IR21814類似的驅(qū)動芯片直接驅(qū)動MOS管，該電路具有驅(qū)動簡單，成本低，PCB占用面積小等優(yōu)點，在我司產(chǎn)品中得到廣泛的應(yīng)用。但是，所采用的LLC諧振拓?fù)鋪碚f，驅(qū)動頻率在195K~360K之間變化，驅(qū)動頻率提高，根據(jù)Ploss＝Qg*V*fs，頻率提高以后，芯片本身的損耗也會相應(yīng)增加。而實測亦發(fā)現(xiàn)常溫下，IR21814的結(jié)溫超降額。最終選擇了IR21814外加推挽電路來分擔(dān)驅(qū)動電流的驅(qū)動方式。

該電路工作工程可分為如下幾個部分：

（1）MOS管下管工作，上管驅(qū)動自舉電容充電

DCPWMB輸入高電平，推挽輸出DCDRVB高電平驅(qū)動Q121導(dǎo)通，DCPWMA為低電平，推挽輸出DCDRVA低電平截止上管Q120。自舉電容C308通過下管Q121進(jìn)行充電至VCC_FAN。

圖1 驅(qū)動電路上管充電路徑

（2）MOS管下管截止，自舉電容充電完成

下管截止后，自舉電容電壓浮空，其電壓等于VCC_FAN，此浮空電壓作為上管Q120驅(qū)動的供電電源。

（3）MOS管下管截止，上管導(dǎo)通

DCPWMA輸入高電平，推挽輸出DCDVRA高電平驅(qū)動Q120導(dǎo)通。

圖2 驅(qū)動電路MOS導(dǎo)通路徑

（4）上管截止，下管導(dǎo)通

驅(qū)動芯片的選擇

幾種驅(qū)動芯片性能對比如下

通過以上幾種芯片的開關(guān)損耗性能指標(biāo)對比可以看出：

IR2110的開關(guān)速度快，Isink/Isource電流大，損耗較小。但是，IR2110(3)的封裝相對大（WSOP16)，價格也貴，就沒有選擇此芯片。

而其他幾種芯片沒有泵升功能，不宜采用。

由于IR21814已經(jīng)被廣泛采用，成熟度高，而且性能較優(yōu)。因此，建議PWM驅(qū)動芯片仍然采用的IR21814。

5.4.2 推挽三極管選型

由于供電電壓VCC_FAN=14.5V，同時考慮到電壓本身的紋波，所以所選擇的三極管耐壓必須大于20V；由于正向驅(qū)動電阻R=10ohms+2.55ohms=12.55ohms，正向驅(qū)動峰值電流I=14.5V/12.55ohms=1.16A。反向驅(qū)動電阻R=2.55ohms，反向驅(qū)動峰值電流I=14.5V/2.55ohms=5.7A，所以，根據(jù)以上驅(qū)動電流的計算，所以選三極管的峰值電流必須大于5.7A。