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將OMU和HPL解決方案與78M6610+LMU進(jìn)行比較

星星科技指導(dǎo)員 ? 來源:ADI ? 作者:ADI ? 2023-02-22 09:47 ? 次閱讀
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本應(yīng)用筆記比較了適用于78M6612和78M6613可編程片上系統(tǒng)(SoC)的單相OMU和HPL固件解決方案以及新的78M6610+LMU電能測(cè)量處理器。 目標(biāo)受眾是已經(jīng)熟悉先前解決方案的工程師,他們正在考慮將設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)換為78M6610 + LMU。

術(shù)語(yǔ)

SoC Maxim的78M6612和78M6613片上系統(tǒng)產(chǎn)品具有可編程80515內(nèi)核、專用32位計(jì)量計(jì)算引擎(協(xié)處理器)和單轉(zhuǎn)換器模擬前端。一個(gè)或多個(gè)固件庫(kù)可用于客戶修改應(yīng)用程序固件。
BM8 插座監(jiān)控單元固件 (SoC) 庫(kù),用于使用單線電壓和兩個(gè)電流監(jiān)控兩個(gè)單相(2 線)交流負(fù)載。
高效液位液位 高功率負(fù)載固件 (SoC) 庫(kù),用于使用兩個(gè)線路電壓和兩個(gè)線路電流輸入監(jiān)控任何單相(2 線、3 線)交流負(fù)載。
電磁脈沖 采用Maxim單轉(zhuǎn)換器模擬前端的電能測(cè)量處理器平臺(tái)。多個(gè)嵌入式固件選項(xiàng)可作為不同的終端部件號(hào)提供,例如 78M6610+LMU。
萊姆大學(xué) 78M6610上的負(fù)載監(jiān)控單元固件具有兩個(gè)電壓和兩個(gè)電流檢測(cè)輸入,用于監(jiān)控任何單相輸入。
命令行界面 基于 ASCII 的命令行接口協(xié)議,用于串行 UART 接口(適用于 SoC 和 EMP 平臺(tái))。與演示代碼一起使用。
用于串行 UART 接口的二進(jìn)制串行線路接口協(xié)議(適用于使用 MAPISDK 1.0 庫(kù)的 SoC 平臺(tái))。SAI 用于串行 UART 接口的二進(jìn)制串行異步接口(適用于使用 SDK 2.0 庫(kù)的 SoC 平臺(tái))。
SSI 用于串行UART的二進(jìn)制簡(jiǎn)單串行接口,EMP產(chǎn)品不可用。
電腦斷層掃描 電流互感器是與負(fù)載串聯(lián)的隔離傳感器,用于測(cè)量交流電流。
VT 電壓互感器是放置在負(fù)載上的隔離傳感器,用于測(cè)量交流電壓。

傳感器接口

可配置的 LMU 固件支持 OMU 和 HPL 固件解決方案提供的所有傳感器接口配置。然而,78M6610+LMU 在 78M6612/13 硬件的基礎(chǔ)上進(jìn)行了改進(jìn),它提供了差分輸入,使電流檢測(cè)輸入的布局更容易,并為四個(gè)檢測(cè)輸入插槽中的每個(gè)插槽提供更快的有效采樣率。參見圖1。

poYBAGP1dESAY0D4AAAqauCgwDA207.gif

圖1.78M6610+LMU 傳感器接口與 78M6612/78M6613 傳感器接口。

對(duì)于 78M6612 或 78M6613,可用的傳感器配置由計(jì)算引擎 (CE) 配置寄存器中的 1 位或 2 位選擇。78M6610+LMU 使用 CONFIG 寄存器中的乘法器位,將每個(gè)傳感器插槽(S0 到 S3)靈活映射到報(bào)告的測(cè)量輸出 (V一個(gè)我一個(gè)我B等)。本節(jié)總結(jié)了 OMU 和 HPL 固件支持的每種傳感器配置的等效 78M6610+LMU 設(shè)備設(shè)置,以及 78M6610+LMU 測(cè)量輸出寄存器的任何縮放注意事項(xiàng)。

本文檔中使用的寄存器類型符號(hào)(S.23、S.22等)在78M6610+LMU IC數(shù)據(jù)手冊(cè)中進(jìn)一步描述。應(yīng)該注意的是,并非所有傳感器配置選項(xiàng)的符號(hào)都是固定的。例如,對(duì)于某些配置,數(shù)據(jù)手冊(cè)可能將功率輸出寄存器描述為S.23寄存器類型,而本文檔可能將功率描述為S.22(滿量程幅度是S.23的兩倍的寄存器)。

為簡(jiǎn)單起見,下圖中未顯示濾波組件和差分連接。僅提供單端檢測(cè)輸入和3.3V高端基準(zhǔn)(V3P3)。

模式 1:線路電壓 + 來自 OMU 的兩個(gè)電流

這種用于 2 線應(yīng)用的偽隔離傳感器配置利用兩個(gè)獨(dú)立的電壓檢測(cè)輸入和電阻分壓器進(jìn)行單線電壓測(cè)量。當(dāng)與CT等隔離式電流傳感器結(jié)合使用時(shí),這種電壓檢測(cè)配置可在交流電源和測(cè)量子系統(tǒng)之間保持高阻抗(偽隔離)路徑,從而允許與系統(tǒng)的其余部分共同接地。

pYYBAGP1d3mAGu8LAAB4fduU2t4613.png

擴(kuò)展注意事項(xiàng)

隨后,所有電壓測(cè)量輸出和派生功率測(cè)量結(jié)果向右移動(dòng)一位數(shù),從而形成S.22寄存器類型。通道C的總功率輸出隨后為S.21寄存器類型。電流測(cè)量輸出仍然是S.23寄存器類型。

模式2:線路電壓、新能源汽車電壓和來自O(shè)MU的兩個(gè)電流

這種用于2線應(yīng)用的非隔離傳感器配置也使用電阻傳感器來檢測(cè)電壓,但利用第二個(gè)電壓檢測(cè)輸入來監(jiān)控中性線對(duì)地電壓(NEV)的故障情況。它可以與任何類型的電流傳感器一起使用,但由于交流電源直接連接到測(cè)量 IC,因此保持非隔離狀態(tài)。

poYBAGP1d4KAePhnAACQBm_dIXA514.png

擴(kuò)展注意事項(xiàng)

所有寄存器類型均與IC數(shù)據(jù)手冊(cè)中的記錄相同。

模式 3:來自 HPL 的固定參考分相模式

這種用于 3 線應(yīng)用的非隔離傳感器配置使用電阻傳感器檢測(cè)兩條線電壓,使用隔離式傳感器檢測(cè)每相電流。

poYBAGP1d42AOq60AACCdWxXABE269.png

擴(kuò)展注意事項(xiàng)

所有寄存器類型均與IC數(shù)據(jù)手冊(cè)中的記錄相同。

模式 4:來自 HPL 的浮動(dòng)參考分相模式

用于 3 線分相系統(tǒng)的偽隔離傳感器配置利用兩個(gè)帶電阻傳感器的電壓檢測(cè)輸入進(jìn)行單線電壓測(cè)量,但每條線路都有匹配的出血電阻。此配置假定相位之間的偏移為 180 度,并使用測(cè)量的線路 1 電壓的反轉(zhuǎn)副本作為線路 2 電壓。目標(biāo)系統(tǒng)應(yīng)安裝在靠近服務(wù)入口的地方,以盡量減少新能源汽車和V之間的不平衡一個(gè)和 VB.當(dāng)與一個(gè)或兩個(gè)隔離式電流傳感器(如CT)結(jié)合使用時(shí),這種配置在交流電源和測(cè)量IC之間保持高阻抗(偽隔離)路徑,允許與系統(tǒng)的其余部分共享隔離電源。

在此配置中,78M6610+LMU 無(wú)法測(cè)量或報(bào)告 VC。78M6613 HPL 固件中用于計(jì)算缺失電壓 VB 的數(shù)學(xué)公式與 78M6610+LMU 中的數(shù)學(xué)公式不同。

poYBAGP1d5WAHJumAAB36V6Ly40794.png

擴(kuò)展注意事項(xiàng)

所有電壓測(cè)量輸出和派生功率測(cè)量值都向右移動(dòng)一位數(shù),從而形成S.22寄存器類型。通道C的總功率輸出隨后為S.21寄存器類型。電流測(cè)量輸出仍然是S.23寄存器類型。

測(cè)量參數(shù)

OMU 和 HPL 解決方案中的幾乎所有測(cè)量功能都保留在 78M6610+LMU 中。如果使用SPI接口,現(xiàn)在可以在必要時(shí)以采樣率訪問原始數(shù)據(jù)以進(jìn)行外部后處理。測(cè)量輸出、參數(shù)或術(shù)語(yǔ)的顯著差異包括:

消除了在正弦條件下用于相位校準(zhǔn)目的的相位角測(cè)量輸出。用于調(diào)整內(nèi)部相位補(bǔ)償參數(shù)的例程現(xiàn)在由主機(jī)根據(jù)需要處理。

減少了最小值/最大值跟蹤寄存器的數(shù)量。用戶現(xiàn)在有六組可配置的寄存器輸出,用于跟蹤任何可選地址的最小值/最大值。

修改了報(bào)警/狀態(tài)輸出并取消了報(bào)警計(jì)數(shù)器。

改進(jìn)的諧波測(cè)量功能,用可配置的“基波”測(cè)量取代固定頻率的“窄帶”測(cè)量,可以報(bào)告載波頻率或選定的諧波。還會(huì)報(bào)告所選諧波之外的總諧波失真。

仍然提供包含所有諧波之和的寬帶測(cè)量。

增加了電壓和電流的瞬時(shí)和峰值輸出。

將 QUANT 術(shù)語(yǔ)替換為偏移術(shù)語(yǔ):IxRMS_OFF、Px_OFFS Qx_OFFS。

通過將公差和平均/最大間隔計(jì)數(shù)輸入替換為單個(gè) CALCYCS 輸入來簡(jiǎn)化校準(zhǔn)設(shè)置,該輸入選擇要在校準(zhǔn)例程期間平均的累積間隔數(shù)。

78M6610+LMU 為主機(jī)提供未縮放的 24 位值和可配置的能量計(jì)數(shù)器,從而在 LSB 尺寸和負(fù)載范圍方面具有更大的靈活性。相比之下,SoC 解決方案使用預(yù)定的 LSB 大?。ㄈ?mV、mA 和 mW)提供縮放的 32 位測(cè)量輸出。

主機(jī)接口

可編程 SoC 設(shè)備(包括大量 DIO 和編程接口)與 78M6610+LMU EMP 設(shè)備之間的主機(jī)接口存在細(xì)微差異,后者包含大量 DIO 和編程接口。本節(jié)總結(jié)了 SoC 解決方案與 78M6610+LMU 之間的主要區(qū)別。

串行接口協(xié)議

最初的OMU和HPL(SPL)解決方案最初是通過UART端口引入基于ASCII的CLI接口的。除了設(shè)置的讀寫命令外,此傳統(tǒng) CLI 協(xié)議還包含幾個(gè)用于特定設(shè)備控制(如復(fù)位、啟動(dòng)校準(zhǔn)例程和更新閃存)的獨(dú)特控制命令。對(duì)于喜歡此終端界面的用戶,78M6610+LMU 提供了簡(jiǎn)化的 CLI 實(shí)現(xiàn),僅支持十進(jìn)制格式的讀寫命令。

對(duì)于更適合芯片到芯片通信和主機(jī)高效處理的二進(jìn)制協(xié)議,78M6610+LMU 提供 I2用于 UART 接口的 C、SPI 或 SSI 協(xié)議,可與 SoC 解決方案中的 SLIP 或 SAI 協(xié)議相媲美。有關(guān) SSI 協(xié)議的完整詳細(xì)信息,請(qǐng)參閱 78M6610+LMU 文檔。

命令和控制

閃存訪問、復(fù)位和校準(zhǔn)程序等設(shè)備控制現(xiàn)在通過簡(jiǎn)單的寫入命令啟動(dòng)到78M6610+LMU中的COMMAND寄存器,從而為I提供相同的功能2C、SPI 或 UART 接口。控件的顯著差異包括:

SoC的繼電器控制時(shí)序基于電壓和電流交叉信息。78M6610+LMU繼電器控制開/關(guān)功能僅使用電壓交叉信息。

集成的“校準(zhǔn)階段”例程未在 78M6610+LMU 中實(shí)現(xiàn)。對(duì)于給定的物料清單,此參數(shù)通常是固定的,并在設(shè)計(jì)過程中確定。有關(guān)計(jì)算相位偏移值的公式,請(qǐng)參閱校準(zhǔn)應(yīng)用筆記。

電路的其余部分

參考時(shí)序已從 32kHz 參考更改為 20M78+LMU 的 6610MHz 參考。通過增加一個(gè)內(nèi)部RC振蕩器,啟動(dòng)時(shí)間顯著縮短。對(duì)于不需要精確時(shí)基計(jì)算(能量和線路頻率)的應(yīng)用,可以使用內(nèi)部RC振蕩器從物料清單中消除外部晶體。否則,器件將自動(dòng)切換到外部基準(zhǔn),如相應(yīng)的78M6610 IC數(shù)據(jù)手冊(cè)中所述。

消除了 78M6613 的外部復(fù)位要求,進(jìn)一步降低了最小物料清單。仍然可以根據(jù)需要應(yīng)用外部重置。

78M6610+LMU 采用更小的封裝,提供更少的 DIO,并且沒有編程接口。所有上述產(chǎn)品都使用相同的5V容限I/O?,F(xiàn)在需要接口選擇引腳 (IFC0/IFC1) 來選擇哪個(gè)串行接口 (I2C, SPI, UART) 以在啟動(dòng)時(shí)啟用。

審核編輯:郭婷

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