企業(yè)服務(wù)器或網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)等許多現(xiàn)代高速系統(tǒng)需要連續(xù)操作，不能影響信號(hào)完整性，尤其是在交換硬件時(shí)。隔離要求的基本特征之一是部分掉電。

如圖1所示，器件1在系統(tǒng)中以5V供電，而器件2和3在Vcc = 0時(shí)掉電；所有響應(yīng)器件也將掉電。5V總線邏輯仍然活躍。靜電放電（ESD）鉗位二極管到Vcc變?yōu)榛钴S并開(kāi)始導(dǎo)通，為系統(tǒng)供電回到活躍狀態(tài)。通過(guò)二極管的電流，除非由串聯(lián)電阻限制，否則將被嚴(yán)重正向偏置，因此會(huì)傳導(dǎo)數(shù)十毫安的電流，這可能導(dǎo)致器件損壞。在此事件之后，器件在恢復(fù)正常操作時(shí)的可靠性是有問(wèn)題的。

圖1：無(wú)Ioff保護(hù)器件

圖2為帶有Ioff保護(hù)電路的第二個(gè)器件。連接到Vcc1的器件和系統(tǒng)與活躍總線線路隔離。由于內(nèi)部的Ioff保護(hù)電路，通過(guò)ESD二極管的電流可以忽略不計(jì)，器件的可靠性完好無(wú)損。Ioff保護(hù)確保沒(méi)有過(guò)多的電流被進(jìn)入或流出輸入、輸出或輸入/輸出（I / O），在器件掉電時(shí)偏置到一個(gè)電壓。部分掉電模式有助于避免掉電或通電時(shí)的不確定行為。

圖2：采用Ioff保護(hù)的器件

基本互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）包含N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體（NMOS）和P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體（PMOS）之間的寄生二極管，偏置使得存在最小的漏電流。典型的Ioff子電路由Vcc的阻塞二極管組成，連接到寄生二極管的公共陰極（也稱為背柵極），以防止電流回流到Vcc，如圖3所示。

圖3：典型Ioff保護(hù)電路

圖4是SN74CB3Q3125器件的設(shè)置，當(dāng)啟用并支持Ioff時(shí)，該器件充當(dāng)雙向開(kāi)關(guān)。Vcc斜坡下降，恒定電流通過(guò)開(kāi)關(guān)。隨著Vcc斜降到約0.5V，開(kāi)關(guān)導(dǎo)通并且低于0.5V，器件關(guān)斷，Ioff電路接管。

圖4：器件導(dǎo)通Ioff設(shè)置

數(shù)據(jù)表功能部分中的部分掉電列表的器件系列為“Ioff部分掉電模式”和“V+ = 0時(shí)的隔離斷電模式”等。在數(shù)據(jù)表規(guī)格中，Ioff是單獨(dú)的行，還列出了測(cè)試條件，如圖5所示。

圖5：數(shù)據(jù)表內(nèi)容和電氣規(guī)格

TI將Ioff或部分掉電電路分類為1級(jí)隔離，是對(duì)系統(tǒng)的熱插拔或?qū)崟r(shí)插入的主要要求，需要在背板中移除或插入卡時(shí)不影響系統(tǒng)整體信號(hào)的完整性。部分掉電模式通過(guò)關(guān)閉系統(tǒng)的一部分并隔離子系統(tǒng)的其余部分來(lái)幫助減少能量消耗。部分掉電功能可在大多數(shù)邏輯電路中找到：ABT、ALVT、AVC、AUC、AUP、CBTLV、CBT-C、GTL、GTLP、LV-A、LVC、LVT和VME。

您知道Ioff功能以及它在您當(dāng)前使用的應(yīng)用中的重要性嗎？如果您因?yàn)镮off功能決定選擇邏輯器件，而不使用沒(méi)有此功能的器件，請(qǐng)留下評(píng)論。

審核編輯：郭婷