chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

晶體管S參數(shù)重要性 晶體管有哪些重要指標(biāo)

巧學(xué)模電數(shù)電單片機(jī) ? 來源:巧學(xué)模電數(shù)電單片機(jī) ? 2023-06-09 10:59 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

晶體管 S 參數(shù)重要性

微波晶體管按功能分類可分為微波低噪聲晶體管和微波大功率晶體管,低噪聲晶體管和大功率晶體管被用于設(shè)計低噪聲放大器功率放大器。正常情況下晶體管廠家會在晶體管的使用手冊上給出相應(yīng)的 S參數(shù)和推薦電路,微波設(shè)計人員根據(jù)廠家提供的阻抗值設(shè)計微波晶體管的輸入和輸出匹配電路。

如果S參數(shù)不準(zhǔn)確就不能精準(zhǔn)設(shè)計電路,例如|S21|2代表的功率增益測試數(shù)據(jù)計算偏小1dBm,將導(dǎo)致總體設(shè)計輸出功率偏大1dBm,和射頻模塊設(shè)計達(dá)不到指標(biāo)。所以準(zhǔn)確測量晶體管S參數(shù)非常重要。

晶體管輸出端接匹配負(fù)載時的S參數(shù):S12為反向傳輸系數(shù),也就是隔離度;S21為正向傳輸系數(shù)也就是增益;S11為輸入反射系數(shù),也就是輸入回波損耗;S22為輸出反射系數(shù),也就是輸出回波損耗。

c6a3471e-05ea-11ee-962d-dac502259ad0.png

晶體管有哪些重要指標(biāo)

功率增益

|S21|2代表的功率增益,因此晶體管的功率增益跟S21參數(shù)有很大的關(guān)系。功率增益小,該晶體管則不適合做功率放大設(shè)計,需要選S21增益大的晶體管。

端口駐波比

駐波比=波腹電壓/波節(jié)電壓,而這兩個電壓跟反射系數(shù)有關(guān)系,反射系數(shù)跟S11和S22有直接關(guān)系,因此其本質(zhì)還是S參數(shù)的影響。失網(wǎng)能直接測出晶體管端口的駐波比,設(shè)計的晶體管應(yīng)盡量減小駐波比,通常情況下駐波比要小于1.5。

反射損耗

反射損耗又稱回波損耗,實際就是S11。晶體管與后端負(fù)載的阻抗不匹配所產(chǎn)生的反射。反射損耗越小,才是一個好的晶體管設(shè)計。

微波晶體管輸入/輸出阻抗參數(shù)

晶體管的輸入輸出阻抗匹配至關(guān)重要。若輸入阻抗參數(shù)不匹配50Ω,使得進(jìn)入的信號就小,將導(dǎo)致輸出肯定偏小;若輸出阻抗參數(shù)不匹配50Ω,微波信號將很大的能量反射回去,導(dǎo)致輸出信號還是很小。所以輸入輸出都需要測阻抗參數(shù)進(jìn)行50Ω匹配。

噪聲參數(shù)

除去晶體管本身的最小噪聲系數(shù)外,很大程度需要看晶體管的輸入源和輸出信號反射系數(shù)。

帶寬

跟據(jù)晶體管的S參數(shù),來選擇合適的晶體管類型設(shè)計寬帶放大器,帶寬設(shè)計,例如雙極晶體管S21隨頻率升高而下降快,而MESFET在一定頻率變化較小,所以MESFET晶體管更利于寬帶設(shè)計。

失網(wǎng)能否測試這些重要參數(shù)

失網(wǎng)整體原理框架

矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀的基本原理:以三通道二端口矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀為例,內(nèi)部組成:主要是由一個信號源,3 個定向耦合器,一個轉(zhuǎn)換開關(guān)和其它一些設(shè)備(如 幅相接收機(jī)、微處理器、存儲器和顯示器等)組成。如下面的硬件結(jié)構(gòu)框圖所示。

c6b871c0-05ea-11ee-962d-dac502259ad0.png

如何測出相應(yīng)參數(shù)

信號源產(chǎn)生相應(yīng)頻率范圍內(nèi)的激勵信號,輸出后通過功分器將信號均分為兩路,一路直接到達(dá)R接收機(jī),經(jīng)過測試R接收機(jī)得到輸入信號的相關(guān)幅值相位, 另一路信號經(jīng)過轉(zhuǎn)換開關(guān)在通過被測件后再通過轉(zhuǎn)換開關(guān)與匹配負(fù)載相連。激勵信號輸入到被測件后會產(chǎn)生反射,被測件端口反射信號與輸入激勵信號在相同物理路徑上傳播,定向耦合器負(fù)責(zé)把同個物理路徑上相反方向傳播的信號進(jìn)行分離,提取的反射信號信息進(jìn)入A接收機(jī)。

最后得到的比值A(chǔ)/R即為被測試件端口反射特性。被測件輸出信號進(jìn)入網(wǎng)絡(luò)分析儀B接收機(jī),B接收機(jī)測試得到被測件輸出信號信息。最后得到比值 B/R即為被測試件正向傳輸特性。將這些信號通過幅相接收機(jī)送入微處理器中,經(jīng)過一系列處理后,就可以把該端口的S參數(shù)、反射損耗、駐波比、幅度、相位、群延時、阻抗、增益、增益壓縮點(diǎn)等數(shù)據(jù)準(zhǔn)確顯示在屏幕上。

Keysight E5061B 測試這些指標(biāo)的優(yōu)勢

測試數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性

系統(tǒng)誤差是最主要的測量誤差來源,必須通過專門的校準(zhǔn)技術(shù)消除。在網(wǎng)絡(luò)分析儀中系統(tǒng)誤差主要包括:由定向耦合器有限方向性造成的方向性誤差,阻抗匹配不理想造成的失配誤差,與頻率變化相關(guān)的跟蹤誤差以及測試通道中信號泄露造成的串?dāng)_誤差。通過 SOLT、TRL、SMC、VMC等校準(zhǔn)方法消除系統(tǒng)誤差。本儀器還可以用電子校準(zhǔn)件更方便快捷,并且可根據(jù)用戶指定特性匹配電子校準(zhǔn)件。

測試速度快

E5061B在9ms內(nèi)掃描速度最高可達(dá) 201 個點(diǎn),可以更高效快捷的測量產(chǎn)品數(shù)據(jù),可提高用戶篩選高品質(zhì)產(chǎn)品能力,提高用戶的實際產(chǎn)能。

測試帶寬

E5061B測試帶寬為5Hz-3GHz,能覆蓋絕大部分的微波產(chǎn)品測量帶寬需求,可用于民用通訊 4G、5G,也可用于通信系統(tǒng)、衛(wèi)星導(dǎo)航、雷達(dá)制導(dǎo)等微波設(shè)計。

軌跡噪聲低

E5061B的軌跡噪聲能0.005dBrms,能保證測試信號的準(zhǔn)確性,證明測試儀器對被測信號本身幾乎沒影響,能準(zhǔn)確測出信號的 S 參數(shù)等指標(biāo)。





審核編輯:劉清

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 功率放大器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    102

    文章

    3977

    瀏覽量

    134789
  • 晶體管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    77

    文章

    10019

    瀏覽量

    141631
  • 網(wǎng)絡(luò)分析儀

    關(guān)注

    9

    文章

    696

    瀏覽量

    29129
  • SMC
    SMC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    86

    瀏覽量

    20830
  • 定向耦合器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    65

    瀏覽量

    16243

原文標(biāo)題:“貼心”的網(wǎng)絡(luò)分析儀E5061B

文章出處:【微信號:巧學(xué)模電數(shù)電單片機(jī),微信公眾號:巧學(xué)模電數(shù)電單片機(jī)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    晶體管詳解

    之一,在重要性方面可以與印刷術(shù),汽車和電話等的發(fā)明相提并論。晶體管實際上是所有現(xiàn)代電器的關(guān)鍵活動(active)元件。晶體管在當(dāng)今社會的重要性主要是因為
    發(fā)表于 08-12 13:57

    晶體管分類及參數(shù)

    晶體管分類  按半導(dǎo)體材料和極性分類  按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型
    發(fā)表于 08-12 13:59

    晶體管參數(shù)

    晶體管參數(shù)
    發(fā)表于 04-19 06:47

    晶體管參數(shù)測量技術(shù)報告

    晶體管參數(shù)測量技術(shù)報告摘 要晶體管參數(shù)是用來表征管子性能優(yōu)劣和適應(yīng)范圍的指標(biāo),是選的依據(jù)。為
    發(fā)表于 08-02 23:57

    晶體管的主要參數(shù)

    過大,則β和hFE也將明顯變小。(2) 集電極最大電流ICM晶體管集電極允許通過的最大電流即為ICM。需指出的是,IC大于ICM時晶體管不一定會被燒壞,但β等參數(shù)將發(fā)生明顯變化,會影響晶體管
    發(fā)表于 06-13 09:12

    晶體管的分類與特征

    是基于代表的特性進(jìn)行的,因此存在個別不吻合的內(nèi)容。請理解為整體的傾向、特征。另外,這些晶體管的結(jié)構(gòu)、工作原理與代表參數(shù)如下。雙極晶體管
    發(fā)表于 11-28 14:29

    晶體管的由來

    即是內(nèi)置了電阻的晶體管。數(shù)字晶體管有諸多優(yōu)點(diǎn)如:1. 安裝面積減少 2. 安裝時間減 3. 部件數(shù)量減少 等等。數(shù)字晶體管是ROHM的專利。內(nèi)置電阻的晶體管是由ROHM最早開發(fā)并取得專
    發(fā)表于 05-05 00:52

    RF功率晶體管耐用的三個電氣參數(shù)驗證

    能夠在高輸出功率電平下承受嚴(yán)苛的負(fù)載失配狀況而不降低性能或造成器件故障。當(dāng)晶體管工作在負(fù)載失配狀態(tài)下時,它的輸出功率有很大一部分會被反射進(jìn)器件,此時功率必須在晶體管中耗散掉。但在比較不同耐用
    發(fā)表于 06-26 07:11

    晶體管的分類與特征

    相對于晶體管的主要評估項目的特征。 對于各項目的評估是基于代表的特性進(jìn)行的,因此存在個別不吻合的內(nèi)容。請理解為整體的傾向、特征。另外,這些晶體管的結(jié)構(gòu)、工作原理與代表
    發(fā)表于 06-09 07:34

    晶體管的h參數(shù)資料分享

    在合理設(shè)置靜態(tài)工作點(diǎn)和輸入為交流小信號的前提下,晶體管可等效為一個線性雙端口電路。如圖Z0212所示?!             ?晶體管的端口電壓和電流的關(guān)系可表示為如圖Z0213所示。 h 參數(shù)
    發(fā)表于 05-13 07:56

    什么是晶體管 晶體管的分類及主要參數(shù)

    制成的二極、晶體管、場效應(yīng)晶體管、晶閘管等。晶體管大多是指晶體三極管。晶體管分為兩大類:雙極
    發(fā)表于 02-03 09:36

    晶體管h參數(shù),晶體管h參數(shù)是什么意思

    晶體管h參數(shù),晶體管h參數(shù)是什么意思 在合理設(shè)置靜態(tài)工作點(diǎn)和輸入為交流小信號的前提下,晶體管可等效為一個線性雙端口電路
    發(fā)表于 03-05 17:37 ?6374次閱讀

    晶體管發(fā)明的重要性_晶體管的作用_晶體管工作原理介紹

    本文開始介紹了晶體管的分類與場效應(yīng)晶體管,其次分析了晶體管重要性及作用,最后介紹了晶體管工作原理與晶體
    發(fā)表于 02-01 09:18 ?2.9w次閱讀

    晶體管是做什么的_晶體管的三個工作區(qū)是什么

    本文首先闡述了晶體管的用途及重要性,另外還分析了晶體管的三個工作區(qū)。
    發(fā)表于 03-14 10:31 ?2.4w次閱讀

    為什么晶體管有高低頻的特性?

    為什么晶體管有高低頻的特性?? 晶體管是一種半導(dǎo)體器件,起到了控制電流的作用。在電子設(shè)備中,晶體管是一種非常重要的元件,廣泛應(yīng)用于各種電路中。晶體管
    的頭像 發(fā)表于 09-20 16:43 ?1365次閱讀