電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）日前，有外媒報(bào)道稱，英特爾計(jì)劃在韓國首爾設(shè)立科研實(shí)驗(yàn)室，通過擴(kuò)展和三星、SK海力士的合作，推進(jìn)適用于數(shù)據(jù)中心的DRAM芯片研發(fā)工作。

此前，我們在報(bào)道中已經(jīng)指出，英特爾由于內(nèi)部戰(zhàn)略的混亂，在AI計(jì)算芯片方面已經(jīng)落于人后，并且從時(shí)間上至少落后英偉達(dá)兩年。在英偉達(dá)高速發(fā)展的情況下，英特爾在AI算力芯片方面很難翻身。

不過，對(duì)于AI計(jì)算來說，存儲(chǔ)的重要性同樣很高。目前，高性能計(jì)算芯片基本都是配HBM內(nèi)存幫助加快運(yùn)算，但是在算力系統(tǒng)里，計(jì)算和存儲(chǔ)的割裂還是比較嚴(yán)重的。如果英特爾能夠在內(nèi)存方面獲得突破，有望實(shí)現(xiàn)換道超車。

英特爾首爾研發(fā)實(shí)驗(yàn)室

根據(jù)報(bào)道，位于首爾的數(shù)據(jù)中心開發(fā)實(shí)驗(yàn)室將于今年年底前竣工開業(yè)，主要負(fù)責(zé)為數(shù)據(jù)中心開發(fā)DDR5 DRAM內(nèi)存技術(shù)。在這個(gè)實(shí)驗(yàn)室里，英特爾將聯(lián)手三星和SK海力士為數(shù)據(jù)中心開發(fā)DDR5 DRAM內(nèi)存技術(shù)，測試和評(píng)估DDR5和Compute eXpress Link等下一代內(nèi)存產(chǎn)品的性能。

不久前，三星宣布其采用12納米級(jí)工藝技術(shù)的16Gb DDR5 DRAM已開始量產(chǎn)。與14納米級(jí)DRAM相比，三星電子全新的12納米級(jí)DDR5 DRAM可將功耗降低約23%，將晶圓產(chǎn)能提高約20%，最高可支持7.2Gbps的速度。

另外，SK海力士也于近日宣布，已經(jīng)完成了現(xiàn)有DRAM中最為微細(xì)化的1bnm（第五代10nm級(jí)別）的技術(shù)研發(fā)，并將適用其技術(shù)的DDR5服務(wù)器DRAM開始了“英特爾數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)器認(rèn)證程序（The Intel Data Center Certified memory program）”。據(jù)介紹，新工藝量產(chǎn)的DRAM運(yùn)行速度為6.4Gbps，數(shù)據(jù)處理速度提高了33%，相較于1αnm工藝產(chǎn)品，功耗降低了20%。

對(duì)于業(yè)界來說，三星和SK海力士的最新DRAM產(chǎn)品，除了應(yīng)用于LPDDR5T和HBM3E產(chǎn)品之外，和英特爾主導(dǎo)的CXL技術(shù)結(jié)合也是一個(gè)看點(diǎn)，有望進(jìn)一步消除高性能計(jì)算的內(nèi)存墻效應(yīng)。

CXL內(nèi)存是重點(diǎn)

Compute eXpress Link（CXL）內(nèi)存擴(kuò)展是主要硬件供應(yīng)商和云提供商于2019年共同制定的開放標(biāo)準(zhǔn)，被認(rèn)為是PCI-e（PCI Express）技術(shù)最主要的替代者，而英特爾是CXL聯(lián)盟牽頭人和主要推動(dòng)者。

CXL在PCIe 5.0物理層基礎(chǔ)上定義了三種協(xié)議，有效實(shí)現(xiàn)了內(nèi)存拓展，還引入了共享內(nèi)存池，達(dá)到CPU、存儲(chǔ)、FPGA、加速器之間的緩存一致性。

過去四年的時(shí)間里，CXL已經(jīng)連續(xù)更新了1.0/1.1、2.0、3.0三個(gè)版本，發(fā)展非常迅速。到了CXL 3.0時(shí)代，一個(gè)全新的理念已經(jīng)成型——共享內(nèi)存。CXL3.0建立在PCI-Express 6.0之上，將內(nèi)存?zhèn)鬏數(shù)膸捥嵘藘杀?，達(dá)到64GT/s。更為重要的是，CXL3.0提供標(biāo)準(zhǔn)邏輯能力，允許更復(fù)雜的連接拓?fù)洌沟脭?shù)據(jù)中心應(yīng)用能夠更靈活地分享內(nèi)存。

圖源：CXL聯(lián)盟

目前，無論是數(shù)據(jù)中心還是算力中心，實(shí)際上其基本結(jié)構(gòu)依然還是馮諾依曼結(jié)構(gòu)，由計(jì)算、傳輸和存儲(chǔ)構(gòu)成。在這個(gè)結(jié)構(gòu)中，目前計(jì)算和存儲(chǔ)的對(duì)應(yīng)關(guān)系基本是一對(duì)一，一個(gè)物理內(nèi)存只能屬于某一臺(tái)服務(wù)器。在CXL3.0技術(shù)的加持下，如今計(jì)算和內(nèi)存已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了解耦，因此內(nèi)存有望成為一個(gè)嶄新的系統(tǒng)。

首先，服務(wù)器之間將能夠直接訪問彼此的內(nèi)存，無需再通過CPU，這樣就能夠顯著提升效率，降低系統(tǒng)運(yùn)算的延遲。其次，相較于CXL2.0，新版本協(xié)議將內(nèi)存池化的更加徹底，每個(gè)主機(jī)不再需要分配自己專屬內(nèi)存段，而是多個(gè)主機(jī)可以擁有一個(gè)共享內(nèi)存段的一致性副本。

我們都知道，在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域，目前CXL內(nèi)存已經(jīng)逐漸展露鋒芒，將塑造一種全新的服務(wù)器集群方式，顯著提高數(shù)據(jù)處理的效率。而在應(yīng)對(duì)ChatGPT為首的高算力需求應(yīng)用時(shí)，正如三星內(nèi)存副總裁Kim Jae-joon所言，ChatGPT等基于自然語言技術(shù)的交互式AI應(yīng)用的發(fā)展有利于提升內(nèi)存需求。因此，CXL內(nèi)存也有用武之地。

數(shù)據(jù)顯示，在過去的20多年中，處理器的性能以每年大約55%速度快速提升，而內(nèi)存性能的提升速度則只有每年10%左右。在算力集群中，基于CXL協(xié)議的DRAM能夠有效減輕SRAM 的工作負(fù)擔(dān)，極大地提升模型訓(xùn)練和推理的效率。

因此，在持續(xù)推動(dòng)CXL發(fā)展的過程中，英特爾有望摸索出一套計(jì)算和內(nèi)存更加均衡的算力集群方式，在整體效率方面超過英偉達(dá)計(jì)算芯片加主線內(nèi)存的方式，這也不失為一種破局之道。

后記

英特爾目前在數(shù)據(jù)中心和算力中心面臨的挑戰(zhàn)是全方面的，數(shù)據(jù)中心份額被逐漸蠶食，算力中心則遲遲無法打開局面。不過，如果能夠借助CXL技術(shù)構(gòu)建一套全新的計(jì)算體系，英特爾有望重新奪回主動(dòng)權(quán)。