DS2784高邊nFET保護(hù)器沒有用于反向充電器連接的保護(hù)電路。因此，如果充電器以反極性連接，則直流FET在故障條件下可能會保持導(dǎo)通狀態(tài)。本文介紹可用于在充電器連接反接時(shí)關(guān)閉 DC FET 的外部電路。

DS2784沒有防止與充電器反向連接的電路。如果充電器連接反接，DC FET 可能會在故障條件下保持導(dǎo)通狀態(tài)，從而完全耗盡電池電量。由于當(dāng)前的工藝限制，到目前為止，還沒有針對此問題的內(nèi)部解決方案。本文詳細(xì)介紹了可用于確保 DC FET 在充電器連接反接時(shí)關(guān)閉的外部電路。

DS2784采用高邊、n溝道FET（nFET）在故障條件下斷開電池連接。如果充電器以反極性連接，DS2784在PK+上為-5V;這會在直流 FET 的源上放置 -5V。當(dāng)保護(hù)器試圖關(guān)斷時(shí)，它將柵極驅(qū)動至0V。這在DC FET上留下一個(gè)+5V柵源電壓，從而將其導(dǎo)通。

此問題的解決方案是在充電器連接反接的情況下，使用共漏極 nFET 將 DC FET 的柵極與源極短路。這些 FET 配置為在 -5V PK+ 至 PK- 時(shí)導(dǎo)通;這實(shí)質(zhì)上使 DC FET 的柵極與源極短路（圖 1），從而關(guān)閉 DC FET。

圖1.共漏極 nFET 使 DC FET 的柵極短路。

必須使用共漏極nFET，以使DS2784在正常工作條件下正常工作。直流引腳具有一個(gè)弱驅(qū)動器，其最差情況下電流為1μA。與直流柵極路徑的任何連接都必須具有最小的泄漏，否則它將使電荷泵崩潰，從而導(dǎo)致保護(hù)FET關(guān)閉。同樣，PK+路徑中的泄漏會導(dǎo)致IC永遠(yuǎn)無法從過流狀態(tài)中恢復(fù)，除非將其連接到充電器。IC尋找PK+被拉高，以檢測過流情況的消除。這是通過PLS上的一個(gè)小電流源實(shí)現(xiàn)的，該電流的最差情況電流為10μA。

審核編輯：郭婷