6月1日，據(jù)GE官網(wǎng)消息，來自GE Research的一個科學(xué)家團(tuán)隊創(chuàng)造了一項新記錄，他們展示了可以承受超過 800 攝氏度溫度的 SiC MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）。這比以前已知的這種技術(shù)的演示至少高出200攝氏度，也進(jìn)一步顯示了SiC MOSFET支持未來在極端工作環(huán)境中應(yīng)用的潛力，這也打破了大多數(shù)電子專家認(rèn)為這些器件可以實現(xiàn)的目標(biāo)。

隨著GE的航空航天業(yè)務(wù)為其現(xiàn)有的商業(yè)和軍事客戶不斷提高航空系統(tǒng)的先進(jìn)性，并尋求實現(xiàn)支持太空探索和高超音速飛行器的新應(yīng)用，建立一個能在極端工作環(huán)境中發(fā)揮作用的電子器件組合將是至關(guān)重要的。三十多年來，GE在SiC技術(shù)方面建立了一個世界領(lǐng)先的產(chǎn)品組合，并通過航空航天業(yè)務(wù)為航空航天、工業(yè)和軍事應(yīng)用銷售一系列基于SiC的電力產(chǎn)品。

GE Research 微電子首席工程師 Emad Andarawis 表示，使用 SiC MOSFET 實現(xiàn)高溫閾值可以為太空探索和高超音速飛行器的傳感、驅(qū)動和控制應(yīng)用開辟一個全新的領(lǐng)域。而要打破太空探索和高超音速飛行的新障礙，就需要能夠處理極端高溫和工作環(huán)境的強(qiáng)大、可靠的電子系統(tǒng)。他們展示的可以承受超過 800 攝氏度的 SiC MOSFET，就是實現(xiàn)這些關(guān)鍵任務(wù)目標(biāo)的一個重要里程碑。

GE 的SiC MOSFET可以支持開發(fā)更強(qiáng)大的傳感、驅(qū)動和控制，為太空探索提供新的可能性，并使高超音速飛行器的控制和監(jiān)測速度達(dá)到MACH 5，或超過3500英里/小時，這相當(dāng)于今天典型的商業(yè)客運航班速度的六倍多。

Andarawis 指出，電子行業(yè)在采用 SiC 的高溫電子產(chǎn)品方面已經(jīng)取得了許多令人振奮的發(fā)展。NASA展示了能夠耐受超過 800 攝氏度閾值的 SiC JFET。長期以來，傳統(tǒng)觀點認(rèn)為 SiC MOSFET 在高溫下無法提供與 JFET 相同程度的可靠性和耐用性。SiC MOSFET中柵極氧化物的新進(jìn)展，以前一直是溫度和壽命的限制因素，現(xiàn)在已經(jīng)大大縮小了差距。

Andarawis 和 GE Research最近的演示表明，MOSFET可以擴(kuò)大可考慮的選項組合。這建立在SiC電子技術(shù)領(lǐng)域不斷增長的工作基礎(chǔ)上，GE航空研究人員正處于領(lǐng)導(dǎo)工作的前沿。該團(tuán)隊目前正在與NASA 合作開展一個項目，應(yīng)用新型SiC光電二極管技術(shù)開發(fā)和展示一種紫外線成像儀，以加強(qiáng)對金星表面的太空任務(wù)。GE Research 還在潔凈室設(shè)施中制造 NASA 的 JFET，這是他們?yōu)橥獠堪雽?dǎo)體合作伙伴所做工作的一部分。

潔凈室設(shè)施是 GE 在 SiC 研究中的主要焦點。它是一個 28，000 平方英尺的 100 級（通過 ISO 9001 認(rèn)證）設(shè)施，位于 GE 位于紐約州尼斯卡尤納的研究園區(qū)。該設(shè)施可以支持從研發(fā)到小批量生產(chǎn)的技術(shù)，并將技術(shù)轉(zhuǎn)移到支持 GE 內(nèi)部產(chǎn)品或選定的外部商業(yè)伙伴的大批量制造。