向,聚焦提升成熟工藝的PPA。
因為遭遇到美國的限制,中國半導體的代工水平現(xiàn)在可能在14納米制程、在128層在18納米的DRAM可能一段時間會停滯,但是必須要發(fā)展,要提升成熟工藝的PPA。魏少軍指出,異質堆疊集成技術助推國產(chǎn)3D NAND突圍。3D NAND Flash主流架構包含CAN、CUA(PUC)和CBA三種架構;主流公司中大部分采用CUA(PUC)架構,其中長江存儲采用CBA即Xtacking技術。魏少軍指出,3D NAND 的未來發(fā)展將依托于異質堆疊集成技術,三星電子CEO金奇南在2021年IEDM上表示:“3D NAND Flash可以做到1000層。”

四、依托中國的龐大市場,一批極具創(chuàng)新性的產(chǎn)品和解決方案將面世,推動中國特色產(chǎn)品和應用標準體系的建設,有效緩解國外對我國實施的禁運并打破遏制。中國5G商用三年,5G應用才剛剛開始全面推廣,現(xiàn)在主要集中在eMBB,真正重要的是mMTC和uRLLC,uRLLC是自動駕駛就是大規(guī)模的海量的信息用地,URLLC對于工業(yè)應用也是至關重要的。中國14億人口全部市場被調(diào)動起來以后,形成自己的產(chǎn)品規(guī)范、形成自己的產(chǎn)品體系、產(chǎn)品標準,甚至是設計規(guī)范的時候,我們整個社會就會逐步進入智能化。智慧城市就會大規(guī)模部署傳感器,云和數(shù)據(jù)中心。
五、集成電路人才培養(yǎng)將更加聚焦實用型人才,集成電路領域的卓越工程師人才培養(yǎng)計劃將全面鋪開,但如何實現(xiàn)產(chǎn)教融合將成為高校集成電路人才培養(yǎng)的最大挑戰(zhàn)。
2021年,中國集成電路從業(yè)人員規(guī)模約為57.07萬人,同比增長5.49%。2024年要達到79萬人,兩者相差22萬人。芯片設計的人才現(xiàn)在差12萬人,為什么差那么多人,很重要的就是產(chǎn)業(yè)發(fā)展太快人才培養(yǎng)跟不上。2022年中國集成電路企業(yè)對于應屆生的能力要求,相比2021年的調(diào)研統(tǒng)計,2022年應屆生滿足企業(yè)需求程度有顯著提高。滿足度在20%以下的比例從去年的接近22%下降到9%;應屆生技能滿足度不足40%的比例下降了10%,技能滿足度60%-80%比例提升6%。
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