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國產(chǎn)新風(fēng)尚!WAYON維安針對(duì)PC及PC電源推出MOSFET細(xì)分產(chǎn)品

KOYUELEC光與電子 ? 來源:KOYUELEC光與電子 ? 作者:KOYUELEC光與電子 ? 2023-01-06 13:03 ? 次閱讀
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國產(chǎn)新風(fēng)尚!WAYON維安針對(duì)PC及PC電源推出MOSFET細(xì)分產(chǎn)品-授權(quán)方案設(shè)計(jì)代理商KOYUELEC光與電子為您提供服務(wù)

隨著人工智能5G網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的發(fā)展,英特爾AMD等PC平臺(tái)相繼推出運(yùn)算效能更高的AI處理器,其中英特爾推出的10nm制程Ice Lake處理器中采用了Sunny Cove微架構(gòu)并導(dǎo)入向量神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)指令集(VNNI),借此加快深度學(xué)習(xí)(DeepLearning)運(yùn)算速度。AMD陣營則推出第三代Ryzen處理器結(jié)合X570芯片組應(yīng)戰(zhàn),強(qiáng)打效能牌并瞄準(zhǔn)電競市場商機(jī)。

另根據(jù)市場研究機(jī)構(gòu) Canalys 發(fā)布的最新報(bào)告數(shù)據(jù)顯示,2020 年全年全球 PC市場出貨量達(dá)到 2.97 億臺(tái),同比增長 11%。Canalys分析認(rèn)為,由于5G網(wǎng)絡(luò)升級(jí)換代,PC行業(yè)將在未來幾年繼續(xù)增長,預(yù)測2021年將增長8%。多角度分析預(yù)估PC產(chǎn)品MOSFET用量較上一代產(chǎn)品有望增長一倍。

不同領(lǐng)域的MOSFET的形態(tài)不同,其電路中充當(dāng)?shù)淖饔煤驮硪彩遣槐M相同。CPU/GPU的供電系統(tǒng)的主要目的是把由電源輸入的12V電壓轉(zhuǎn)變?yōu)镃PU所需的1V多的電壓,以驅(qū)動(dòng)CPU穩(wěn)定運(yùn)行。隨著CPU、GPU的運(yùn)算能力越來越強(qiáng),所需的供電電流也隨之上升,當(dāng)電流超過電子元件的承受能力后,多相供電就成了必要。多相供電電路中的關(guān)鍵元件包括PWM控制器芯片、MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片、MOSFET、扼流圈、電容等,其中每一相供電至少需要上、下橋兩個(gè)MOSFET。

MOSFET的應(yīng)用場合的不同,無論是從存在的方式和工作原理上都有差異,WAYON針對(duì)PC及PC電源領(lǐng)域的差異化需求同時(shí)推出了Trench、SGT MOSFET以及高壓SJ MOS。其中WAYON SGT MOSFET采用CLIP BOND封裝,能夠進(jìn)一步提升功率密度,降低開關(guān)損耗,同時(shí)擁有更好的EMI優(yōu)勢(shì)。其顯著特點(diǎn)如下:

●更好導(dǎo)熱性能

●更低導(dǎo)通阻抗

●減少寄生電感

●更支持更大電流與功率

●降低功率損耗

PC電源特別是筆記本電腦快充的普及,對(duì)適配器提出了小、薄、和輕等要求,為了應(yīng)對(duì)PC及PC電源不同的應(yīng)用場景,WAYON推出了針對(duì)不同應(yīng)用場景的細(xì)分產(chǎn)品。

應(yīng)用場景1:PC Main-board Power

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PC Main-board Power


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專門針對(duì)上下橋MOS,做了如下優(yōu)化:

●上橋開關(guān) HS SW

●降低開關(guān)損耗

●優(yōu)化Qgd

●下橋開關(guān) LS SW & SR

●改進(jìn)輕載效率

●減少 Phase Node Overshoot

●低導(dǎo)通電阻 Rds(on)


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產(chǎn)品系列 – DFN5x6 N溝道

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產(chǎn)品系列 – DFN5x6 雙N溝道

poYBAGO3q8OAZalxAAIzzykDwI8245.png

產(chǎn)品系列 – DFN3x3 For Functional component



應(yīng)用場景2:PC switching power supply


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PC switching power supply

poYBAGO3q8WAS6RcAAIWRkgEfOE132.png

產(chǎn)品系列 – DFN5x6 N溝道(40V&60V)

pYYBAGO3q8aAMA9AAAH3O5zz5eQ198.png

產(chǎn)品系列 – TO-220 (120V & 100V)

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產(chǎn)品系列 – 高壓SJ-MOSFET


審核編輯黃昊宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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