Spin Field-effect Transistor
撰稿人:清華大學(xué) 許軍 梁仁榮
https://www.tsinghua.edu.cn
審稿人:北京大學(xué) 張興 蔡一茂
https://www.pku.edu.cn
10.1 非傳統(tǒng)新結(jié)構(gòu)器件
第10章 集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展
《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
晶體管
+關(guān)注
關(guān)注
77文章
10020瀏覽量
141731
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
無結(jié)場效應(yīng)晶體管器件的發(fā)展歷程
2010年,愛爾蘭 Tyndall 國家研究所的J.P.Colinge 等人成功研制了三柵無結(jié)場效應(yīng)晶體管,器件結(jié)構(gòu)如圖1.15所示。從此,半導(dǎo)體界興起了一股研究無結(jié)場效應(yīng)晶體管的熱潮,每年的國際

無結(jié)場效應(yīng)晶體管詳解
當(dāng)代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢壘結(jié)所構(gòu)成:雙極結(jié)型晶體管(BJT)包含兩個(gè)背靠背的PN 結(jié),MOSFET也是如此。結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET) 垂直于溝道方向有一個(gè) PN結(jié),隧道穿透

TC1201低噪聲和中功率GaAs場效應(yīng)晶體管規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《TC1201低噪聲和中功率GaAs場效應(yīng)晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 03-17 17:15
?0次下載
LT1541SIJ P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管數(shù)據(jù)表
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1541SIJ P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 03-07 11:33
?1次下載
鰭式場效應(yīng)晶體管制造工藝流程
FinFET(鰭式場效應(yīng)晶體管)從平面晶體管到FinFET的演變是一種先進(jìn)的晶體管架構(gòu),旨在提高集成電路的性能和效率。它通過將傳統(tǒng)的平面晶體管

Nexperia共源共柵氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管的高級SPICE模型
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Nexperia共源共柵氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管的高級SPICE模型.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 02-13 15:23
?6次下載

互補(bǔ)場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)和作用
隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷逼近物理極限,傳統(tǒng)的平面晶體管(Planar FET)、鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)從平面晶體管到FinFET的演變,乃至全環(huán)繞柵或圍柵(GAA

一文解析現(xiàn)代場效應(yīng)晶體管(FET)的發(fā)明先驅(qū)
朱利葉斯·埃德加·利利恩菲爾德在1925年申請的專利為場效應(yīng)晶體管奠定了理論基礎(chǔ)。 雖然第一個(gè)工作的場效應(yīng)晶體管(FET)直到1945年才出現(xiàn),但這個(gè)想法早在近20年前,即朱利葉斯·埃德加·利利恩

結(jié)型場效應(yīng)晶體管和N溝道場效應(yīng)晶體管有什么區(qū)別
結(jié)型場效應(yīng)晶體管(Junction Field-Effect Transistor,簡稱JFET)和N溝道場效應(yīng)晶體管(N-Channel Field-Effect Transistor,簡稱N溝道
結(jié)型場效應(yīng)晶體管的工作原理和特性
結(jié)型場效應(yīng)晶體管(Junction Field-Effect Transistor,簡稱JFET)是一種基于場效應(yīng)原理工作的三端有源器件,其工作原理和特性對于理解其在電子電路中的應(yīng)用至關(guān)重要。以下將詳細(xì)闡述JFET的工作原理和特
如何選擇場效應(yīng)晶體管
在選擇場效應(yīng)晶體管(FET)時(shí),需要考慮多個(gè)因素以確保所選器件能夠滿足特定的應(yīng)用需求,同時(shí)保證電路的性能和可靠性。以下是一個(gè)詳細(xì)的選擇場效應(yīng)晶體管的指南,包括關(guān)鍵步驟、考慮因素以及具體的應(yīng)用建議。
鐵電場效應(yīng)晶體管的工作原理
鐵電場效應(yīng)晶體管是一種基于鐵電材料的新型晶體管技術(shù),其工作原理涉及到鐵電材料的極化反轉(zhuǎn)特性及其對半導(dǎo)體通道電流的調(diào)控。
什么是結(jié)型場效應(yīng)晶體管
對輸出信號(hào)的控制。JFET具有結(jié)構(gòu)簡單、工作頻率高、功耗低、易于集成等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于高頻電路、開關(guān)電源、功率放大器等電子系統(tǒng)中。以下是對結(jié)型場效應(yīng)晶體管的詳細(xì)解析。
場效應(yīng)晶體管和雙極性晶體管有什么區(qū)別
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor,簡稱FET)和雙極性晶體管(Bipolar Junction Transistor,簡稱BJT,也稱雙極性結(jié)型晶體管)是兩種常見的半導(dǎo)體
場效應(yīng)晶體管利用什么原理控制
場效應(yīng)晶體管(Field-Effect Transistor,簡稱FET)是一種利用電場效應(yīng)來控制電流的半導(dǎo)體器件。它具有高輸入阻抗、低噪聲、快速響應(yīng)等優(yōu)點(diǎn),在電子技術(shù)領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。 一
評論