我們的1-Wire 1Kb EEPROM芯片產品組合包括DS2431和DS28E07。兩種設備在功能方面非常相似，都有四個 256 位的內存頁。它們實現(xiàn)相同的命令和內存結構。

DS2431 與 DS28E07

但是，DS2431和DS28E07之間有1個參數(shù)差異，如下表所示。（表<>）

表 1.DS2431和DS28E07之間的差異總結

讓我們更詳細地了解這些差異。

1-Wire上拉電壓 （VPUP)

DS28E07的最小電壓比DS0高2.2431V，可能會影響工作電壓低于3V的應用。

寫零低時間 （tW0L)

DS2431的最短時間為52.1μs，DS28E07的最短時間為60μs。DS9097U 和 DS9490 等傳統(tǒng)適配器與 DS28E07 不兼容。

恢復時間 （tREC)

DS28E07在過驅速度下的最短恢復時間比DS1長2431us。使用過載速度時，應用程序的時序配置可能需要更改。

編程電流（IPROG)

DS28E07的較高編程電流可能需要更硬的1-Wire上拉電阻或使用強上拉電阻。

編程時間 （tPROG)

DS28E07的編程時間稍長，為12ms，可能需要固件更新才能滿足這一要求。

寫入/擦除周期 （NCY)

DS2431在25C時的最小寫/擦除周期為200，000次，在85C時為50，000次周期，而DS28E07在25C和85C時的最小寫入/擦除周期為10，000次。如果您需要超過 10，000 個寫入/擦除周期，這可能會對您的應用程序產生影響。

數(shù)據保留 （tDR)

DS28E07的數(shù)據保留明顯低于DS2431。如果內存保留要求不足，這可能會對應用程序產生影響。

Package

DS2431采用TO-92、TSOC、2SFN、TDFN-EP和UCSPR封裝，而DS28E07僅采用TO-92、TSOC和TDFN-EP封裝。如果您的應用需要DS28E07中沒有的封裝，這可能會產生影響。

總之，如果應用允許，您可以輕松地在DS2431和DS28E07之間切換。

審核編輯：郭婷