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ROHM開始量產具有業(yè)界超高性能的650V耐壓GaN HEMT!

羅姆半導體集團 ? 來源:未知 ? 2023-05-25 00:25 ? 次閱讀
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非常適用于服務器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)的效率提升和小型化

全球知名半導體制造商ROHM(以下簡稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride:氮化鎵)HEMT*1GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產,這兩款產品非常適用于服務器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)。

據悉,電源和電機的用電量占全世界用電量的一大半,為實現(xiàn)無碳社會,如何提高它們的效率已成為全球性的社會問題。而功率元器件是提高它們效率的關鍵,SiC (Silicon Carbide:碳化硅)和GaN等新材料在進一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。2022年,ROHM將柵極耐壓高達8V的150V耐壓GaN HEMT投入量產;2023年3月,又確立了能夠更大程度地發(fā)揮出GaN性能的控制IC技術。此次,為了助力各種電源系統(tǒng)的效率提升和小型化,ROHM又推出器件性能達到業(yè)界超高水平的650V耐壓GaN HEMT。

新產品是ROHM與Delta Electronics, Inc. (以下簡稱“臺達電子”)的子公司——專注于GaN元器件開發(fā)的Ancora Semiconductors Inc.(以下簡稱“碇基半導體”)聯(lián)合開發(fā)而成的,在650V GaN HEMT的器件性能指數(shù)(RDS(ON)×Ciss / RDS(ON)×Coss*2)方面,達到了業(yè)界超高水平。因此,新產品可以大大降低開關損耗,從而能夠進一步提高電源系統(tǒng)的效率。另外,新產品還內置ESD*3保護器件,將抗靜電能力提高至3.5kV,這將有助于提高應用產品的可靠性。不僅如此,新產品還具有GaN HEMT器件的優(yōu)勢——高速開關工作,從而有助于外圍元器件的小型化。

新產品已于2023年4月起投入量產(樣品價格5,000日元/個,不含稅),并已開始網售,通過Ameya360、Sekorm等電商平臺均可購買。

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ROHM將有助于應用產品的節(jié)能和小型化的GaN器件命名為“EcoGaN系列”,并不斷致力于進一步提高器件的性能。另外,除了元器件的開發(fā),ROHM還積極與業(yè)內相關企業(yè)建立戰(zhàn)略合作伙伴關系并推動聯(lián)合開發(fā),通過助力應用產品的效率提升和小型化,持續(xù)為解決社會問題貢獻力量。

什么是EcoGaN

EcoGaN是通過更大程度地發(fā)揮GaN的性能,助力應用產品進一步節(jié)能和小型化的ROHM GaN器件,該系列產品有助于應用產品進一步降低功耗、實現(xiàn)外圍元器件的小型化、減少設計工時和元器件數(shù)量等。

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?EcoGaN是ROHM Co., Ltd.的商標或注冊商標。

產品陣容

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如需查看產品詳細信息,您可點擊GNP1070TC-Z、GNP1150TCA-Z查看。

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應用示例

包括服務器和AC適配器在內的各種工業(yè)設備和消費電子領域的電源系統(tǒng)

電商銷售信息

起售時間:2023年4月開始

電商平臺:Ameya360、Sekorm

新產品在其他電商平臺也將逐步發(fā)售。

1枚起售

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關于Ancora Semiconductors Inc.

(碇基半導體)

碇基半導體成立于2022年7月,是全球電源管理和變壓器廠商——臺灣臺達電子(Delta Electronics, Inc.)的子公司,主要從事GaN元器件的開發(fā)。如欲了解關于碇基半導體的更多信息,請訪問公司官網:

https://www.ancora-semi.com/zh-CN

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術語解說

*1)GaN HEMT

GaN(氮化鎵)是一種用于新一代功率元器件的化合物半導體材料。與普通的半導體材料——Si(硅)相比,具有更優(yōu)異的物理性能,目前,因其具有出色的高頻特性,越來越多的應用開始采用這種材料。

HEMT是High Electron Mobility Transistor(高電子遷移率晶體管)的英文首字母縮寫。

*2)RDS(ON)×Ciss / RDS(ON)×Coss

是用來評估器件性能的指標,其中Ciss是指從輸入端看的總電容,Coss是指從輸出端看的總電容。

該值越低,開關速度越快,開關時的損耗越小。

*3)ESD(Electro-Static Discharge:靜電放電)

當人體和電子設備等帶電物體相互接觸時會產生靜電。這種靜電會導致電路和設備發(fā)生誤動作甚至損壞。

END

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