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三星研發(fā)下一代EUV關(guān)鍵組件

芯片半導(dǎo)體 ? 來源:芯片半導(dǎo)體 ? 2023-02-16 09:07 ? 次閱讀
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三星電子已開始開發(fā)先進(jìn)的極端紫外線(EUV)pellicle,以縮小與制造競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電的市場(chǎng)份額差距。

該公司的半導(dǎo)體研究所最近發(fā)布了一份招聘通知,以開發(fā)一種滿足92%的EUV透射率的pellicle。該公司在2021年10月舉行的三星制造論壇上表示:“我們已經(jīng)開發(fā)了一種EUV透射率為82%的pellicle,并計(jì)劃在年底前將透射率提高到88%?!蹦壳?,三星電子公司已經(jīng)開發(fā)了一種透射率為88%的pellicle。這意味著這家韓國(guó)科技巨頭在大約一年內(nèi)實(shí)現(xiàn)了目標(biāo),并提出了一個(gè)新的發(fā)展路線圖,將傳輸率提高4個(gè)百分點(diǎn)。

三星電子還開始研究高數(shù)孔徑(NA)的pellicle,這被稱為下一代EUV工藝。該公司在最新的招聘通知中提到了基于新材料的下一代pellicle的開發(fā)。它宣布將與外部研究機(jī)構(gòu)合作開發(fā)和評(píng)估由碳納米管和石墨烯制成的EUVpellicle。該公司還計(jì)劃挑選研究人員,負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)該公司自行開發(fā)的納米石墨薄膜(NGF)的大規(guī)模生產(chǎn)設(shè)施。

一位分析師表示:“三星電子推動(dòng)EUVpellicle的開發(fā)旨在迅速趕上排名第一的制造公司臺(tái)積電?!?/p>

EUVpellicle是曝光過程中使用光在半導(dǎo)體晶圓上打印電路形狀所必需的材料。它們用作遮蓋物,阻止異物附著在口罩上。pellicle通過最大限度地減少過程中的缺陷和延長(zhǎng)昂貴口罩的使用壽命來幫助降低成本。然而,由于大多數(shù)材料吸收的EUV光的特點(diǎn),商業(yè)化很困難。專家表示,盡管三星電子提高了pellicle技術(shù)水平,但它尚未將這種材料引入其晶圓代工/DRAM生產(chǎn)線,認(rèn)為將這種材料應(yīng)用于批量生產(chǎn)線還為時(shí)過早。

自2019年以來,三星電子的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電一直在其批量生產(chǎn)線上使用自己開發(fā)的EUVpellicle。這家臺(tái)灣制造巨頭于2021年宣布,它將比2019年增加20倍的EUVpellicle生產(chǎn)能力。

韓國(guó)公司,有望顯著提升EUV良率

一家韓國(guó)小公司開發(fā)出一種材料,有望顯著提高荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備公司 ASML 的極紫外 (EUV) 光刻設(shè)備的良率。

半導(dǎo)體和顯示材料開發(fā)商石墨烯實(shí)驗(yàn)室于11月14日宣布,其已開發(fā)出用石墨烯制造小于5納米的EUV薄膜(pellicles)的技術(shù),并已準(zhǔn)備好量產(chǎn)新型薄膜。

“以前,薄膜是由硅制成的。但我們使用了石墨烯,”Graphene Lab 首席執(zhí)行官 Kwon Yong-deok 說?!皩?duì)于使用 ASML 的 EUV 光刻設(shè)備的半導(dǎo)體公司來說,石墨烯薄膜將成為良率的助推器。”

薄膜是一種薄膜,可保護(hù)光掩模表面免受空氣中分子或污染物的影響。對(duì)于5納米或以下的超微制造工藝至關(guān)重要。它是一種需要定期更換的消耗品。由于EUV設(shè)備的光源波長(zhǎng)較短,因此薄膜需要較薄以增加透光率。此前,硅已被用于制造薄膜,但石墨烯是一種更好的材料,因?yàn)樗裙韪 ⒏该鳌?/p>

EUV 薄膜必須能夠承受曝光過程中發(fā)生的 800 度或更高的高溫。由于其在高溫下的硬化特性,硅膠非常容易破裂。

全球薄膜市場(chǎng)預(yù)計(jì)到 2024 年將達(dá)到 1 萬億韓元?!叭请娮?、臺(tái)積電和英特爾是石墨烯實(shí)驗(yàn)室的潛在客戶,”首席執(zhí)行官 Kwon 說。

審核編輯 :李倩

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原文標(biāo)題:三星研發(fā)下一代EUV關(guān)鍵組件

文章出處:【微信號(hào):TenOne_TSMC,微信公眾號(hào):芯片半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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