近些年，伴隨著MOSFET的發(fā)展趨勢(shì)，在低輸出功率快速開(kāi)關(guān)行業(yè)，MOSFET正逐漸取代三極管，領(lǐng)域主要生產(chǎn)廠(chǎng)家對(duì)三極管的研發(fā)投入也逐漸降低，在芯片設(shè)計(jì)層面基本上沒(méi)有資金投入，器件的新技術(shù)進(jìn)步具體表現(xiàn)在圓晶加工工藝的升級(jí)，封裝小型化及表貼化上。此外，相對(duì)一般三極管，RF三極管的具體發(fā)展趨勢(shì)是低電壓工作電壓供電系統(tǒng)，低噪音，高頻率及高效率。

1、三極管及MOSFET歸類(lèi)型號(hào)選擇基本原則如下所示：

1）禁選處在生命期后期的軟件封裝器件，如TO92

2）甄選領(lǐng)域流行小型化表貼器件，如SOT23，SOT323，SOT523等，針對(duì)多管運(yùn)用，優(yōu)先選擇考慮到多管封裝如SOT363及SOT563

3）針對(duì)開(kāi)關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域，優(yōu)先選擇考慮到采用MOSFET

4）頻射三極管甄選低壓供電系統(tǒng)，低噪音，高頻率及高效率器件。

2、三極管和MOSFET器件型號(hào)選擇重要因素

2.1. 三極管型號(hào)選擇重要因素

三極管在線(xiàn)路中有變大和開(kāi)關(guān)二種功效，現(xiàn)階段在我司的線(xiàn)路中三極管關(guān)鍵起開(kāi)關(guān)功效。在挑選三極管的情況下，從下列一些層面做好考慮到：主要參數(shù)、封裝、特性（低電壓降、低特性阻抗、高變大倍率、高開(kāi)關(guān)高效率）等層面。在達(dá)到調(diào)額標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的條件下，考慮到輸出電流量和相對(duì)應(yīng)的損耗輸出功率，擊穿電壓尺寸，變大倍率等主要參數(shù)。與此同時(shí)，應(yīng)盡可能采用傳熱系數(shù)小，容許結(jié)溫高的器件。

2) 封裝品質(zhì)好壞的是用集成ic總面積與封裝總面積的比率來(lái)判定的，比率越貼近1越高。因?yàn)槿龢O管的效率要求更加小，因此，小封裝三極管是其引入的一個(gè)方位，在主要參數(shù)達(dá)到規(guī)格型號(hào)的條件下盡可能選用小封裝。現(xiàn)階段三極管最小封裝是sot883（DFN1006-3），甄選封裝有sot883、sot663、sot23、sot89、sot223、sot666。

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