本系列博文共有 6 個部分，將為您介紹電動汽車、電池充電和數(shù)據(jù)中心等快速增長的應(yīng)用領(lǐng)域，以及基于極具前景的技術(shù)的新器件如何成為取代硅器件的合理選擇。

這篇博客文章最初由 United Silicon Carbide (UnitedSiC) 發(fā)布，該公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭。UnitedSiC 是一家領(lǐng)先的碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體制造商，它的加入促使 Qorvo 將業(yè)務(wù)擴展到電動汽車 (EV)、工業(yè)電源、電路保護、可再生能源和數(shù)據(jù)中心電源等快速增長的市場。

為什么說選擇 SiC FET 是正確的。

眾所周知，“硅” 仍在市場占有一席之地，但隨著功率效率和性能水平對快速增長領(lǐng)域（即電動汽車、電池充電、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域）的成功變得愈發(fā)重要，基于新技術(shù)的新器件也將成為取代硅器件的合理選擇。那些新器件指的正是 SiC FET。

在 “您會使用硅制成的碳化硅嗎？” 系列的 6 篇博文中，UnitedSiC 工程副總裁 Anup Bhalla 博士與 Power Systems Design (PSD) 一起向讀者闡述了為什么 SiC FET 是廣泛應(yīng)用的正確選擇，以及如何適用于仍包含 MOSFET、超結(jié)、IGBT 和 GaN HEMT 的環(huán)境。本系列博文為工程師介紹了與功率晶體管和二極管相關(guān)的重要品質(zhì)因數(shù)，以及在進行設(shè)計選擇時應(yīng)該考慮的要素。本系列博文將涵蓋超共源共柵拓撲結(jié)構(gòu)的概念，以及如何將其用于電源應(yīng)用等內(nèi)容。

SiC FET 已經(jīng)走出了專業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域，并已快速成為當今 HW 電源設(shè)計人員的主流電源解決方案。如果您考慮在下一個設(shè)計中使用 SiC，但不清楚其產(chǎn)品優(yōu)勢，或者想要進一步了解這個高速發(fā)展的 SiC 電源解決方案，則可以閱讀本系列博文。希望您喜歡！

第 1 部分：您會使用由硅制成的碳化硅嗎？

您需要了解有關(guān)碳化硅 (SiC) 和寬帶隙 (WBG) 技術(shù)的基礎(chǔ)知識嗎？本系列博文的第一篇文章不僅涵蓋適合各種級別讀者的基礎(chǔ)知識，還為從事高功率應(yīng)用的電氣工程師進行了詳細說明。

了解更多信息。https://www.powersystemsdesign.com/articles/are-you-sic-of-silicon-part-1/22/14274

第 2 部分：您會使用由硅制成的碳化硅嗎？

本系列博文的第 2 篇文章探討了封裝在提高功率晶體管性能方面的重要作用。Bhalla 博士還向讀者介紹了如何將封裝應(yīng)用于 SiC 技術(shù)以及為什么封裝對充分挖掘?qū)拵?(WBG) 技術(shù)潛力至關(guān)重要。

了解更多信息。https://www.powersystemsdesign.com/articles/are-you-sic-of-silicon-part-2/22/14407

第 3 部分：您會使用由硅制成的碳化硅嗎？

開發(fā)強大可靠的車載充電器 (OBC) 解決方案對于電動汽車 (EV) 的成功采用至關(guān)重要。汽車的充電速度越快，消費者就會越早接受將電池和電力驅(qū)動作為汽油或柴油發(fā)動機的可行替代品。寬帶隙 (WBG) 和碳化硅 (SiC) 技術(shù)可以滿足所有要求，這也是此技術(shù)的理想應(yīng)用，本系列博文的第三篇文章將對此進行闡述。

了解更多信息。https://www.powersystemsdesign.com/articles/are-you-sic-of-silicon-part-3/22/14585

第 4 部分：您會使用由硅制成的碳化硅嗎？

本系列博文的第四篇文章將從電池充電開始，探討電動汽車牽引逆變器的應(yīng)用。讀者將會了解汽車制造商開發(fā)純電動汽車時使用的方法，以及這對動力傳動系統(tǒng)的意義。

了解更多信息。https://www.powersystemsdesign.com/articles/are-you-sic-of-silicon-part-4/22/14760

第 5 部分：您會使用由硅制成的碳化硅嗎？

電子產(chǎn)品涉及到低電壓、高電壓和極高電壓三個方面。而碳化硅 (SiC) 等功率半導(dǎo)體技術(shù)則明確地專注于突破較高電壓領(lǐng)域的難題。UnitedSiC 在超共源共柵架構(gòu)等方面取得了突破性進展，也由此成為該領(lǐng)域相關(guān)器件和模塊技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者。本文由 Power Systems Design 負責撰寫，主要向工程領(lǐng)域的讀者介紹 SiC MOSFET、SiC IGBT 及其對應(yīng)的硅器件所適用的功率頻譜。

了解更多信息。https://www.powersystemsdesign.com/articles/are-you-sic-of-silicon-part-5/22/15016

第 6 部分：您會使用由硅制成的碳化硅嗎？

大容量、高質(zhì)量和更高的功率密度是電信行業(yè)應(yīng)用的優(yōu)先考慮因素。如本文所述，隨著 5G 的大規(guī)模推廣，相關(guān)要求變得越來越嚴格。通過探討電信公司和數(shù)據(jù)中心使用的電源拓撲結(jié)構(gòu)，讀者將了解為什么電源開發(fā)人員對寬帶隙 (WBG) 和碳化硅 (SiC) 技術(shù)越來越感興趣。

了解更多信息。https://www.powersystemsdesign.com/articles/are-you-sic-of-silicon-part-6/22/15156

關(guān)于作者

Anup Bhalla 博士

UnitedSiC 工程副總裁

在 UnitedSiC 擔任工程副總裁，主管所有產(chǎn)品開發(fā)工作。他于 2012 年加入 UnitedSiC，此前曾在 Harris、Vishay Siliconix、AOS 工作，而且是 Alpha and Omega Semiconductor 的聯(lián)合創(chuàng)始人。他獲得了倫斯勒理工學(xué)院的電氣工程博士學(xué)位，擁有 100 多項專利。