碳化硅行業(yè)現(xiàn)狀

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈分為襯底材料制備、外延層生長、器件制造以及下游應用。通常采用物理氣相傳輸法（PVT法）制備碳化硅單晶，再在襯底上使用化學氣相沉積法（CVD法）等生成外延片，最后制成相關器件。在SiC器件的產(chǎn)業(yè)鏈中，由于襯底制造工藝難度大，產(chǎn)業(yè)鏈價值量主要集中于上游襯底環(huán)節(jié)。

隨著碳化硅下游市場的超預期發(fā)展，碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的景氣程度有望持續(xù)向好，碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)也將直接受益于行業(yè)發(fā)展。

美國廠商占據(jù)主導地位，國內(nèi)度過產(chǎn)業(yè)化元年。Wolfspeed的出貨量占據(jù)了全球的45%。2021年是國內(nèi)SiC產(chǎn)業(yè)化元年，2021年一季度國內(nèi)新增SiC項目合計投資金額達到630億元，超過2020年全年的水平，達到2012-2019年合計值的5倍以上。

目前，碳化硅襯底主流尺寸為4-6 英寸，8 英寸襯底僅有Wolfspeed、II-VI 公司和意法半導體ST等少數(shù)幾家研制 成功，其中，Wolfspeed 是首家掌握8 英寸量產(chǎn)技術并建設對應晶圓廠的公司。

碳化硅前景怎么樣

碳化硅精細微粉作為一種新型的多復合性功能材料，近年來被廣泛應用于高端太陽能、半導體切割研磨、LED、非金屬陶瓷、高性能密封環(huán)等領域。尤其是最近幾年，無論國內(nèi)外媒體及產(chǎn)業(yè)政策導向，都極力助推了這一新興產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展。光伏產(chǎn)業(yè)強烈的發(fā)展預期，導致碳化硅行業(yè)炙手可熱，吸引了大批的企業(yè)和社會投資者紛紛涌入，克服節(jié)能減排等多方壓力，各種規(guī)模的碳化硅生產(chǎn)企業(yè)可謂是遍地開花，樂觀情緒漸盛。

碳化硅行業(yè)要解決發(fā)展中資源、環(huán)境等方面的壓力，應該著眼于技術引領行業(yè)進步。在碳化硅生產(chǎn)中，關注生產(chǎn)制造的綠色、低碳化。依靠技術升級，提高生產(chǎn)規(guī)模，利用規(guī)模優(yōu)勢降低單位能耗；注重生產(chǎn)過程中如碳化硅回收、粉塵處理、水的循環(huán)再利用等，降低資源利用。

碳化硅發(fā)展前景預測，就是在碳化硅市場調(diào)查獲得的各種信息和資料的基礎上，運用科學的預測技術和方法，對影響碳化硅市場供求變化的諸因素進行調(diào)查研究，分析和預見碳化硅發(fā)展趨勢，掌握碳化硅市場供求變化的規(guī)律，為經(jīng)營決策提供可靠的依據(jù)。

第三代半導體是國家2030規(guī)劃和“十四五”國家研發(fā)計劃確定的重要發(fā)展方向，是我國半導體產(chǎn)業(yè)彎道超車的機會，要重點扶持、協(xié)同攻關第三代半導體產(chǎn)業(yè)，可以在國內(nèi)重點扶植3-5家世界級龍頭企業(yè)，加大整個產(chǎn)業(yè)鏈條的合作力度。

國內(nèi)外各大半導體元器件企業(yè)紛紛加大了新產(chǎn)品的推廣力度，第三代半導體也開始頻頻出現(xiàn)在各地園區(qū)招商引資名單中。8月18日最新消息，碳化硅龍頭科銳（Cree）宣布2021年財年第四季度財報時透露，公司有望在2022年初建成世界上最大的碳化硅工廠，使其能夠充分利用未來幾十年的增長機遇。

新能源汽車是SiC功率器件的主要增長點，充電樁也是，以直流充電樁為例，據(jù)CASA測算，電動汽車充電樁中的SiC器件的平均滲透率達到10%，2018年整個直流充電樁SiC電力電子器件的市場規(guī)模約為1.3億，較2017年增加了一倍多。

SiC功率器件存在很多優(yōu)勢，未來發(fā)展空間也在逐漸增大，不過在發(fā)展SiC器件的過程中，還是存在不少問題，從近幾年的發(fā)展來看，國內(nèi)外廠商還是研究機構，都在加大投入發(fā)展更有的技術和產(chǎn)品，相信未來SiC器件不管在性能還是價格等多方面都會更適應市場需求。