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      WFDN320380-P41 功率放大器 55所

      立年電子科技 ? 2022-04-08 11:21 ? 次閱讀
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      WFDN320380-P41 型芯片是一款性能優(yōu)良的 32～38GHz 高功率放大器，使用 0.15um 柵長的氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMT)工藝制造而成。該芯片通過背面金屬經(jīng)通孔接地。所有芯片產(chǎn)品全部經(jīng) 100%射頻測量。WFDN320380-P41 型芯片為雙電源工作，漏極電壓Vds=24V 可在 32～38 GHz 內(nèi)提供 41dBm 的輸出功率。該芯片主要用于毫米波收發(fā)組件、無線通訊等。

      poYBAGJO9k2AJcw1AAQoaUKINGM218.pngWFDN320380-P41


      關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)
      頻率：32～38 GHz
      典型小信號增益：25dB
      典型輸出功率：42dBm@24V
      典型附加效率： 30%
      工藝類型：0.15um HEMT 技術(shù)
      偏置：24V，0.15A（10%）
      使用條件：脈沖，連續(xù)被
      外形尺寸：2.8mm×3.4mm×0.08mm


      漏電壓 28V
      漏電流 5A
      柵電壓 -10V
      柵電流 100mA
      直流功耗 28W
      輸入信號功率 28dBm
      溝道工作溫度 225℃
      燒結(jié)溫度 310℃ 1min，N2保護(hù)
      存儲溫度 -55～150℃


      壓點定義
      RFin 射頻信號輸入端、外接 50 歐姆系統(tǒng)，如該壓點有外加的直流電，需隔直電容
      RFout 射頻信號輸出端、外接 50 歐姆系統(tǒng)、無需隔直電容
      VG 放大器柵極偏置，需外接 100pF、1000pF 電容
      VD1、VD2、VD3 放大器漏極偏置，需外接 100pF、1000pF 電容
      GND 芯片底部與射頻及直流地需良好接觸

      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
      • 功率放大器
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